Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПЕРЕМИКАННЯ В ТИРИСТОРНИХ СТРУКТУРАХ ПРИ ВИСОКОМУ РІВНІ ІНЖЕКЦІЇ І ДІЇ ЗОВНІШНІХ ЧИННИКІВ (СВІТЛО, МАГНІТНЕ ПОЛЕ, РАДІАЦІЯ)

ПЕРЕМИКАННЯ В ТИРИСТОРНИХ СТРУКТУРАХ ПРИ ВИСОКОМУ РІВНІ ІНЖЕКЦІЇ І ДІЇ ЗОВНІШНІХ ЧИННИКІВ (СВІТЛО, МАГНІТНЕ ПОЛЕ, РАДІАЦІЯ)

Назва:
ПЕРЕМИКАННЯ В ТИРИСТОРНИХ СТРУКТУРАХ ПРИ ВИСОКОМУ РІВНІ ІНЖЕКЦІЇ І ДІЇ ЗОВНІШНІХ ЧИННИКІВ (СВІТЛО, МАГНІТНЕ ПОЛЕ, РАДІАЦІЯ)
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,52 KB
Завантажень:
62
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
МАРКОЛЕНКО ПАВЛО ЮРІЙОВИЧ
УДК 621.382:53
ПЕРЕМИКАННЯ В ТИРИСТОРНИХ СТРУКТУРАХ
ПРИ ВИСОКОМУ РІВНІ ІНЖЕКЦІЇ І ДІЇ ЗОВНІШНІХ ЧИННИКІВ
(СВІТЛО, МАГНІТНЕ ПОЛЕ, РАДІАЦІЯ)
05.27.01 – твердотільна електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Одеса – 2006
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики оптичного зв’язку Одеської національної академії зв’язку ім. О.С. Попова Міністерства транспорту та зв’язку України.
Науковий керівник | доктор фізико-математичних наук, професор Вікулін Іван Михайлович,
Одеська національна академія зв’язку ім. О.С. Попова Міністерства транспорту та зв’язку України, завідувач кафедри фізики оптичного зв’язку.
Офіційні опоненти: | доктор технічних наук, старший науковий співробітник
Ащеулов Анатолій Анатолійович,
Інститут термоелектрики НАН та МОН України,
завідувач відділу термоелектричних явищ (м. Чернівці);
доктор фізико-математичних наук, професор Дроздов Валентин Олексійович,
Одеський інститут Сухопутних військ Міністерства оборони України, професор кафедри фізики.
Провідна установа | Національний університет “Львівська політехніка” Міністерства освіти і науки України, кафедра напівпровідникової електроніки.
Захист дисертації відбудеться “ 27 “ 10 2006 р. у “ 14 “ годині на засіданні спеціалізованої Ради К 41. 052.03 при Одеському національному політехнічному університеті за адресою: 65044, м. Одеса, просп. Шевченка, 1.
З дисертацією можна ознайомитись в науковій бібліотеці Одеського національного політехнічного університету, за адресою: 65044, м. Одеса, просп. Шевченка, 1.
Автореферат розісланий “ 25 “ 09 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Андріянов О.В.
 
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Напівпровідникові p-n-p-n структури є основою тиристорів, що одержали широкий розвиток з часу їх винаходу (У. Шоклі, 1950 р.). Великий внесок в розробку фізичних основ дії тиристорних структур і їх конструювання внесли вітчизняні учені В. М. Тучкевич, В. Е. Челноков, І. В. Грехов, В. А. Кузьмін, В. А. Мокрицький і багато інших.
Велика частина теоретичних робіт присвячена розрахунку вольтамперних характеристик (ВАХ) тиристорних структур залежно від електрофізичних параметрів областей, що їх становлять. Проте в цих розрахунках не враховувалася така важлива особливість, як робота структур при високих рівнях інжекції носіїв заряду в базі структур. Перше масове застосування p-n-p-n структури знайшли в потужних тиристорах як керовані випрямлячі змінного струму. Останнім часом розширилося їх застосування в мікроелектроніці, зокрема, як фотоприймачі, оптрони. Методи розрахунку параметрів мікротиристорів під впливом зовнішніх випромінювань розвинені значно менше.
Більшість інтегральних схем складається з p-n-p або n-p-n транзисторів, виготовлених в напівпровідниковій пластині n або p-типу. Таким чином, виникає паразитна p-n-p-n структура, включення якої приводить до виходу схеми з ладу. Запобігання цьому ефекту є одним з найважливіших завдань інтегральної схемотехніки.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Робота проводилася відповідно до плану прикладної держбюджетної НДР “Дослідження впливу зовнішніх факторів та електричних режимів на характер закономірностей відмов напівпровідникових структур і розробка методології їх прискорених випробувань на надійність (держ. реєстр №0100U002891).
Мета і задачі дослідження. Відповідно до вищевикладеного, мета роботи полягає в розробці методу розрахунку параметрів перемикання з урахуванням високого рівня інжекції і визначенні залежності параметрів перемикання від дії зовнішніх факторів (електричного і магнітного полів, оптичного випромінювання і радіації), з яких виходять рекомендації по розробці засобів усунення перемикання паразитних p-n-p-n структур в інтегральних схемах.
Для досягнення поставленої мети вирішувалися такі задачі:
· розрахунок параметрів переключення p-n-p-n структури з урахуванням залежності ширини області об'ємного заряду колектора від концентрації інжектованих носіїв заряду і залежності коефіцієнта передачі струму складових транзисторів від рівня інжекції носіїв з емітерів;
· розрахунок величини світлового потоку, що переключає фототиристор у провідне становище;
· розрахунок струму і напруги переключення p-n-p-n структури з польовим електродом у залежності від напруги на електроді;
· експериментальна перевірка отриманих залежностей.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ПЕРЕМИКАННЯ В ТИРИСТОРНИХ СТРУКТУРАХ ПРИ ВИСОКОМУ РІВНІ ІНЖЕКЦІЇ І ДІЇ ЗОВНІШНІХ ЧИННИКІВ (СВІТЛО, МАГНІТНЕ ПОЛЕ, РАДІАЦІЯ)

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок