Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Модифікація властивостей бар’єрних структур метал-халькогенідний напівпровідник імпульсним лазерним опроміненням

Модифікація властивостей бар’єрних структур метал-халькогенідний напівпровідник імпульсним лазерним опроміненням

Назва:
Модифікація властивостей бар’єрних структур метал-халькогенідний напівпровідник імпульсним лазерним опроміненням
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,84 KB
Завантажень:
87
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича
Воробець Олександр Іванович
УДК 621.382.2: 537.312.5
Модифікація властивостей бар’єрних структур
метал-халькогенідний напівпровідник
імпульсним лазерним опроміненням
(01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків)
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України
 
Науковий керівник:
Офіційні опоненти: |
доктор фізико-математичних наук, професор
Горлей Петро Миколайович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри електроніки і енергетики
доктор фізико-математичних наук, професор,
Лашкарьов Георгій Вадимович, Інститут проблем матеріалознавства імені І.М.Францевича НАН України, завідувач відділу матеріалів функціональної електроніки та кріогенних досліджень
доктор фізико-математичних наук, професор,
Маслюк Володимир Трохимович, Інститут електронної фізики НАН України, завідувач відділу фотоядерних процесів
Захист відбудеться „ 28 ” грудня 2007 р. о 1500 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (58012, м. Чернівці, вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розіслано „ 27 ” листопада 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.
Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Пошук нових методів, у тому числі із застосуванням імпульсного лазерного опромінювання (ІЛО), створення бар’єрних структур, які є основою напівпровідникових приладів фотоелектроніки та пристроїв первинного перетворення сигналів у системах автоматичного керування, на даний час викликає значний інтерес у фундаментальному та прикладному аспектах.
Серед найбільш перспективних матеріалів, що використовуються для давачів високоенергетичного випромінювання, оптичних фільтрів, детекто-рів поляризованого випромінювання, є халькогенідні напівпровідники типу А2В6, А3В6, А4В6 (зокрема CdTe, CdTe:Cl, CdTe:As, In4Se3, PbTe, а також деякі їх тверді розчини – CdZnTe, PbSnTe). На даний час застосовують різні методи створення сплавних, точкових та інших контактів до даних напівпровідників з випрямними та омічними властивостями. Методика формування p-n-переходів шляхом лазерної рекристалізації поверхневих шарів халькогенідних сполук застосовується вже протягом кількох десятиліть. Однак використовувані значні потужності випромінювання не завжди забезпечують необхідну величину та стабільність електрофізичних параметрів створюваних детекторів сигналів. У першу чергу це зумовлено суттєвим порушенням термодинамічної рівноваги опромінюваної системи аж до випаровування її компонент, і відповідно, до різкої зміни електронних властивостей використовуваних напівпровідникових матеріалів. Тому важливою постає проблема вияснення особливостей впливу малопотужного ІЛО на фізичні процеси та електрофізичні параметри бар’єрних структур метал – халькогенідний напівпровідник типу А2В6, А3В6, А4В6. При цьому одним з актуальних є питання встановлення оптимальних режимів опромінення зазначених структур, при яких фізико-хімічні перетворення на границі розділу метал-напівпровідник відбуваються у твердій фазі, що може забезпечити більш довготривалу стабільність і надійність роботи створених на їх основі електронних приладів.
На початку виконання даної роботи практично були відсутні відомості про застосування малопотужного ІЛО для корекції електрофізичних параметрів і механізмів протікання струму в досліджуваних бар’єрних структурах. Невідомими залишалися моделі фізичних механізмів реструктуризації приконтактних шарів структури під дією малопотужного ІЛО.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: Модифікація властивостей бар’єрних структур метал-халькогенідний напівпровідник імпульсним лазерним опроміненням

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок