Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ГРАДІЄНТНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ СКЛОПОДІБНОГО As2S3

ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ГРАДІЄНТНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ СКЛОПОДІБНОГО As2S3

Назва:
ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ГРАДІЄНТНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ СКЛОПОДІБНОГО As2S3
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,10 KB
Завантажень:
429
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ

Шовак Іван Іванович
УДК 621.315.592;577.23
ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ГРАДІЄНТНИХ
СТРУКТУР НА ОСНОВІ СКЛОПОДІБНОГО As2S3
Спеціальність: 01. 04. 10- фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Ужгород-2001
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі твердотільної електроніки і в Науково-
дослідному інституті фізики і хімії твердого тіла Ужгородського
національного університету.
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук,
доцент Миголинець Іван Михайлович,
доцент кафедри твердотільної електроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, с.н.с.
Маслюк Володимир Трохимович, завідувач
відділу фотоядерних досліджень Інституту
електронної фізики НАН України
 
кандидат фізико-математичних наук, с.н.с.
Стронський Олександр Володимирович, старший
науковий співробітник Інституту фізики
напівпровідників НАН України
Провідна організація: Львівський національний університет ім. І.Франка,
каф. фізики напівпровідників.

Захист відбудеться 22 березня 2001 р. о_14 год на засіданні
спеціалізованої вченої ради К61.051.01при УжНУ за адресою: 88000
Ужгород, вул. Волошина, 54, ауд. 181. .
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Ужгородського
національного університету (м.Ужгород, вул. Капітульна, 10)
Автореферат розісланий 22 лютого 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Блецкан Д.І.
Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. У наш час не зникає зацікавленість дослідників до аморфних напівпровідників, плівки з яких вже знайшли широке практичне застосування в опто- та мікроелектроніці: захисні шари, просвітлюючі і відбиваючі дзеркальні покриття, розгалуджувачі променів, радіаційні детектори, підсилювачі світла й перетворювачі сонячної енергії, пасивні та активні елементи, надпровідні тонкоплівкові структури. Використовуються тонкі плівки і для одержання інформації про загальні властивості твердих тіл, оскільки певні вимірювання зручніше виконувати саме на них, та розмірних ефектів, що проявляються у тонкоплівкових структурах і не мають місця у масивних зразках.
Нові прилади для вимірювання швидкості осадження компонент у процесі напилення, встановлення складу пари, нові випаровувачі, часто з автоматичним керуванням, дали змогу розробити нові технології одержання тонких плівок та функціональних структур на їх основі.
Важливою вимогою до тонкоплівкових структур є відтворюваність їх властивостей для різних технологічних партій. У структурах на основі масивних об’єктів або товстих шарів ефекти, повязані із взаємодифузією та хімічною взаємодією атомів на гетероконтактах з характерними товщинами 100 , як правило, можна не брати до уваги. У випадку розмірних тонкоплівкових структур роль інтердифузії та хімічних реакцій є дуже значною.
Особливий інтерес представляють розробки нового класу світлочутливих неорганічних середовищ, в основі яких лежить виявлене М.Т. Костишиним з співробітниками в Інституті фізики напівпровідників НАН України явище ”фотографічної чутливості системи тонких шарів напівпровідника і металу”. Суть явища полягає в тому, що при опроміненні контакту деяких металів і халькогенідного склоподібного напівпровідника (ХСН) (для цього один або обидва шари повинні бути достатньо тонкими) у місцях засвітки спостерігається фотостимульоване перенесення металу в шар напівпровідника, створення проміжкового шару з високою концентрацією металу. Проміжковий шар характеризується властивостями, які суттєво відрізняються від властивостей вихідних компонентів, що є основою створення реєструючих середовищ.
На основі виявленого ефекту створено структури з високою роздільною здатністю. Вони перспективні для використання в якості неорганічних резистів у електронній техніці, як середовища для голографічного запису інформації, в оптоелектроніці, тощо. Важливим результатом цих досліджень є спостереження електрорушійної сили (е.р.с.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ТА ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ГРАДІЄНТНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ СКЛОПОДІБНОГО As2S3

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок