Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> СТРУКТУРА ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКОПЛІВКОВИХ ДИФУЗІЙНИХ БАР’ЄРІВ W-Ti-N ТА Ta-Si-N НА ПІДКЛАДКАХ АРСЕНІДУ ТА НІТРИДУ ГАЛІЮ

СТРУКТУРА ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКОПЛІВКОВИХ ДИФУЗІЙНИХ БАР’ЄРІВ W-Ti-N ТА Ta-Si-N НА ПІДКЛАДКАХ АРСЕНІДУ ТА НІТРИДУ ГАЛІЮ

Назва:
СТРУКТУРА ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКОПЛІВКОВИХ ДИФУЗІЙНИХ БАР’ЄРІВ W-Ti-N ТА Ta-Si-N НА ПІДКЛАДКАХ АРСЕНІДУ ТА НІТРИДУ ГАЛІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,57 KB
Завантажень:
127
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
Кучук Андріан Володимирович
УДК: 539.213; 539.23+621.793.79; 539.26
СТРУКТУРА ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ
ТОНКОПЛІВКОВИХ ДИФУЗІЙНИХ БАР’ЄРІВ W-Ti-N ТА Ta-Si-N
НА ПІДКЛАДКАХ АРСЕНІДУ ТА НІТРИДУ ГАЛІЮ
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2006
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник,
Кладько Василь Петрович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ), завідувач відділом
Офіційні опоненти: |
доктор фізико-математичних наук, професор,
Григор’єв Олег Миколайович,
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М.Францевича НАН України (м. Київ), завідувач відділом
доктор фізико-математичних наук, професор,
Клюй Микола Іванович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ), провідний науковий співробітник
Провідна установа: |
Національний технічний університет „ХПІ”
МОН України (м. Харків)
кафедра фізики металів і напівпровідників
Захист відбудеться ” 19 ” травня 2006 р. о 1415 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, м. Київ, пр. Науки, 45.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ, пр. Науки, 45).
Автореферат розісланий ” ” квітня 2006 р.
Вчений секретар
Спеціалізованої вченої ради К 26.199.01
кандидат фізико-математичних наук О.Б. Охріменко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми.
В напівпровідниковому приладобудуванні була і залишається актуальною проблема підвищення стабільності приладів для високо – температурної, – потужної, – частотної електроніки. Ріст потреб в останні роки в таких приладах, пов’язаний в першу чергу з бурхливим розвитком таких галузей науки і техніки, як: енергетика, авіаційно-космічний, автомобільний, індустріально-промисловий комплекси, тощо. Збільшення екологічних й економічних вимог до них, прагнення підвищити корисну дію та знизити собівартість, призвели до пошуку нових матеріалів, перспективних для створення приладів на їх основі, які здатні працювати в екстремальних умовах.
Донедавна основним матеріалом високопотужної електроніки був кремній, але використання напівпровідників з більшою шириною забороненої зони (вища робоча температура) та напругою пробою (більша робоча напруга), великим значенням рухливості носіїв заряду (більші робочі струми і частоти) та кращою теплопровідністю (вища густина потужності), дозволяють підвищити поріг стабільності напівпровідникових приладів. Такими напівпровідниками є GaAs, з найбільш розвинутою технологією після Si, а також нові перспективні напівпровідникові сполуки, технологія яких швидко розвивається: широко-зонні напівпровідники на основі GaN, SiC та алмазу.
Разом з тим, аналіз літератури свідчить про те, що незалежно від прогресу в технології виготовлення цих напівпровідників, обмеженість застосування їх унікальних можливостей пов’язана в першу чергу з відсутністю матеріалів для контактної металізації, яка б характеризувалася надійністю та часовою стабільністю роботи під час експлуатації приладів на їх основі. Одна з основних причин деградації приладів на основі контакту метал-напівпровідник, який може бути основним (бар’єр Шотткі) чи другорядним (омічний контакт) елементом приладу, є взаємодифузія контактуючих матеріалів. Тому, впровадження проміжного шару (дифузійного бар'єра – ДБ) в системах контактної металізації напівпровідників, сприяє підвищенню ефективності роботи приладів на їх основі.
Дифузійні бар’єри на основі чистих тугоплавких металів та їх бінарних сполук (нітриди, силіциди, оксиди, бориди), маючи полікристалічну структуру, по границях зерен якої відбувається низькотемпературна взаємодифузія контактуючих матеріалів, неефективно використовувати в приладах екстремальної електроніки.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: СТРУКТУРА ТА ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКОПЛІВКОВИХ ДИФУЗІЙНИХ БАР’ЄРІВ W-Ti-N ТА Ta-Si-N НА ПІДКЛАДКАХ АРСЕНІДУ ТА НІТРИДУ ГАЛІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок