Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОДЕРЖАННЯ І ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ КОМПОЗИЦІЙ, МОДИФІКОВАНИХ ІОННО-ПЛАЗМОВИМИ ОБРОБКАМИ

ОДЕРЖАННЯ І ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ КОМПОЗИЦІЙ, МОДИФІКОВАНИХ ІОННО-ПЛАЗМОВИМИ ОБРОБКАМИ

Назва:
ОДЕРЖАННЯ І ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ КОМПОЗИЦІЙ, МОДИФІКОВАНИХ ІОННО-ПЛАЗМОВИМИ ОБРОБКАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
23,02 KB
Завантажень:
389
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
ХЕРСОНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
Кравчина Віталій Вікторович
УДК 621.382.2
ОДЕРЖАННЯ І ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ КОМПОЗИЦІЙ, МОДИФІКОВАНИХ ІОННО-ПЛАЗМОВИМИ ОБРОБКАМИ
Спеціальність 05.27.06 –
технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Херсон 2004
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в ОКБ “ЕЛМІС”, ВО "Гамма" Міністерства
промислової політики України, м. Запоріжжя
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Горбань Олександр Миколайович,
Гуманітарний університет "Запорізький інститут
державного та муніципального управління"
завідувач кафедри програмування та
інформаційних технологій
Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор
Костенко Віталій Леонідович,
Одеський політехнічний університет
професор кафедри інформаційних систем
кандидат технічних наук
Тєтєрьвова Наталя Олексіївна,
ТОВ "Елемент - Перетворювач" провідний інженер
Провідна установа:
Харківський національний університет радіоелектроніки Міністерства освіти і науки України, кафедра мікроелектроніки, електронних приладів і пристроїв, м. Харків
Захист відбудеться 19 березня 2004 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 067.052.03 при Херсонському державному технічному університеті за адресою: 73008 м. Херсон, Бериславське шосе, 24, тел.(0552) 51-64-68
З дисертацією можна ознайомитись у науково-технічній бібліотеці Херсонського державного технічного університету за адресою: 73008 м. Херсон, Бериславське шосе, 24
Автореферат розісланий “ 17” лютого 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої Вченої ради Фролов О.М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Розвиток мікроелектроніки пов'язаний з розробкою нових видів іонних та плазмових обробок, які забезпечують підвищення локальності та селективності, значно розширюючи технологічні і конструктивні можливості. Це вимагає ретельного вивчення фізичних явищ і процесів, що відбуваються та впливають на електрофізичні властивості і структуру напівпровідникових матеріалів, зокрема монокристалічного кремнію з плівками полікристалічного кремнію, оксиду і нітриду кремнію. Необхідні дослідження електрофізичних властивостей одержуваних напівпровідникових структур з метою оптимізації іонно-плазмових процесів і визначення структурних особливостей досліджуваних матеріалів.
Відомо про можливість поверхневого зміцнення фоторезистивних шарів шляхом їхньої модифікації при плазмових обробках. Об’ємна модифікація масок, яка дозволяє одержати плівки з новими фізичними властивостями, та розробка процесів осадження діелектричних плівок, які відрізняються такими характеристиками як локальність і селективність є цікавими, як з погляду фізики так і технології напівпровідників.
Пружні напруження, які деформують пластини кремнію, можуть виникати на багатьох операціях виготовлення інтегрованих мікросхем (ІМС), таких як окислення та осадження плівок, травлення кремнію, дифузія легуючих домішок, епітаксія та інших. А оскільки вплив механічних напружень на процеси травлення недостатньо вивчений, тому важливо і актуально дослідження даного явища. У багатьох випадках фізичні властивості одержуваних приладів залежать від форми бічної поверхні ямок, що утворюються під час травлення кремнію. Тому є актуальним розроблення класифікації фізичних процесів, що відбуваються при цьому. Усе вищезгадане дозволяє вважати актуальними дослідження електрофізичних властивостей та структури композицій з кремнію, плівок полікремнію (Si*), оксиду (SiO2) і нітриду (Si3N4) кремнію при іонно-плазмовому травленні та осадженні, та їх використанні при розробці технології та конструкції напівпровідникових приладів.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дисертаційна робота виконувалась в ОКБ “Елміс”, ВО “Гамма” в рамках дослідно-конструкторських робіт (ДКР): “Плазма-металл”, де дисертант розробив плазмо-хімічне травлення (ПХТ) плівок алюмінію та його сплавів при виготовленні багаторівневої металізації з кроком 4 мкм; в ДКР "Полоса" та "Прима" автор дослідив вплив бокової поверхні виступів кремнію на формування різних типів дефектів кристалів ІМС, які викликали їх забракування; в ДКР “Прерыватель 3”, “Пилон 10” дисертант розробив технологію вироблення напівпровідникових приладів із застосуванням іонно-плазмових обробок та методик контролю бокової дифузії, при розробці та виготовленні науково-дослідних робіт (НДР): “Елемент 1”, “Елемент 2” проводився контроль заряду МДН структур при розробці процесів іонно-плазмових обробок; в НДР “Поиск 8” дисертант за допомогою оптичної та електронної мікроскопії дослідив вплив плівок SiO2 і Si3N4 на кінетику травлення кремнію підкладок.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ОДЕРЖАННЯ І ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ КОМПОЗИЦІЙ, МОДИФІКОВАНИХ ІОННО-ПЛАЗМОВИМИ ОБРОБКАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок