Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВнутрІшнІй фотоефект в контактІ метал-напІвпровІдник з мІкрорельЄфною межею подІлу

ВнутрІшнІй фотоефект в контактІ метал-напІвпровІдник з мІкрорельЄфною межею подІлу

Назва:
ВнутрІшнІй фотоефект в контактІ метал-напІвпровІдник з мІкрорельЄфною межею подІлу
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,42 KB
Завантажень:
296
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НацІональна АкадемІЯ Наук УкраЇни
Інститут ФІзики НапІвпровІдникІв
МамикІн СергІй ВасильовиЧ
УДК 621.375.8,
621.315.592
ВнутрІшнІй фотоефект в контактІ метал-напІвпровІдник з мІкрорельЄфною межею подІлу
01.04.01- фізика приладів, елементів і систем
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико - математичних наук
Київ-2000


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників
Національної Академії Наук України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Дмитрук Микола Леонтійович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідувач відділом
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Пасічник Юрій Архипович
Національний Педагогічний Університет
ім. М. Драгоманова
професор кафедри загальної фізики;
доктор фізико-математичних наук, професор
Ширшов Юрій Михайлович
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідувач відділом.
Провідна установа: Радіофізичний факультет Київського Національного Університету ім. Тараса Шевченка.
Захист відбудеться “20” жовтня 2000 р. о 1530 год.
на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01
в Інституті фізики напівпровідників НАН України,
за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ-28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий “19” вересня 2000 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Поверхнево-бар'єрні структури типу діодів Шоткі широко використовуються як для визначення приповерхневих та об'ємних параметрів напівпровідників, так і для створення на їх основі приладів радіоелектроніки, фотоприймачів, сонячних елементів, високочутливих сенсорів різних речовин. Мікропрофілювання поверхні таких приладів є поширеним технологічним процесом, оскільки воно дозволяє підвищити чутливість фотодетекторів та коефіцієнт корисної дії сонячних елементів за рахунок зменшення оптичних втрат. Спеціальний тип мікрорельєфу дозволяє перевести такі кількісні зміни в якісно нові, коли з'являється анізотропія в оптичних та фотоелектричних характеристиках таких структур, на основі яких стає можливим створення нових приладів функціональної електроніки, сенсорів різних типів та призначення. Таке широке застосування мікропрофілювання потребує глибокого вивчення впливу різних типів мікрорельєфу з відомими геометрично-статистичними параметрами на оптичні, фотоелектричні та електрофізичні характеристики виготовлених на їх основі структур. Залишаються маловивченими оптичні параметри шаруватих мікрорельєфних меж поділу у видимій та ближній ІЧ області спектру, зокрема пропускання світла в фотоактивну область приладу.
Особливо цікавим є збудження поверхневих електромагнітних хвиль - поверхневих поляритонів (ПП) в таких шаруватих системах, та вивчення їх впливу на характеристики приладу, а також застосування цього резонансного високочутливого явища в сенсорах та фотодетекторах. Зокрема перспективним є застосування ПП в приладах вакуумної мікроелектроніки на основі мікрорельєфних поверхонь для збільшення виходу фотоеміссії, що також потребує додаткового вивчення. Також є необхідним з'ясування особливостей поєднання мікропрофілювання з різними пасивуючими обробками поверхні, зокрема сульфідним пасивуванням. Притаманне мікрорельєфним поверхням значне підсилення електричного поля на нерівностях призводить не тільки до зміни механізму струмопроходження, але й до зміни зонних енергетичних характеристик напівпровідника, зокрема, внаслідок ефекту Франца-Келдиша виникає модуляція коефіцієнта поглинання світла, що впливає на фотоелектричні характеристики структури і потребує додаткового дослідження.
Як базові напівпровідники для виготовлення діодів Шоткі з мікрорельєфною поверхнею, використовувались GaAs та InP - перспективні сполуки типу А3В5 з добре вивченими характеристиками, що широко використовуються в НВЧ техніці, мікро- і оптоелектроніці та сенсорній техніці.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ВнутрІшнІй фотоефект в контактІ метал-напІвпровІдник з мІкрорельЄфною межею подІлу

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок