Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРИРОДА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ТА ПРОЦЕСИ СТАРІННЯ СТРУКТУР З КРЕМНІЄВИМИ НАНОЧАСТИНКАМИ В ОКСИДНІЙ МАТРИЦІ

ПРИРОДА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ТА ПРОЦЕСИ СТАРІННЯ СТРУКТУР З КРЕМНІЄВИМИ НАНОЧАСТИНКАМИ В ОКСИДНІЙ МАТРИЦІ

Назва:
ПРИРОДА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ТА ПРОЦЕСИ СТАРІННЯ СТРУКТУР З КРЕМНІЄВИМИ НАНОЧАСТИНКАМИ В ОКСИДНІЙ МАТРИЦІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,40 KB
Завантажень:
266
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
імені В.Є. ЛАШКАРЬОВА НАН УКРАЇНИ
СТАРА ТЕТЯНА РУСЛАНІВНА
УДК 535.373.2; 539.217; 539.219.1
ПРИРОДА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ТА ПРОЦЕСИ СТАРІННЯ
СТРУКТУР З КРЕМНІЄВИМИ НАНОЧАСТИНКАМИ
В ОКСИДНІЙ МАТРИЦІ
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2007
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної Академії наук України
Науковий керівник | доктор фізико-математичних наук, професор
Корсунська Надія Овсіївна,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,
провідний науковий співробітник | Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Куліш Микола Родіонович,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України,
провідний науковий співробітник | кандидат технічних наук, доцент
Шмирьова Олександра Миколаївна,
Національний технічний університет України „Київський політехнічний інститут”,
доцент кафедри мікроелектроніки |
Захист відбудеться “21” грудня 2007 р. о 1415 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України (03028, Київ-28, пр. Науки, 45)
Автореферат розісланий “19” листопада 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 26.199.01
кандидат фізико-математичних наук О.Б.Охріменко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Однією з основних задач сучасної оптоелектроніки є отримання стабільної та керованої люмінесценції в структурах на основі кремнію. В якості останніх використовують структури, зонна будова яких модифікована за рахунок квантово-розмірного ефекту. Однією з таких структур є пористий кремній (por-Si). Оскільки кристаліти кремнію в por-Si швидко окислюються на повітрі, з часом цей матеріал представляє собою структуру, що містить кристаліти в оточенні окислу. Яскраве червоне свічення в пористому кремнії одним із перших спостерігав Л. Кенем (L.) у 1990 році. З того часу триває дискусія про природу фотолюмінесценції (ФЛ) por-Si та механізми рекомбінації носіїв заряду в ньому. Дійсно, існують вагомі докази участі у ФЛ пористого кремнію рекомбінації екситонів в квантоворозмірних кремнієвих кристалітах. З іншої сторони, існує ряд експериментальних фактів, отриманих, в основному, для окислених зразків, які можна пояснити суттєвим вкладом в фотолюмінесценцію por-Si речовин або станів на поверхні кристалітів.
Поряд з простотою одержання та досить високою квантовою ефективністю ФЛ (до 20 %), пористий кремній має й суттєві недоліки. До останніх можна віднести його нестійкість по відношенню до термічних та хімічних впливів, крихкість, нестабільність фотолюмінесцентних властивостей, складний контроль технологічних параметрів тощо. У середині 90-х років було запропоновано нові методи формування наночастинок кремнію (nc-Si) в оксидній матриці: лазерна абляція, хімічне осадження з газової фази, іонна імплантація, термічне розпи-лення тощо. Одним з найбільш поширених методів одержання шарів SiOx є метод магнетронного розпилення. Його перевагами є однорідність напилених шарів за товщиною, можливість змінювати склад шару в широких межах, можливість напилення на “холодну” підкладку тощо. Вважається, що системи, виготовлені за цією технологією, є більш стабільними з точки зору люмінесцентних власти-востей, ніж пористий кремній. В той же час, роботи по вивченню процесів старіння магнетронно напилених систем нам не відомі.
Дослідженню процесів формування кристалітів кремнію в оксидній матриці присвячено багато робіт. Однак, у більшості з них вважається, що процес формування частинок здійснюється однорідно в усьому напиленому шарі. Лише в деяких роботах враховується можливість неоднорідного розподілу кристалітів за глибиною шару.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ПРИРОДА ЛЮМІНЕСЦЕНЦІЇ ТА ПРОЦЕСИ СТАРІННЯ СТРУКТУР З КРЕМНІЄВИМИ НАНОЧАСТИНКАМИ В ОКСИДНІЙ МАТРИЦІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок