Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ВАКАНСІЙ СЕЛЕНУ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КВАЗІНИЗЬКОВИМІРНИХ СИСТЕМ NbSe2 ТА NbSe2

ВПЛИВ ВАКАНСІЙ СЕЛЕНУ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КВАЗІНИЗЬКОВИМІРНИХ СИСТЕМ NbSe2 ТА NbSe2

Назва:
ВПЛИВ ВАКАНСІЙ СЕЛЕНУ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КВАЗІНИЗЬКОВИМІРНИХ СИСТЕМ NbSe2 ТА NbSe2
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,15 KB
Завантажень:
291
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ЕЛЕКТРОФІЗИКИ І РАДІАЦІЙНИХ ТЕХНОЛОГІЙ
ШЕЛЕСТ ТЕТЯНА МИКОЛАЇВНА
УДК 537.312.6:544.022.342.2
ВПЛИВ ВАКАНСІЙ СЕЛЕНУ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КВАЗІНИЗЬКОВИМІРНИХ СИСТЕМ NbSe2 ТА NbSe2
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків – 2007


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Національному технічному університеті “Харківський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України, м. Харків
Науковий
керівник: | доктор фізико-математичних наук, професор
Мамалуй Андрій Олександрович, Національний технічний університет “Харківський політехнічний інститут” МОН України, завідувач кафедри загальної та експериментальної фізики.
Офіційні опоненти: |
доктор фізико-математичних наук, професор,
Кошкін Володимир Мойсейович,
Національний технічний університет “Харківський політехнічний інститут” МОН України, завідувач кафедри фізичної хімії;
кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник,
Феодосьєв Сергій Борисович,
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України, старший науковий співробітник
Захист відбудеться “15” жовтня 7 р. о 1400 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .245.01 у Інституті електрофізики і радіаційних технологій НАН України за адресою: 61003, м. Харків, вул. Гамарника, 2, корпус У-3, НТУ “ХПІ”, ауд. .
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту електрофізики і радіаційних технологій НАН України за адресою: 61024, м. Харків, вул. Гуданова, . Відзив на автореферат дисертації надсилати на адресу: 61002, м. Харків, вул. Чернишевського, 28, а/с 8812.
Автореферат розісланий “05” вересня 7 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д .245.01 |
Пойда А.В.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Квазінизьковимірні системи до яких, зокрема, належать халькогеніди перехідних металів є одним із надзвичайно перспективних та важливих з практичної точки зору матеріалів. Вони мають унікальні електрофізичні, магнітні, оптичні і механічні властивості. Однією із характерних властивостей низьковимірних металічних систем є електронно-структурний перехід типу метал – діелектрик з утворенням хвилі зарядової густини (ХЗГ). Утворення ХЗГ, що беруть участь у процесах провідності, приводить до незвичайних властивостей квазінизьковимірних матеріалів – нелінійної (неомічної) провідності, когерентним токовим коливанням (вузькосмуговому шуму), ефектам метастабільності і пам’яті, та ін. Ці властивості з успіхом можуть бути використані у ряді нових областей техніки, таких, наприклад, як ХЗГ-електроніка, накопичувачі водню в мобільних пристроях перетворення енергії (паливних комірках) і т.д. Крім того, в останній час з’явилися повідомлення про одержання на основі халькогенідів перехідних металів низьковимірних кристалів у вигляді нанотрубок, що відкриває широкі перспективи їх застосування у наноелектроніці.
З теоретичної точки зору халькогеніди перехідних металів є придатними для вдалого використання в якості моделей для дослідження фізичних явищ притаманних системам зі зниженою кількістю вимірів. Так, наприклад, низьковимірні системи з точковими дефектами можуть бути модельними по відношенню до високотемпературних надпровідників (наприклад, YBa2Cu3O7-x), для ґратки яких характерна наявність низьковимірних структурних елементів (квазіодновимірні Cu-О ланцюжки, квазідвовимірні CuO2 площини), що містять значну кількість точкових дефектів (вакансій).
Встановлено, що на властивості низьковимірних систем суттєво впливають домішки, опромінювання високоенергетичними частинками, інтеркалювання. Вивченню цих питань присвячено значну кількість робіт. В той же час, питання пов’язані із утворенням і впливом власних точкових дефектів – вакансій на властивості низьковимірних систем до теперішнього часу залишаються відкритими.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ВПЛИВ ВАКАНСІЙ СЕЛЕНУ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КВАЗІНИЗЬКОВИМІРНИХ СИСТЕМ NbSe2 ТА NbSe2

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок