Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ТОЧКОВІ ДЕФЕКТИ І ФІЗИКО-ХІМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ CdTe, HgTe ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЇХ ОСНОВІ

ТОЧКОВІ ДЕФЕКТИ І ФІЗИКО-ХІМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ CdTe, HgTe ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЇХ ОСНОВІ

Назва:
ТОЧКОВІ ДЕФЕКТИ І ФІЗИКО-ХІМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ CdTe, HgTe ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЇХ ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,41 KB
Завантажень:
243
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Міністерство освіти і науки України
Прикарпатський національний університет
імені Василя Стефаника
Дмитрів Анжела Миколаївна
УДК 546.48'24:544.022.384.2
ТОЧКОВІ ДЕФЕКТИ І ФІЗИКО-ХІМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ CdTe, HgTe ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЇХ ОСНОВІ
02.00.21 – хімія твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата хімічних наук
Івано-Франківськ – 2006
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики і хімії твердого тіла Інституту природничих наук при Прикарпатському національному університеті імені Василя Стефаника МОН України
Науковий керівник: доктор хімічних наук, професор
Фреїк Дмитро Михайлович,
Прикарпатський національний університет
імені Василя Стефаника МОН України,
завідувач кафедри фізики та хімії твердого тіла, директор Фізико-хімічного інституту, м. Івано-Франківськ
Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, професор
Панчук Олег Ельпідефорович,
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича,
завідувач кафедри неорганічної хімії, м.Чернівці
доктор хімічних наук, професор
Неділько Сергій Андрійович,
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка,
професор кафедри неорганічної хімії, м.Київ
Провідна установа: Інститут хімії поверхні НАН України, м. Київ.
Захист дисертації відбудеться “ 24 лютого 2006 року о 1100 год, на засіданні спеціалізованої вченої ради К 20.051.03 при Прикарпатському національному університеті імені Василя Стефаника за адресою: 76025, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 79.
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника (76025, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 79).
Відгуки на автореферат у двох примірниках, завірені печаткою, просимо надсилати за адресою: вченому секретарю спеціалізованої вченої ради К 20.051.03 при Прикарпатському національному університеті, вул. Шевченка, 57, м. Івано-Франківськ, Україна, 76025.
Автореферат розіслано “ 24 січня 2006 року
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради К 20.051.03 Кланічка В.М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Аналіз впливу точкових дефектів на властивості напівпровідників і питання про свідоме керування їх видом і концентрацією являють собою одну із важливих проблем хімії твердого тіла і технології. Цій тематиці присвячено велике число монографій і оглядів, а також міжнародних конференцій [1,2]. Роль точкових дефектів є особливо важлива у випадку широкозонних напівпровідників, що обумовлено великими енергіями зв’язку локалізованих носіїв заряду, значними концентраціями дефектів (~ 17 см-3) та неконтрольованими домішками і схильністю до їх самокомпенсації [3].
У випадку CdTe, HgTe та твердих розчинів на їх основі (CdTe-HgTe, CdTe-ZnTe, CdTe-MnTe), що знайшли широке використання у напівпровідниковій техніці (детектори іонізуючого випромінювання, світлові індикатори, електролюмінісцентні пристрої, перетворювачі сонячної енергії і т. д.) при вивченні процесів дефектоутворення ефективними виявилися квазіхімічні моделі з різними комбінаціями переважаючих точкових дефектів. Найбільш відомими з цих питань є праці Д. Нобеля [4], О.Е. Панчука [5], В.М. Глазова [6]. Для розуміння природи точкових дефектів у кристалах важливо також знання їх кристалічної структури, оскільки ряд властивостей можна пояснити, встановивши розподіл йонів у кристалографічних позиціях кристалічної гратки. При цьому залучення принципово нового у хімії твердого тіла кристалоквазіхімічного методу до аналізу дефектної підсистеми як стехіометричних так і нестехіометричних кристалів, запропонованого у роботах проф. С.С. Лісняка [7], дозволяє розглянути реальну природу точкових дефектів, що є основою для дослідження механізмів утворення твердих розчинів. Змінюючи склад твердих розчинів (у межах області гомогенності), і таким чином їх дефектну підсистему, можна регулювати ту чи іншу його властивість, зокрема: ширину забороненої зони, електричні, оптичні і магнітні параметри.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ТОЧКОВІ ДЕФЕКТИ І ФІЗИКО-ХІМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ CdTe, HgTe ТА ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ НА ЇХ ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок