Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Фазові рівноваги та склоутворення в квазіпотрійних системах BIIX – Ga2X3 – DIVX2 (BII – Zn, Cd, Hg; DIV – Ge, Sn; X – S, Se).

Фазові рівноваги та склоутворення в квазіпотрійних системах BIIX – Ga2X3 – DIVX2 (BII – Zn, Cd, Hg; DIV – Ge, Sn; X – S, Se).

Назва:
Фазові рівноваги та склоутворення в квазіпотрійних системах BIIX – Ga2X3 – DIVX2 (BII – Zn, Cd, Hg; DIV – Ge, Sn; X – S, Se).
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,57 KB
Завантажень:
165
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
ЛЬВІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ІВАНА ФРАНКА
МАЗУРЕЦЬ ІРИНА ІВАНІВНА
УДК 546 + 544.016 + 54-161.6
Фазові рівноваги та склоутворення
в квазіпотрійних системах BIIX – Ga2X3 – DIVX2
(BII – Zn, Cd, Hg; DIV – Ge, Sn; X – S, Se).
02.00.01 – неорганічна хімія
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата хімічних наук
Львів – 2006
Дисертацією є рукопис.
Роботу виконано на кафедрі загальної та неорганічної хімії Волинського державного університету ім. Лесі Українки Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: кандидат хімічних наук, доцент
Парасюк Олег Васильович,
Волинський державний університет,
старший науковий співробітник
Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, доцент
Барчій Ігор Євгенович,
Ужгородський національний університет,
професор кафедри неорганічної хімії
кандидат хімічних наук
Галаджун Ярослав Володимирович,
Львівський національний університет,
доцент кафедри безпеки життєдіяльності
Провідна установа: Інститут проблем матеріалознавства імені І.М. Францевича НАН України (м.Київ)
Захист дисертації відбудеться 15 листопада 2006 р. о 16 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.051.10 у Львівському національному університеті ім. Івана Франка (79005, м.Львів, вул. Кирила і Мефодія, 6, Хімічний факультет, ауд.2).
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Львівського національного університету ім. Івана Франка (79005, м.Львів, вул. Драгоманова, )
Автореферат розісланий 5 жовтня 2006 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради _______________ Яремко З.М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Серед складних напівпровідникових фаз важливе місце займають тернарні сполуки BIICIII2X4 (BII – Zn, Cd, Hg; CIII – Ga, In; X – S, Se), що належать до відомого класу алмазоподібних сполук, окремі представники якого володіють ефективними нелінійно-оптичними, фотоелектричними, люмінесцентними властивостями та ін. Наприклад, HgGa2S4 є одним із найкращих нелінійно-оптичних матеріалів для середньої ІЧ-області електромагнітного спектра (параметричні генератори світла) із високою стійкістю до дії лазерного випромінювання. ZnGa2Se4 є перспективним фотопровідним та люмінесцентним напівпровідником. Їх широке застосування стримується певними труднощами при одержанні монокристалів достатнього розміру, які пов’язані із інконгруентним типом утворення чи високим тиском парів. Одним із найбільш перспективних методів у цьому випадку може бути розчин-розплавний метод вирощування. В ролі розчинника можуть бути використані сплави квазіпотрійних систем BIIX – CIII2X3 DIVX2 (BII – Zn, Cd, Hg; CIII – Ga, In; DIV – Ge, Sn; X – S, Se). Сплави цих систем перспективні для дослідження також через можливість одержання частини їх у склоподібному стані. Стекла систем Ga2S3 – GeS2 та Ga2Sе3 – GeSе2 володіють високою люмінесценцією, підсилення якої здійснюється шляхом легування за допомогою d- чи f-елементів. Високі показники заломлення, прозорість в ІЧ діапазоні електромагнітного спектру, хімічна стійкість, роблять такі склоподібні сплави перспективними матеріалами для твердотільних лазерів, оптичних підсилювачів, світлових перетворювачів та ін. Встановлення областей склоутворення у системах, які утворені чотирма елементами, є перспективним напрямком дослідження, оскільки дозволить розширити клас халькогенідних склоподібних напівпровідників новими представниками.
Таким чином, накопичення експериментальних даних з характеру фізико-хімічної взаємодії та величин областей склоутворення в системах BIIX – Ga2X3 – DIVX2 дозволить виявити нові напівпровідникові речовини, закономірності та особливості у зміні їх властивостей.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Робота є складовою частиною одного з наукових напрямків з дослідження складних напівпровідникових фаз, що проводяться на кафедрі загальної та неорганічної хімії Волинського державного університету ім. Лесі Українки, і виконана відповідно до планів держбюджетних тем “Фізико-хімічні основи матеріалознавства метастабільних фаз, ефективних і радіаційностійких оптоелектронних, нелінійних та інших напівпровідникових матеріалів на основі багатокомпонентних систем” (1998-1999, № державної реєстрації 0198U038208), особистий внесок – склоутворення у системах Zn(Cd,Hg)Sе – Ga2Sе3 – Ge(Sn)Sе2; “Гетерогенні рівноваги складних халькогенідних систем; синтез, технологія монокристалів, стекол, композитів і їх властивості” (2000-2002, № державної реєстрації 0100U000241), особистий внесок – фазові рівноваги у квазіпотрійній системі ZnSе – Ga2Sе3 – GeSе2, область склоутворення та ізотермічний переріз при 670 К квазіпотрійної системи HgS – Ga2S3 – GeS2; “Нові тетрарні халькогенідні речовини: синтез, фазові рівноваги, технологія монокристалів, властивості та застосування” (2003-2005, № державної реєстрації 0103U000274), особистий внесок – фазові рівноваги у квазіпотрійних системах ZnSе – Ga2Sе3 – SnSе2 та HgS – Ga2S3 – GeS2.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: Фазові рівноваги та склоутворення в квазіпотрійних системах BIIX – Ga2X3 – DIVX2 (BII – Zn, Cd, Hg; DIV – Ge, Sn; X – S, Se).

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок