Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНІ ЕФЕКТИ У КРИСТАЛАХ ЗІ СТРУКТУРНИМИ НЕОДНОРІДНОСТЯМИ ТА У НАПРУЖЕНИХ ГЕТЕРОСИСТЕМАХ

ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНІ ЕФЕКТИ У КРИСТАЛАХ ЗІ СТРУКТУРНИМИ НЕОДНОРІДНОСТЯМИ ТА У НАПРУЖЕНИХ ГЕТЕРОСИСТЕМАХ

Назва:
ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНІ ЕФЕКТИ У КРИСТАЛАХ ЗІ СТРУКТУРНИМИ НЕОДНОРІДНОСТЯМИ ТА У НАПРУЖЕНИХ ГЕТЕРОСИСТЕМАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,00 KB
Завантажень:
15
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
ЛЬВІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ім. ІВАНА ФРАНКА
ПЕЛЕЩАК Роман Михайлович
УДК /537.226+537.311/.01
ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНІ ЕФЕКТИ У КРИСТАЛАХ
ЗІ СТРУКТУРНИМИ НЕОДНОРІДНОСТЯМИ
ТА У НАПРУЖЕНИХ ГЕТЕРОСИСТЕМАХ
01.04.10 – Фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Львів – 2001
Дисертацією є рукопис
Робота виконана у Національному університеті "Львівська політехніка" Міністерства освіти і науки України
Науковий консультант доктор фізико-математичних наук, професор Лукіянець Богдан Антонович, Національний університет "Львівська політехніка" професор кафедри фізики
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, член-кор. НАН України, професор Блонський Іван Васильович, заступник директора Інституту фізики НАН України
доктор фізико-математичних наук, професор Ткач Микола Васильович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, проректор, завідувач кафедри теоретичної фізики
доктор фізико-математичних наук, професор Дідух Леонід Дмитрович, Тернопільський державний технічний університет імені Івана Пулюя, завідувач кафедри фізики
Провідна установа – Інститут фізики напівпровідників НАН України, м.Київ, відділення фізики поверхні та мікроелектроніки.
Захист відбудеться “13” червня 2001року. о 15на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.051.09 при Львівському національному університеті ім. Івана Франка за адресою: 79005, м.Львів, вул.Драгоманова, 50, ауд.№1.
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Львівського національного університету ім. Івана Франка за адресою: 79005, м. Львів, вул. Драгоманова, 5.
Автореферат розісланий “8” травня 2001 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 35.051.09,
доктор фіз.-мат. наук, професор Блажиєвський Л.Ф.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Дослідження електрон-деформаційних ефектів у напівпровідникових кристалах зі структурними неоднорідностями (точкові, лінійні, плоскі дефекти, стінка дислокацій) та в напружених гетеросистемах є одним з актуальних напрямків сучасної фізики конденсованого стану. Розкриття механізму взаємозв'язку між електронною і деформовано-гратковою підсистемами є необхідним для побудови цілісної моделі електрон-деформаційних явищ в реальних напівпровідникових структурах та розробки рекомендацій для оптимізації робочих характеристик сучасних приладів електронної техніки – гетеролазерів, світлодіодів, різнофункціональних детекторів, тощо.
При цьому завдання теоретичних досліджень полягає у встановленні взаємозв'язку між електронною підсистемою і деформацією гратки та у самоузгодженому описі електрон-деформаційних ефектів.
Не дивлячись на значні досягнення в цій галузі (див., наприклад, [1-10]), є ряд задач, пов'язаних із взаємовпливом електронної і деформовано-граткової підсистем у реальних кристалах, які або не вивчалися зовсім, або розв'язувалися тільки для деяких спеціальних випадків. До числа нерозв'язаних задач слід віднести: встановлення ролі електрон-деформаційного механізму в дифузії імплантованих та інтеркальованих домішок; дослідження вияснення ролі електронної підсистеми в перенормуванні механічних напружень при нарощуванні епітаксійних шарів нанометрової товщини на підкладку з неспівпадаючою з плівкою постійною гратки та при так званих напружених надграток; вивчення впливу поверхнево-деформаційних ефектів на властивості контакту поверхнево-бар'єрних структур виду бар'єру Шотткі та ряд інших. Необхідність розв'язку цих та подібних задач є надзвичайно важливою для вдосконалення таких сучасних технологій, як іонна імплантація та інтеркаляція напівпровідникових матриць, фотости-мульована епітаксія тощо. Водночас з взаємовпливом електронної і деформовано-граткової підсистем пов'язана ціла низка яскравих фізичних явищ: фотостимульована дифузія домішкових компонентів у щільних напівпровідникових матрицях (наприклад, атомів Ag в As2S3 [11]), електронно-стимульована дифузія часток, наслідком якої є заліковування механічних поверхневих пошкоджень у лазерних діодах у процесі їх експлуатації [12], та інші.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОН-ДЕФОРМАЦІЙНІ ЕФЕКТИ У КРИСТАЛАХ ЗІ СТРУКТУРНИМИ НЕОДНОРІДНОСТЯМИ ТА У НАПРУЖЕНИХ ГЕТЕРОСИСТЕМАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок