Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Дослідження власних і домішкових дефектів у сегнетоелектричних матеріалах киснево-октаедричного типу

Дослідження власних і домішкових дефектів у сегнетоелектричних матеріалах киснево-октаедричного типу

Назва:
Дослідження власних і домішкових дефектів у сегнетоелектричних матеріалах киснево-октаедричного типу
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
30,00 KB
Завантажень:
206
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 
Національна академія наук України
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича
Биков Ігор Павлович
УДК 537.226: 539.143.4
Дослідження власних і домішкових дефектів
у сегнетоелектричних матеріалах
киснево-октаедричного типу
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ – 2004
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича Національної академії наук України
Науковий консультант: член.-кор. НАН України,
доктор фіз.-мат. наук, професор
Глинчук Майя Давидівна,
Інститут проблем матеріалознавства НАН України
завідувач відділу
Офіційні опоненти: член-кор. НАН України, доктор фіз.-мат. наук, професор
Стасюк Ігор Васильович,
Інститут фізики конденсованих систем НАН України
заступник директора, завідувач відділу
доктор фіз.-мат. наук,
Литовченко Анатолій Степанович,
Інститут геохімії, мінералогії і рудоутворення НАН України
завідувач відділу
доктор фіз.-мат. наук, професор
Кудзін Аркадій Юрійович,
Дніпропетровський національний університет
Міністерства освіти і науки України
професор, кафедра фізики твердого тіла
Провідна установа: Інститут монокристалів НАН України, Відділ фазових перетворень
Захист відбудеться 16.06. 2004 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.207.01 Інституту проблем матеріалознавства НАН України, 03680 м. Київ-142, вул. Кржижанівського, 3.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту проблем матеріалознавства НАН України, 03680 м. Київ-142, вул. Кржижанівського, 3.
Автореферат розісланий 14_травня____ 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Падерно Ю.Б.


Загальна характеристика роботи
Фізика сегнетоелектрики, яка почала свій розвиток в 1921 р. з відкриття І.Валашеком незвичайних властивостей сегнетової солі, в наш час являє собою один з розділів фізики твердого тіла, що найбільш інтенсивно розвивається. Багато актуальних питань даної області науки – кооперативні явища, динаміка та стійкість кристалічної гратки, ангармонізм коливань, фазові переходи, взаємодія фононної та електронної підсистем тощо, концентруються і переплітаються у проблемі сегнетоелектрики.
Сьогодні інтерес до вивчення сегнетоелектриків у всьому світі величезний. Це пов’язано як з інтенсивним розвитком фундаментальних досліджень, так і з практичним використанням сегнетоелектричних і споріднених з ними матеріалів у різних областях техніки. Фундаментальні дослідження стимулюються широким практичним використанням сегнето- і п’єзоелектричних матеріалів та постійно зростаючими перспективами їх подальших застосувань.
Можливість отримання комплексу корисних для практичних застосувань властивостей цих матеріалів пов’язана зазвичай з температурною областю в околі точки фазового переходу, де сприйнятливість максимальна, тож порівняно слабкі електричні поля (зовнішні або внутрішні, що утворюються дефектами) приводять до змін, які у звичайних матеріалах вдається одержати лише в екстремальних умовах – великих електричних полях, високих тисках і температурах.
До цього часу встановлені широкі конструкційні та функціональні можливості п’єзо–сегнетоелектричних матеріалів, розроблені основні принципи їх застосування у сьогоденні та перспективи їх використання найближчому майбутньому у п’єзотехніці, акустоелектроніці, квантовій електроніці, включаючи гібридну та інтегральну оптику, обчислювальній техніці та інше.
У зв’язку з особливою перспективністю використання п’єзо- і сегнетоелектричних матеріалів у всіх розвинених країнах світу велика увага приділяється дослідженням їх фізичних властивостей.
Найважливішим напрямком є вивчення впливу дефектів на фізичні властивості сегнето- та п’єзоелектричних матеріалів. Кількісний внесок в аномалії властивостей визначається типом дефектів, що робить задачу вивчення дефектної структури сегнето– п’єзоелектричних матеріалів особливо актуальною.
Найбільш інформативними методами дослідження дефектів у сегнето- і п’єзоелектричних матеріалах є методи радіоспектроскопії, зокрема, ЕПР, ПЕЯР, ЯМР.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 



Реферат на тему: Дослідження власних і домішкових дефектів у сегнетоелектричних матеріалах киснево-октаедричного типу

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок