Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ХІМІЧНА ВЗАЄМОДІЯ НЕЛЕГОВАНОГО ТА ЛЕГОВАНОГО CdTe З ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ НА ОСНОВІ РОЗЧИНІВ СИСТЕМИ H2O2–HBr

ХІМІЧНА ВЗАЄМОДІЯ НЕЛЕГОВАНОГО ТА ЛЕГОВАНОГО CdTe З ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ НА ОСНОВІ РОЗЧИНІВ СИСТЕМИ H2O2–HBr

Назва:
ХІМІЧНА ВЗАЄМОДІЯ НЕЛЕГОВАНОГО ТА ЛЕГОВАНОГО CdTe З ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ НА ОСНОВІ РОЗЧИНІВ СИСТЕМИ H2O2–HBr
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,85 KB
Завантажень:
36
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Міністерство освіти і науки України
Прикарпатський національний університет
імені Василя Стефаника
УДК 621.794.4: 546.48/24
Стратійчук Ірина Борисівна
ХІМІЧНА ВЗАЄМОДІЯ НЕЛЕГОВАНОГО ТА ЛЕГОВАНОГО CdTe З ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ НА ОСНОВІ РОЗЧИНІВ СИСТЕМИ H2O2–HBr
02.00.21 – хімія твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата хімічних наук
Івано-Франківськ – 2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у відділі фізичної хімії напівпровідникових матеріалів Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
Науковий керівник: доктор хімічних наук, професор
Томашик Василь Миколайович,
вчений секретар Інституту фізики
напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, професор
Панчук Олег Ельпідефорович,
завідувач кафедри неорганічної хімії Чернівецького національного університету ім. Ю. Федьковича
МОН України;
доктор хімічних наук,
старший науковий співробітник,
Лобанов Віктор Васильович,
провідний науковий співробітник Інституту хімії поверхні НАН України, м. Київ.
Провідна установа: Інститут проблем матеріалознавства
ім. І.М. Францевича НАН України, м. Київ
Захист дисертації відбудеться 28 жовтня 2005р. о 11 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К 20.051.03 у Прикарпатському національному університеті ім. Василя Стефаника за адресою: 76025, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 79.
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Прикарпатського національного університету ім. Василя Стефаника (76000, м. Івано-Франківськ, вул. Шевченка, 57).
Автореферат розіслано “21” вересня 2005 року
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради К 20.051.03 Кланічка В.М


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Кадмій телурид є одним з достатньо важливих матеріалів напівпровідникової мікроелектроніки, який володіє широким комплексом різнофункціональних фізико-хімічних властивостей, що зумовлює його застосування в нелінійній оптиці, радіаційній дозиметрії, оптоелектроніці, в геліоенергетиці тощо. При створенні приладів напівпровідники використовуються в основному легованими тими або іншими домішками, і тому встановлення впливу легування на основні закономірності їх хімічного травлення має велике практичне значення, оскільки процес хімічної обробки напівпровідникового матеріалу при його легуванні різними домішками може вимагати певних коректив. Причиною впливу легування на хімічне травлення можуть бути хімічні сполуки, що утворюються при взаємодії травильної композиції з легуючими домішками і здатні як сповільнювати (тобто виступати інгібіторами), так і прискорювати (тобто виступати каталізаторами) процеси хімічного розчинення основної речовини.
Для модифікації властивостей кадмій телуриду його, як правило, легують або власними компонентами, або домішками елементів III-V груп Періодичної системи, а іноді й іншими домішками. Так, легування хлором сприяє отриманню високоомного матеріалу, придатного для виготовлення спектрометричних детекторів іонізуючого випромінювання і розробки нових типів детекторів, зокрема детекторних матриць, а також засобів обробки вихідного сигналу детектора з метою корекції амплітудного спектру. Оскільки коефіцієнт поглинання в енергетичному діапазоні 0,3-1,0 МеВ для CdTe в 1,6-4,8 раз перевищує відповідне значення для Ge, то це дає змогу виготовляти детектори досить малого об’єму для ?-квантів з енергією 662 кеВ (детектор на основі CdTe товщиною 2 мм еквівалентний германієвому детекторові товщиною 11 мм).
Невід’ємною частиною сучасної напівпровідникової технології є попередня обробка поверхні монокристалів, яка може суттєво вплинути на структурну досконалість матеріалу та його електрофізичні властивості, що вимагає вивчення закономірностей та механізмів отримання бездефектних поверхонь напівпровідників. Результати таких досліджень необхідні перш за все при пошуку та обґрунтуванні технологічних прийомів цілеспрямованого управління процесами обробки напівпровідників, а також при виборі оптимальних методик і режимів хімічних обробок.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ХІМІЧНА ВЗАЄМОДІЯ НЕЛЕГОВАНОГО ТА ЛЕГОВАНОГО CdTe З ТРАВИЛЬНИМИ КОМПОЗИЦІЯМИ НА ОСНОВІ РОЗЧИНІВ СИСТЕМИ H2O2–HBr

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок