Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> РОЛЬ ПОВЕРХНІ В ПРОЦЕСАХ ЗБУДЖЕННЯ ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ

РОЛЬ ПОВЕРХНІ В ПРОЦЕСАХ ЗБУДЖЕННЯ ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ

Назва:
РОЛЬ ПОВЕРХНІ В ПРОЦЕСАХ ЗБУДЖЕННЯ ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,06 KB
Завантажень:
97
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
Хоменкова Лариса Юріївна
УДК 539.211
РОЛЬ ПОВЕРХНІ В ПРОЦЕСАХ ЗБУДЖЕННЯ
ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ
01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 1999


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної Академії наук України.
Науковий керівник
доктор фізико-математичних наук, професор
Корсунська Надія Овсіївна
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАНУ Блонський Іван Васильович, Інститут фізики НАН України, заступник директора
кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Федоренко Леонід Леонідович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, старший науковий співробітник
Провідна організація
Київський університет імені Тараса Шевченка, кафедра оптики, Міністерство освіти України, м. Київ
Захист відбудеться “14“ вересня 1999 р. о 1415 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України (252650, ГСП, Київ-28, проспект Науки, 45)
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України за адресою Київ-28, проспект Науки, 45.
Автореферат розісланий “13” серпня 1999 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 Рудько Г.Ю.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність роботи. Основні тенденції розвитку сучасної напівпровідникової електроніки пов'язані з підвищенням функціональної складності і ступеня інтеграції мікросхем, із збільшенням їхньої швидкодії та радіаційної стійкості. Ці вимоги визначають напрямки робіт із пошуку нових матеріалів і нових технологічних процесів, що можуть забезпечити необхідні якісні показники виробів при високій техніко-економічній ефективності виробництва.
На протязі багатьох років основним матеріалом електроніки є монокристалічний кремній, а одним із перспективних напрямків в його технології - використання низькотемпературних електрохімічних процесів: електрохімічного полірування і травлення; електрохімічного легування; анодного окислення. Використання в мікроелектроніці пористого кремнію (ПК), який утворюється в результаті електрохімічного травлення, було обумовлено тим, що його електрофізичними властивостями можна легко керувати. Це дозволило формувати в монокристалічному кремнії товсті (понад 1 мкм) діелектричні плівки, діелектричні розділові області, глибокі леговані шари, а також забезпечити ефективне гетерування домішок при зберіганні планарності робочої поверхні пластини.
Відкриття у 1990 році ефективної фотолюмінесценції (ФЛ) ПК у видимій області спектру при кімнатній температурі надало величезний поштовх для дослідження його оптичних властивостей. Однією з основних причин цього стала перспектива використання ПК для створення різних оптоелектронних приладів на основі єдиної кремнієвої технології, що дозволило б створити більш дешеву, ніж арсенід-галієву оптоелектроніку, розробити і створити на кремнієвих пластинах схеми монолітної інтеграції, в тому числі оптичні зв'язки.
В зв’язку з цим постала необхідність з’ясування механізму ФЛ, що крім практичного представляє також теоретичний інтерес. Але, незважаючи на велику кількість експериментальних і теоретичних робіт, питання про природу випромінювання ПК залишається дискусійним до цього часу.
Відомо, що зменшення розміру кремнієвих кристалітів може призводити до появи квантоворозмірних ефектів при досить малих розмірах часток, що одночасно супроводжується значним збільшенням площі їхньої поверхні. Тому, на сьогодні існує дві основні точки зору на природу рекомбінаційних процесів, що обумовлюють ФЛ ПК. Випромінювання ПК пов’язують: 1) з квантоворозмірними ефектами в кремнієвих кристалітах та кластерах; 2) з речовинами на їх поверхні або з електронними станами на інтерфейсі Si/SiOx. Зазначимо, що у першому випадку вплив поверхні на спектри ФЛ пояснюють присутністю поверхневих станів, які є центрами безвипромінювальної рекомбінації (ЦБР), а також адсорбованих молекул, які можуть модулювати зонну структуру кремнієвих кристалітів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: РОЛЬ ПОВЕРХНІ В ПРОЦЕСАХ ЗБУДЖЕННЯ ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок