Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Термодинаміка та кристалохімія атомних дефектів у кристалах і плівках PbTe, PbSe, легованих Tl, In.

Термодинаміка та кристалохімія атомних дефектів у кристалах і плівках PbTe, PbSe, легованих Tl, In.

Назва:
Термодинаміка та кристалохімія атомних дефектів у кристалах і плівках PbTe, PbSe, легованих Tl, In.
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,84 KB
Завантажень:
130
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Міністерство освіти і науки України
Прикарпатський університет імені Василя Стефаника
Павлюк
Любомир Ростиславович
УДК .216.2: 621.315.592
Термодинаміка та кристалохімія
атомних дефектів
у кристалах і плівках PbTe, PbSe,
легованих Tl, In.
01.04.18 – фізика і хімія поверхні
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Івано-Франківськ – 2002


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики Івано-Франківського національного технічного університету нафти і газу Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник: заслужений працівник освіти України,
кандидат фізико-математичних наук, професор
Галущак Мар’ян Олексійович
директор Інституту фундаментальних дисциплін, професор кафедри фізики Івано-Франківського національного технічного університету нафти і газу Міністерства освіти і науки України,
м. Івано-Франківськ.
Офіційні опоненти: заслужений діяч науки і техніки України,
доктор фізико-математичних наук, професор
Раренко Іларій Михайлович,
завідувач кафедри напівпровідникової мікроелектроніки
Чернівецького національного університету
імені Юрія Федьковича
Міністерства освіти і науки України,
м. Чернівці
доктор фізико-математичних наук, професор
Заячук Дмитро Михайлович,
професор кафедри напівпровідникової електроніки Національного університету “Львівська політехніка” Міністерства освіти і науки України,
м. Львів
Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників НАН України
м. Київ
Захист дисертації відбудеться “6” грудня 2002 року о 1200 годині
на засіданні спеціалізованої вченої ради К .051.03 при Прикарпатському університеті імені Василя Стефаника за адресою: 76000, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, , ауд. (зал засідань). З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Прикарпатського університету (76000, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, ).
Автореферат розісланий “6” листопада 2002 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради В. М. Кланічка


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Халькогеніди свинцю є базовими матеріалами для створення термоелектричних перетворювачів енергії, фотоприймальних пристроїв, а також випромінювальних структур інфрачервоного діапазону оптичного спектру [1, 2].
Дефекти атомної кристалічної структури як власних, так і легованих напівпровідників у значній мірі визначають їх фізичні властивості [3, 4]. Тому дослідження фізики, хімії та інженерії атомних дефектів залишаються актуальними проблемами матеріалознавства. Домішки елементів ІІІ групи Періодичної таблиці у напівпровідникових сполуках AIVBVI по різному впливають на енергетичний спектр електронів. Спільною особливістю є стабілізація (піннінг) хімічного потенціалу на домішкових рівнях. Так, талій у халькогенідах свинцю утворює резонансні стани всередині валентної зони і являється акцептором [5]. Індій створює різні стани у зоні провідності поблизу її краю і виявляє донорну дію [4]. При цьому виявилося, що введення електрично активних елементів веде до збільшення розчинності власних дефектів кристалічної гратки, які компенсують легуючу дію домішки – явище самокомпенсації [5].
При дослідженні дефектної підсистеми у напівпровідникових сполуках AIVBVI використовують як термодинамічні підходи, які грунтуються на мінімізації вільної енергії Гіббса [5], так і квазіхімічний аналіз на основі закону діючих мас [6, 7]. Не дивлячись на багаточисельні публікації із відмічених питань, ще до цих пір залишаються нез’ясованими механізми утворення дефектів, не визначені їх константи рівноваги та ентальпії для випадку легованих матеріалів. Наукова сторона питання потребує належної систематизації експериментальних результатів та їх теоретичного обгрунтування.
Для нових областей сучасної електронної техніки актуальною залишається тонкоплівкова реалізація властивостей матеріалу [8]. Успішне розв’язання практичних задач залежить від стану комплексних досліджень, які визначають взаємозв’язок між умовами їх вирощування, атомними дефектами та фізико-хімічними властивостями.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: Термодинаміка та кристалохімія атомних дефектів у кристалах і плівках PbTe, PbSe, легованих Tl, In.

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок