Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРОЦЕСИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ЛЕГОВАНИХ КРИСТАЛАХ CdTe, Cd0,95Hg0,05Te ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

ПРОЦЕСИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ЛЕГОВАНИХ КРИСТАЛАХ CdTe, Cd0,95Hg0,05Te ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

Назва:
ПРОЦЕСИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ЛЕГОВАНИХ КРИСТАЛАХ CdTe, Cd0,95Hg0,05Te ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,84 KB
Завантажень:
121
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича
ТАНАСЮК ЮЛІЯ ВОЛОДИМИРІВНА
УДК 621.315.592
ПРОЦЕСИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ЛЕГОВАНИХ КРИСТАЛАХ CdTe, Cd0,95Hg0,05Te ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ
(01.04.10. - фізика напівпровідників і діелектриків)
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці-2003
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізичної електроніки і нетрадиційної енергетики Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерсва освіти і науки України
Науковий керівник:
Офіційні опоненти:
Провідна установа: | доктор фізико-математичних наук, доцент Паранчич Степан Юрійович,
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича,
професор кафедри фізичної електроніки
і нетрадиційної енергетики
доктор фізико-математичних наук, професор
Гнатенко Юрій Павлович,
Інститут фізики НАН України, м. Київ
завідувач відділу оптики та спектроскопії кристалів
доктор фізико-математичних наук, професор Ковалюк Захар Дмитрович,
Чернівецьке відділення Інституту проблем
матеріалознавства НАН України, директор
Інститут фізики напівпровідників НАН України, м. Київ |
Захист відбудеться ‘’ ’’ жовтня 2003 р. о 15 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д. 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія  Федьковича за адресою:  ,  м. Чернівці,  вул.  Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (58012, м. Чернівці, вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий ‘’29’ вересня 2003 р.
Учений секретар
спеціалізованої вченої ради КУРГАНЕЦЬКИЙ М.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Дослідження фізичних властивостей напівпровідникових сполук, легованих елементами з незаповненою d-оболонкою, представляють значний інтерес для фізики напівпровідників, спектроскопії, магнетизму, квантової електроніки тощо.
Саме завдяки легуванню елементами з незаповненою 3d-оболонкою напівпровідникові сполуки групи А2В6 набули широкої популярності з точки зору використання їх в якості фоторефрактивних матеріалів. Впровадження домішки викликає утворення електрично активних дефектів і комплексів, які мають тенденцію до створення компенсованого стану в кристалах і дозволяють досягнути великих значень питомого опору – важливої вимоги, яка ставиться до детекторних та фоторефрактивних матеріалів. Зокрема, легування телуриду кадмію ванадієм, германієм або марганцем дозволяє розширити інтервал фоточутливості до ближньої ІЧ-області, що робить цей матеріал перспективним для створення на його основі фотоприймачів у швидкодіючих волоконно-оптичних системах передачі інформації.
Незважаючи на велику кількість робіт, присвячених вирощуванню та дослідженню властивостей кристалів телуриду кадмію, легованих 3d-елементами, однією з ключових проблем на шляху створення приладів на їх основі залишається питання одержання високочутливого матеріалу зі стабільними характеристиками. Останнім часом ведеться активний пошук нових напівпровідникових матеріалів, які б володіли великими значеннями електронної рухливості та, відповідно, малим часом фоторефрактивного відгуку.
Крім того, високоомні напівпровідникові матеріали виявляються перспективними кандидатами для створення на їх основі поверхнево-бар’єрних структур типу діодів Шотткі. Актуальним залишається питання виготовлення до них якісних омічних контактів, які б забезпечували стабільність параметрів і надійність функціонування зазначених напівпровідникових пристроїв.
В даній роботі ці питання розглядаються на прикладі телуриду кадмію та близьких до нього за складом ртутних твердих розчинів, легованих та подвійно легованих 3d-елементами.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Робота виконувалася згідно наукової тематики кафедри фізичної електроніки і нетрадиційної енергетики Чернівецького національного університету “Наукові основи технології одержання та дослідження фізичних властивостей об’ємних і плівкових структур на базі А2В6 та А4В6 складних матеріалів для створення на їх основі оптоелектронних і дозиметричних приладів” (№ держреєстрації 0100U005494).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ПРОЦЕСИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ЛЕГОВАНИХ КРИСТАЛАХ CdTe, Cd0,95Hg0,05Te ТА СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок