Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВИСОКОВОЛЬТНІ ДЖЕРЕЛА ЖИВЛЕННЯ ФІЗИКО-АНАЛІТИЧНОГО ОБЛАДНАННЯ

ВИСОКОВОЛЬТНІ ДЖЕРЕЛА ЖИВЛЕННЯ ФІЗИКО-АНАЛІТИЧНОГО ОБЛАДНАННЯ

Назва:
ВИСОКОВОЛЬТНІ ДЖЕРЕЛА ЖИВЛЕННЯ ФІЗИКО-АНАЛІТИЧНОГО ОБЛАДНАННЯ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,50 KB
Завантажень:
241
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
національний технічний університет україни
“київський політехнічний інститут”
УДК 621.314.58
 
 
СЕНЬКО ЛАРИСА ІВАНІВНА
ВИСОКОВОЛЬТНІ ДЖЕРЕЛА ЖИВЛЕННЯ ФІЗИКО-АНАЛІТИЧНОГО ОБЛАДНАННЯ
Спеціальність: 05.09.12 – Напівпровідникові перетворювачі електроенергії
А в т о р е ф е р а т
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ – 2000


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі теоретичної електротехніки Національного технічного університету України “Київський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України, м. Київ.
Науковий керівник – доктор технічних наук, професор
Яндульський О. С., Національний технічний університет
України “Київський політехнічний Інститут” (м. Київ),
завідувач кафедрою автоматизації енергосистем,
декан факультету.
Офіційні опоненти – доктор технічних наук,
професор Денисов О. І., Чернігівський державний
технологічний університет (м. Чернігів), ректор.–
кандидат технічних наук, доцент
Афанасьєв Павло Валентинович,
Київський інститут зв’язку Української державної
академії зв’язку ім. О. С. Попова (м. Київ),
завідувач кафедрою
Провідна установа – Інститут електродинаміки НАН України (м. Київ), відділи транзисторних перетворювачів і електроживильних технологічних систем
Захист відбудеться “ 26 ” грудня 2000р. о 15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.002.06 в Національному технічному університеті України “Київський політехнічний інститут” за адресою: 03056, Київ-56, пр. Перемоги, 37, тел.241-76-62.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці НТУУ “КПІ”.
Автореферат розісланий “ 21 ” листопада 2000р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Б.М.Кондра
Загальна характеристика роботи
 
Актуальність теми. Найважливіші напрямки розвитку сучасної напівпровідникової електроніки, однієї з визначальних науково-технічний прогрес галузей, зв'язані з зменшенням розмірів приладів (з підвищенням ступеня інтеграції), з поліпшенням їх параметрів і характеристик, з збільшенням їх надійності і довговічності, з збільшенням відсотка виходу придатних виробів. Водночас іде процес наукового пошуку нових напівпровідникових матеріалів, використання нових фізичних принципів, що дозволять освоїти більш високі частотні діапазони, істотно підвищити швидкодію приладів і т. д.
Успіхи у виробництві напівпровідникових приладів в значній мірі визначаються як технологічними можливостями процесів, що використовуються, так і оснащеністю технологічного процесу фізико-аналітичним обладнанням (ФАО) контролю робочого середовища і властивостей напівпровідникових структур.
Сучасні прилади дослідження і контролю поверхні являють собою складні насичені електронікою автоматизовані комплекси, головною складовою частиною яких є джерела живлення електродів електронних і іонних зондів і датчиків. Від якості вихідних напруг цих джерел залежить реалізація граничних точностних можливостей фізико-аналітичної частини комплексу. Особлива відповідальність покладається на якість високих напруг живлення електродів електронних і іонних гармат, різноманітних оптичних систем елементарних часток, вторинно-електронних і фотоелектронних помножувачів. Для отримання просторового розділення, відповідного часткам мікрона, і точності реєстрації порядку одиниць, а в деяких випадках і часток відсотка, величина нестабільності живильних напруг повинна бути менше (короткочасна нестабільність при цьому вимагається як мінімум на порядок вище), пульсації не повинні перевищувати декількох десятків, а інколи і одиниць мВ. Для забезпечення дослідження структур різноманітних речовин в оптимальних режимах вимагається широкодіапазонна перебудова величини вихідної напруги джерел живлення.
Типовими режимами роботи високовольтних джерел, навантажених на електронні і іонні гармати, є режим роботи при пробоях в колах навантаження, що може мати місце при розпилювальных процесах у випадках падіння вакууму, і інші аварійні режими, що достатньо часто зустрічаються при ручному керуванні складними технологічними системами.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ВИСОКОВОЛЬТНІ ДЖЕРЕЛА ЖИВЛЕННЯ ФІЗИКО-АНАЛІТИЧНОГО ОБЛАДНАННЯ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок