Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> НЕСИМЕТРИЧНІ НЕОДНОРІДНІ НАДПРОВІДНИКОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ

НЕСИМЕТРИЧНІ НЕОДНОРІДНІ НАДПРОВІДНИКОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ

Назва:
НЕСИМЕТРИЧНІ НЕОДНОРІДНІ НАДПРОВІДНИКОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
30,77 KB
Завантажень:
191
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ МЕТАЛОФІЗИКИ ім.Г.В.КУРДЮМОВА
Шатернік Володимир Євгенович
УДК 537.312.62
НЕСИМЕТРИЧНІ НЕОДНОРІДНІ
НАДПРОВІДНИКОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ
Спеціальність: 01.04.22 Ї надпровідність
Автореферат
Дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізикоЇматематичних наук
КИЇВ Ї 2002
Дисертацією є рукопис
Роботу виконано в Інституті Металофізики ім.Г.В.Курдюмова Національної Академії наук України
Науковий консультант: доктор фізикоЇматематичних наук, професор
Руденко Едуард Михайлович
Інститут Металофізики ім. Г.В.Курдюмова
Національної Академії наук України,
зав. відділом
Офіційні опоненти:
доктор фізикоЇматематичних наук, Валерій Георгійович Прохоров, Інститут Металофізики ім. Г.В.Курдюмова Національної Академії наук України, провідний науковий співробітник
доктор фізикоЇматематичних наук, Криворучко Володимир Миколайович, Донецький фізикоЇтехнічний інститут ім.О.О.Галкіна Національної Академії наук України, заступник директора, Лауреат Державної премії України в галузі науки та техніки
доктор фізикоЇматематичних наук, професор Мелков Геннадій Андрійович, Київський національний університет ім. Тараса Шевченка, декан радіофізичного факультету, завідуючий кафедрою
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, м.Київ
Захист відбудеться 20.03.2002 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.168.02 при Інституті металофізики ім. Г.В.Курдюмова Національної Академії наук України за адресою: 03142, Київ, просп. Ак. Вернадського, 36, актовий зал Інституту металофізики ім. Г.В.Курдюмова Національної Академії наук України
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту металофізики ім.Г.В.Курдюмова Національної Академії наук України за адресою: 03142, Київ, просп. Ак. Вернадського, 36
Автореферат розісланий 18.02.2002 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
кандидат фізикоЇматематичних наук Т.Л.Сізова
1
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Дисертаційна робота присвячена експериментальному дослідженню транспорту електричного заряду в несиметричних неоднорідних надпровідникових гетероструктурах.
Актуальність теми визначається рівнем сьогоденних потреб як в області прикладних розробок, так і в області фундаментальних досліджень. Головним параметром сучасного комп'ютера прийнято вважати кількість енергії, яку він витрачає при виконанні однієї елементарної операції, або n – кількість елементарних операцій на один Джоуль. Цей показник n зараз невпинно знижується. Є добре відомим емпіричний закон Гордона Мура, який проголошує, що швидкодія сучасних комп'ютерів подвоюється кожні вісімнадцять місяців. На протязі останніх сорока років цей закон жодного разу не порушувався. Це базується на тому, що при приблизно одному і тому самому розмірі чіпа, кількість транзисторів в ньому кожні півтора роки подвоюється, тобто розміри одного транзистора зменшуються вдвічі. Це тягне за собою те, що відношення сигнал/шум в транзисторах відповідно зменшується в кілька разів. Вже принаймні це визначає в перспективі наявність фізичного обмеження процесу зменшення розмірів напівпровідникових транзисторів, вважається, що ця границя буде досягнута приблизно у 2010 році.
Тому в світі невпинно ведуться пошуки фізичних принципів пристроїв нанометрових розмірів, на яких будуть базуватися транзистори майбутнього, наприклад: 1) одноелектронні транзистори К.К.Ліхарєва; 2) надпровідникові переходи Джозефсона; 3) нейронні сітки; 4) молекулярні пристрої та інші. В огляді М.Ю.Купріянова, А.Брінкмана, А.А.Голубова, М.Зігеля, Х.Рогалла [1] запропоновано ідею, що переходи SINIS (надпровідник-ізолятор-нормальний метал-ізолятор-надпровідник) являють- ся зараз найбільш перспективними з точки зору створення на їх базі елементів комп'ютерів на нанометровому рівні.
Для того, щоб вирішити проблему мініатюризації над-провідникових транзисторів, необхідно вирішити проблему мініатюризації переходів Джозефсона. Що це означає? Щоб забезпечити безпомилковий рівень спрацювання швидкодіючої одноквантової логіки (RSFQ) необхідно, щоб для критичного струму Джозефсона Ic переходу виконувалась умова Ic >> Iшума (~ в 500 разів) [1], маємо ефективний шумовий струм Iшума ” 0.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 



Реферат на тему: НЕСИМЕТРИЧНІ НЕОДНОРІДНІ НАДПРОВІДНИКОВІ ГЕТЕРОСТРУКТУРИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок