Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ, ЛЕГОВАНИХ ЕЛЕМЕНТАМИ І ТА V ГРУП

ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ, ЛЕГОВАНИХ ЕЛЕМЕНТАМИ І ТА V ГРУП

Назва:
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ, ЛЕГОВАНИХ ЕЛЕМЕНТАМИ І ТА V ГРУП
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,52 KB
Завантажень:
503
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
Чернівецький державний університет
ім. Юрія Федьковича
ЧАБАН
ЮРІЙ ЯРОСЛАВОВИЧ
УДК 535.37
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ, ЛЕГОВАНИХ ЕЛЕМЕНТАМИ І ТА V ГРУП
(01.04.10- фізика напівпровідників і діелектриків)
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці - 2000
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі оптоелектроніки Чернівецького державного університету ім. Юрія Федьковича
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Махній Віктор Петрович, Чернівецький державний університет, професор кафедри оптоелектроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Ваксман Юрій Федорович, Одеський державний університет, завідувач кафедри експериментальної фізики
доктор фізико-математичних наук, професор Cавчук Андрій Йосипович, Чернівецький державний університет, професор кафедри фізичної електроніки
Провідна установа: Інститут фізики напівпровідників НАН України (м. Київ)
Захист відбудеться 27 жовтня 2000 р. о 15-ій год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д76.051.01 при Чернівецькому державному університеті ім. Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького державного університету ім. Юрія Федьковича (вул. Л. Українки, 23).
Автореферат розісланий "27" вересня" 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми.
Розвиток сучасної напівпровідникової оптоелектроніки обумовлює підвищений інтерес до широкозонних ІІ-VІ сполук [1]. Серед них особливе місце займає селенід цинку, ширина забороненої зони (Eg=2,7 еВ при 300 К) якого дозволяє перекрити практично весь видимий діапазон спектру, включаючи і мало освоєну синьо-блакитну область. При цьому головною перешкодою на шляху створення інжекційних джерел спонтанного та вимушеного випромінювання є переважаюча електронна провідність. У зв’язку з цим переважна кількість оригінальних робіт, у тому числі і оглядових, присвячена методам отримання об’ємних кристалів та шарів р-ZnSe і вивченню їх фізичних властивостей.
Дослідження показують, що існує декілька факторів, які визначають електронну провідність матеріалу та малу ймовірність крайового випромінювання. Перший з них полягає у великій кількості власних та неконтрольованих домішкових дефектів, які, як правило, утворюють мілкі донорні і глибокі акцепторні рівні. По-друге, ефект самокомпенсації обмежує температуру, при якій дифузія акцепторних домішок може бути інтенсивною, а їх розчинність достатньою для перекомпенсації електронної провідності. Згідно робіт [1, 2] критична температура для селеніду цинку складає всього 400-500 0С, у зв’язку з чим головна увага дослідників зосереджена на низькотемпературних методах легування. До них відносяться відносно дорогі і складні способи: іонне легування, молекулярно-променева епітаксія, епітаксія за участю токсичних метал-органічних сполук, відпал в активованій парі селену тощо. Крім того, ці методи вимагають досконалих та орієнтованих підкладинок, а у деяких випадках додаткових операцій відпалу і т. п. Відмітимо також, що більшість із згаданих способів не дозволяє отримувати товсті шари з дірковою провідністю. Зазначених недоліків можна уникнути використанням методу дифузії. Основою для цього служать роботи останніх років, наприклад [4, 5], у яких показана можливість отримання шарів р-ZnSe високотемпературним відпалом у середовищі, яке містить мілкі акцепторні домішки.
Незважаючи на перспективність цього методу число досліджень досить обмежене і нараховує не більше десятка робіт. Їх результати носять конкретний характер і тому не дозволяють зробити узагальнюючі висновки про оптимальні умови легування, вибору домішок та їх впливу на ансамбль власних точкових дефектів, величину провідності, склад смуг випромінювання тощо. У зв’язку з цим виникає необхідність проведення систематичних комплексних досліджень з питань технології отримання дифузійних шарів р-ZnSe та їх люмінесцентних властивостей.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ, ЛЕГОВАНИХ ЕЛЕМЕНТАМИ І ТА V ГРУП

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок