Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ШАРИ СКЛАДНИХ СПОЛУК НА ПОВЕРХНІ Cu, GaAs ТА ZnSe, УТВОРЕННЯ ЯКИХ ІНДУКОВАНО ЖОРСТКИМ УЛЬТРАФІОЛЕТОВИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ (100-300 нм) В АТМОСФЕРІ ХЛОРУ

ШАРИ СКЛАДНИХ СПОЛУК НА ПОВЕРХНІ Cu, GaAs ТА ZnSe, УТВОРЕННЯ ЯКИХ ІНДУКОВАНО ЖОРСТКИМ УЛЬТРАФІОЛЕТОВИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ (100-300 нм) В АТМОСФЕРІ ХЛОРУ

Назва:
ШАРИ СКЛАДНИХ СПОЛУК НА ПОВЕРХНІ Cu, GaAs ТА ZnSe, УТВОРЕННЯ ЯКИХ ІНДУКОВАНО ЖОРСТКИМ УЛЬТРАФІОЛЕТОВИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ (100-300 нм) В АТМОСФЕРІ ХЛОРУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,80 KB
Завантажень:
422
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
Інститут монокристалів
Красовський Ігор Вячеславович
УДК 539.219.3; 535.217
ШАРИ СКЛАДНИХ СПОЛУК НА ПОВЕРХНІ Cu, GaAs ТА ZnSe, УТВОРЕННЯ ЯКИХ ІНДУКОВАНО ЖОРСТКИМ УЛЬТРАФІОЛЕТОВИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ (100-300 нм) В АТМОСФЕРІ ХЛОРУ
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків-2003
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті монокристалів Науково-технологічного комплексу "Інститут монокристалів" НАН України.
Науковий консультант – доктор фізико-математичних наук, професор
Толмачов Олександр Володимирович,
Інститут монокристалів НАН України, завідуючий відділом
Науковий керівник – | кандидат фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Степаненко Віктор Михайлович,
Інститут монокристалів НАН України,
провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Михайлов Ігор Федорович, Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Міністерства освіти і науки України; головний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Карачевцев Віктор Олексійович, Фізико технічний інститут низьких температур
ім Б.І. Вєркіна НАН України, завідуючий відділом
Провідна установа | Інститут фізики НАН України, відділ адсорбційних явищ. |
Захист відбудеться 18 вересня 2003 р. о 14 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К .169.02 при Інституті монокристалів НТК "Інститут монокристалів" НАН України, 61001, м. Харків, пр. Леніна, .
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці НТК "Інститут монокристалів" НАН України (пр. Леніна, ).
Автореферат розісланий " 18 " серпня 2003 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
к.ф.-м.н.
І.М. Притула


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Дифузія у речовинах змінного складу відіграє надзвичайно важливу, а в багатьох випадках і вирішальну роль в реальних процесах, що супроводжуються твердофазними хімічними реакціями. До таких процесів належить окислення твердих тіл за рахунок спряженої дифузії іонів та електронів у полі відхилення від стехіометричного складу. Тому дослідження дифузійних процесів, які відбуваються в приповерхневому шарі напівпровідників та металів під час їх фотостимульованого окислення, вивчення структури, складу та морфології шару продуктів реакції необхідні як для подальшого розвитку наукових уявлень про фундаментальні закономірності фазоутворення у твердих тілах, так і для розв’язання ряду важливих технологічних задач, зокрема насамперед у мікроелектронному виробництві.
Швидкий розвиток мікроелектроніки упродовж останніх десятиріч обумовлює значне зростання інтересу до “сухої” фотолітографії високого розділення. Порівняно з іонно-плазмовими методами “сухого” травлення, фотохімічне травлення не вносить радіаційних пошкоджень у поверхневі шари матеріалів. Оскільки в найближче десятиріччя провідні виробники напівпровідникових мікросхем планують досягти розмірів елементів 50-70 нм, стає очевидним, що для одержання таких параметрів літографічних установок буде потрібно освоєння спектрального діапазону 100-150 нм.
Теорія дифузійних процесів ще далека від досконалості. Виключенням можна вважати теорію самодифузії, пов’язаної з перерозподілом часток у твердому тілі, що перебуває у стані хімічної рівноваги, тобто при однорідному хімічному складі та однорідному розподілі власних дефектів. При розгляді дифузійних процесів у речовинах змінного складу виникають значні труднощі, оскільки в цьому випадку дифузійна рухливість часток визначається не лише їх кінетичними, але й термодинамічними характеристиками. В більшості цих процесів дифузія протікає не лише під впливом градієнту концентрації, але й під впливом електричного і температурного полів. Крім того, побудовані на даний момент теоретичні моделі, навіть для простих речовин, таких як метали та напівпровідники, майже не пояснюють роль протяжних дефектів у процесах переносу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ШАРИ СКЛАДНИХ СПОЛУК НА ПОВЕРХНІ Cu, GaAs ТА ZnSe, УТВОРЕННЯ ЯКИХ ІНДУКОВАНО ЖОРСТКИМ УЛЬТРАФІОЛЕТОВИМ ВИПРОМІНЮВАННЯМ (100-300 нм) В АТМОСФЕРІ ХЛОРУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок