Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Вплив внутрішніх меж наногетеросистем на електронні та екситонні стани

Вплив внутрішніх меж наногетеросистем на електронні та екситонні стани

Назва:
Вплив внутрішніх меж наногетеросистем на електронні та екситонні стани
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
12,16 KB
Завантажень:
426
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8 
Чернівецький державний університет
ім. Юрія Федьковича
Кубай Роман Юрійович
УДК 530.1
Вплив внутрішніх меж наногетеросистем на електронні та екситонні стани
01.04.02 — теоретична фізика
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці — 2000


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі теоретичної фізики Дрогобицького державного педагогічного університету ім. Івана Франка
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Бойчук Василь Іванович,
Дрогобицький державний педагогічний університет ім. Івана Франка,
завідувач кафедри теоретичної фізики
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Покутній Сергій Іванович,
директор Іллічівського навчально-наукового центру
Одеського державного університету ім. І.І.Мечнікова
кандидат фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Головацький Володимир Анатолійович,
Чернівецький державний університет ім. Юрія Федьковича,
докторант кафедри теоретичної фізики
Провідна установа: Інститут фізики напівпровідників НАН України, м. Київ
Захист відбудеться “ 29 “ вересня 2000 року о 1500 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому державному університеті ім. Юрія Федьковича за адресою: Україна, 58012, м. Чернівці, вул. М.Коцюбинського, 2
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Чернівецького державного університету ім. Юрія Федьковича (вул. Л. Українки, 23)
Автореферат розісланий “ 25 “ серпня 2000 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький
Загальна характеристика роботи
Компактність, мініатюризація, надійність — основні вимоги сучасної техніки. Вони привели у свій час до виникнення мікроелектроніки, акустоелектроніки, вакуумної техніки, елементної бази обчислювальних систем та багатьох інших областей приладобудування, які в свою чергу стимулювали провідних фізиків до вивчення тонких напівпровідникових плівок, поверхневих та приповерхневих явищ.
Розміри сучасних обєктів дослідження становлять нанометри. У таких областях ефекти розмірного квантування не можливо не враховувати, так як фізичні властивості напівпровідникових систем починають залежати як від фізичних, так і від геометричних параметрів.
Розвиток гетерогенних систем та їх застосування висунуло ряд нових наукових проблем. Головна з них полягає у необхідності проникнути в мікромеханізм різних явищ, зумовлених наявністю поверхонь, дослідити причини цих явищ на атомному рівні та знайти взаємозвязок між ними. Розвязок цієї проблеми відкриє шлях до керування поверхневими процесами. Тому в багатьох монографіях з фізики твердого тіла приділяється значна увага вивченню специфічних властивостей електронів, фононів, екситонів та інших квазічастинок біля межі поділу середовищ.
У даний час вивчаються різні типи напівпровідникових наногетероструктур, такі як тонкі плівки, надгратки на їх основі, квантові дроти та квантові точки. Фізичні процеси взаємодії квазічастинок у таких обєктах важливі для розуміння роботи вже існуючих лазерів та електро-оптичних перемикачів.
Розвиток теорії для кожного типу гетеросистем і кожного виду квазічастинок чи включень кристалічної гратки (дислокації, домішки, вакансії) починався з визначення їх спектру при врахуванні наявності поверхонь системи. Така ситуація мала місце для електронів, фононів, екситонів, поляронів, домішок.
В останні роки досить інтенсивно почали досліджуватись багатошарові сферичні наносистеми, в яких квантова точка містить ядро і декілька напівпровідникових шарів. Цікаві результати одержано для систем з близько розміщеними квантовими ямами.
Теоретичні роботи, в яких досліджуються згадані вище гетеросистеми, грунтуються на моделях квантових точок, в яких електрон і дірка знаходяться у скінчених прямокутних потенціальних ямах. Такий підхід дає можливість пояснити генезис енергетичного спектра при наявності двох частинок, тунелювання між шарами складних наногетеросистем, розщеплення енергетичних рівнів для близько розміщених квантових точок.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8 



Реферат на тему: Вплив внутрішніх меж наногетеросистем на електронні та екситонні стани

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок