Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Вплив електронного опромінення на властивості нанокристалічного кремнію

Вплив електронного опромінення на властивості нанокристалічного кремнію

Назва:
Вплив електронного опромінення на властивості нанокристалічного кремнію
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,45 KB
Завантажень:
257
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Національний Науковий Центр
“Харківський фізико-технічний інститут
Астахов Олександр Михайлович
УДК 537.533.7/538.915
Вплив електронного опромінення на властивості нанокристалічного кремнію
01.04.21 “радіаційна фізика і ядерна безпека”
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Національному Науковому Центрі Харківський фізико-технічний інститут
Науковий керівник:
Академік НАНУ
Доктор фізико-математичних наук
Неклюдов Іван Матвійович
Генеральний директор ННЦ ХФТІ
Офіційні опоненти:
Оболенський Михайло Олександрович
Доктор фізико-математичних наук,
Професор, завідуючий кафедрою фізики низьких температур
Харківського Національного Університету ім. В. Н. Каразіна.
Бакай Олександр Степанович
Доктор фізико-математичних наук,
Член-кореспондент НАНУ,
Професор, начальник відділу ННЦ ХФТІ
Захист відбудеться “ 16 ” жовтня 2007 року о 16 00 годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради Д 64.845.01 при Національному Науковому Центрі “Харківський фізико-технічний інститут” НАН України (61108, м. Харків, вул. Академічна, 1).
Автореферат розісланий 13 вересня 2007 року
Вчений секретар
cпеціалізованої вченої ради М.І. Айзацький


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність дослідження. Значний прогрес у комерційному виробництві пристроїв на основі тонкоплівкового кремнію був забезпечений великим обсягом експериментальних і теоретичних досліджень структури і електронних властивостей плівок аморфного мікрокристалічного і нанокристалічного кремнію. Проте існує велика потреба в дослідженні фундаментальних і технологічних властивостей матеріалу для оптимізації і покращення характеристик вже розроблених пристроїв, а також прискорення перспективних впроваджень. Одним з ключових в цьому напрямку є питання впливу дефектів на електронний транспорт у матеріалі. З одного боку, така інформація необхідна для розробки більш стабільних приладів, що мають працювати в умовах іонізуючих випромінювань (такі як датчики корпускулярного випромінювання), або в умовах інтенсивного опромінення оптичними фотонами (як сонячні модулі). З іншого боку, для комерційного застосування економічна ефективність виробництва відіграє ключову роль. Тому збільшення швидкості осадження шарів кремнію при виготовленні пристроїв є важливим економічним фактором, що дозволить створювати конкурентноздатний продукт. У свою чергу швидкість осадження шарів кремнію критично пов’язана зі щільністю дефектів у матеріалі. Тому оптимізація процесу осадження окремих шарів та процесу виробництва пристроїв залежить від розуміння ролі дефектів у електронних властивостях тонкоплівкового кремнію, що обумовлює актуальність таких досліджень.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дисертаційна робота виконана в Національному Науковому Центрі “Харківський фізико-технічний інститут” у рамках Програми: Відомче замовлення НАН України на проведення наукових досліджень з атомної науки і техніки Національного Наукового Цнтру „Харківський фізико-технічний інститут”, тема: “Фундаментальні дослідження структури, електронних, магнітних і пружних властивостей металевих, оксидних і напівпровідних матеріалів із особливими фізичними характеристиками, що необхідні для створення нових приладів і систем ядерної фізики, атомної і термоядерної енергетики та інших галузей сучасної техніки” (реєстраційний номер III-1-06 (ІФТТМТ).
Мета дослідження – вивчення дефектів і встановлення їх впливу на електронний транспорт у нанокристалічному кремнії, що його було опромінено 2 МеВ електронами.
Завдання досліджень:
Дослідження природи (ідентифікація) дефектів у нанокристалічному кремнії, шляхом зміни щільності дефектів за допомогою електронного опромінення та відпалу.
Порівняння властивостей дефектів у нанокристалічному кремнії, що має різний вміст кристалічної фази.
Визначення ролі дефектів у електронних властивостях нанокристалічного кремнію, що має різний вміст кристалічної фази.
Об'єкт дослідження – плівки нанокристалічного гідрогенованого кремнію, що має різний вміст кристалічної фази, як без домішок, так і з різними концентраціями донорних домішок.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: Вплив електронного опромінення на властивості нанокристалічного кремнію

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок