Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ПРУЖНИХ ДЕФОРМАЦІЙ У епітаксійному ГЕТЕРОПЕРЕХОДі Sі-Gе З КВАНТОВИМИ точками Gе НА ЕФЕКТ РОЗМІРНОГО КВАНТУВАННЯ

ВПЛИВ ПРУЖНИХ ДЕФОРМАЦІЙ У епітаксійному ГЕТЕРОПЕРЕХОДі Sі-Gе З КВАНТОВИМИ точками Gе НА ЕФЕКТ РОЗМІРНОГО КВАНТУВАННЯ

Назва:
ВПЛИВ ПРУЖНИХ ДЕФОРМАЦІЙ У епітаксійному ГЕТЕРОПЕРЕХОДі Sі-Gе З КВАНТОВИМИ точками Gе НА ЕФЕКТ РОЗМІРНОГО КВАНТУВАННЯ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,43 KB
Завантажень:
13
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
ВПЛИВ ПРУЖНИХ ДЕФОРМАЦІЙ У ЕПІТАКСІЙНОМУ ГЕТЕРОПЕРЕХОДІ SI-GE З КВАНТОВ
ИМИ ТОЧКАМИ GE НА ЕФЕКТ РОЗМІРНОГО КВАНТУВАННЯ


НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ХІМІЇ ПОВЕРХНІ
Рубежанська Марія Юріївна
УДК 536:669
ВПЛИВ ПРУЖНИХ ДЕФОРМАЦІЙ У епітаксійному ГЕТЕРОПЕРЕХОДі Sі-Gе З КВАНТОВИМИ точками Gе
НА ЕФЕКТ РОЗМІРНОГО КВАНТУВАННЯ
01.04.18 – фізика і хімія поверхні
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2005
Дисертацією є рукопис.
Роботу виконано в Інституті хімії поверхні НАН України.
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук
Козирев Юрій Миколайович,
Інститут хімії поверхні НАН України,
провідний науковий співробітник.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук
Розенбаум Віктор Михайлович,
Інститут хімії поверхні НАН України,
провідний науковий співробітник;
доктор фізико-математичних наук, професор
Куницький Юрій Анатолійович,
Технічний центр НАН України,
завідувач відділу фізики наноструктурних матеріалів.
Провідна установа: Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
НАН України.
Захист відбудеться “14” квітня 2005 р. о 14 годині на
засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.210.01 в Інституті хімії поверхні НАН України за адресою:
03164, Київ 164, вул. Генерала Наумова, 17.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту хімії поверхні НАН України
(03164, Київ 164, вул. Генерала Наумова, 17).
Автореферат розіслано “11” березня 2005 року
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Приходько Г.П.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність проблеми. Розвиток фізики низькорозмірних систем і нанотехнології відкрив можливості створення засобами “зонної інженерії” структур нанометрового масштабу (надґраток, квантових ям, квантових дротів і квантових точок), у яких проявляються ефекти розмірного квантування. У квантових точках реалізується граничний випадок розмірного квантування, коли носії заряду обмежені у просторі в усіх трьох вимірах і модифікація електронних властивостей матеріалу найбільш виражена. Електронний спектр ідеальної квантової точки (КТ) являє собою набір дискретних рівнів і подібний електронному спектру ізольованого атома. Просторове обмеження носіїв заряду в таких структурах призводить до появи додаткових енергетичних рівнів, відсутніх в об'ємних фазах матеріалів, що проявляються в їхніх електронних властивостях. Крім того, пружні напруження, що виникають у гетеропереходах з розузгодженням за постійними ґратки, можуть додатково трансформувати зонну структуру й електронний спектр. Незрозумілим на сьогоднішній день залишається питання як саме напруження впливають на ефекти розмірного квантування в таких системах і чи існує можливість їх контролювати. Тому дослідження в цій галузі є актуальними.
Зв'язок з науковими програмами, планами, темами.
Дисертаційну роботу виконано в рамках бюджетних тем Інституту хімії поверхні НАН України: “Хімічна фізика поверхні розподілу нанорозмірних гетерогенних кластерно-зібраних систем” (№ держ. реєстрації 0199U002300); “Синтез, модифікування, фізико-хімічні дослідження систем пониженої розмірності та композитів на їх основі” (№ держ. реєстрації 0102U000875); “Нанохімічні процеси одержання дисперсних матеріалів і композитів на їх основі” (№ держ. реєстрації 0103U000876); “Супрамолекулярна хімія на межі розподілу фаз” (№ держ. реєстрації 0103U006289).
Мета роботи полягає у дослідженні явищ на поверхні епітаксійних гетеросистем з суттєвою різницею постійних ґратки та визначенні впливу пружних напружень, що виникають в острівцевій плівці, на характер росту та розмірні параметри КТ Ge на підкладинах Si(100) та Si(111).
Задачі дослідження:
1. Розробка та одержання гетероепітаксійних систем із квантовими точками Ge на підкладинах Si (100) і (111) з різними геометричними параметрами і щільністю розподілу по поверхні підкладини методом молекулярно-променевої епітаксії.
2. Дослідження особливостей структури твердого розчину Si1-xGex для 0х1.
3. Дослідження впливу пружних напружень на розмірне квантування в таких системах.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ВПЛИВ ПРУЖНИХ ДЕФОРМАЦІЙ У епітаксійному ГЕТЕРОПЕРЕХОДі Sі-Gе З КВАНТОВИМИ точками Gе НА ЕФЕКТ РОЗМІРНОГО КВАНТУВАННЯ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок