Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МОРФОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ (In,Ga)As/GaAs і InAs/AlSb НАНОСТРУКТУР

МОРФОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ (In,Ga)As/GaAs і InAs/AlSb НАНОСТРУКТУР

Назва:
МОРФОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ (In,Ga)As/GaAs і InAs/AlSb НАНОСТРУКТУР
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,83 KB
Завантажень:
141
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАІНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В. Є. ЛАШКАРЬОВА
КОЛОМИС ОЛЕКСАНДР ФЕДОРОВИЧ
УДК 539.22; 535.36; 535.37
МОРФОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ (In,Ga)As/GaAs і InAs/AlSb НАНОСТРУКТУР
( 01. 04. 07 – фізика твердого тіла )
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2006


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України
Науковий керівник кандидат фізико-математичних наук
Стрельчук Віктор Васильович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Національної Академії наук України,
старший науковий співробітник
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Корсунська Надія Овсіївна,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Національної Академії наук України,
провідний науковий співробітник
кандидат фізико-математичних наук,
Порошин Володимир Миколайович
Інститут фізики Національної Академії наук України,
старший науковий співробітник
Провідна установа Київський національний університет імені Тараса Шевченка, кафедра напівпровідникової електроніки, м. Київ
Захист відбудеться 17 березня 2006 р. о 1415 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К.26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
Автореферат розіслано 16 лютого 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук О.Б. Охріменко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Важливим напрямком розвитку сучасної фізики напівпровідників є створенням різноманітних низькорозмірних гетероструктур з квантовими ямами, квантовими нитками та квантовими точками з наперед заданими параметрами для потреб нано- та оптоелектроніки. Останні досягнення в молекулярно-пучковій епітаксії (МПЕ) дозволяють отримувати наногетероструктури з характеристичними розмірами від одиниць до сотень нанометрів.
У випадку співмірності лінійних розмірів наноструктур з довжиною хвилі де-Бройля електронів (дірок) виникають ряд незвичайних та унікальних фізичних властивостей обумовленних ефектами розмірного квантування енергетичного спектра носіїв заряду. Нинішній інтерес дослідників охоплює як фундаментальні аспекти квантово-розмірних явищ, так і прикладні аспекти застосування наноструктур в нано- і оптоелектроніці.
Атомно-подібний дискретний енергетичний спектр квантових точок та дельта-подібний характер густини електронних станів дають можливість створювати на їх основі електронні і оптоелектронні пристрої з унікальною температурною стабільністю і поліпшеними динамічними характеристиками. На основі (In,Ga)As квантових точок (КТ) і квантових ниток (КН) вже одержані нові прилади оптоелектроніки, такі як низькопорогові лазери на КТ, оптична пам'ять, інфрачервоні детектори.
Проте, до теперішнього часу не досягнуті теоретично передбачені значення параметрів приладів на основі А3В5 наноструктур. Головною причиною цього є достатньо широкий розкид розмірів КТ і КН і їх залежність від технологічних умов отримання. Крім того, при дослідженні процесів самоорганізації таких наноструктур, залишається багато невирішених питань, які торкаються механізму зростання, хімічного складу КТ і КН та їх форми, процесів латерального і вертикального впорядкування КТ. Незважаючи на значні зусилля численних груп науковців, на сьогоднішній день не існує однозначного задовільного трактування процесів самоіндукованного росту КТ, в тому числі для системи (In,Ga)As/GaAs. Структурні параметри наноструктур, зокрема (In,Ga)As квантових точок і ниток та InAs/Al(Ga)Sb квантових ям, зазнають кардинальних змін під впливом процесів інтердифузії і сегрегації при їх вирощувані. На час початку виконання дисертаційної роботи цій проблемі в системах (In,Ga)As/GaAs та InAs/Al(Ga)Sb не приділялось належної уваги.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: МОРФОЛОГІЯ ПОВЕРХНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ (In,Ga)As/GaAs і InAs/AlSb НАНОСТРУКТУР

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок