Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МІКРОЕЛЕКТРОННІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ НА КРЕМНІЄВІЙ СТРУКТУРІ З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ

МІКРОЕЛЕКТРОННІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ НА КРЕМНІЄВІЙ СТРУКТУРІ З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ

Назва:
МІКРОЕЛЕКТРОННІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ НА КРЕМНІЄВІЙ СТРУКТУРІ З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,20 KB
Завантажень:
24
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ
„КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ”
ЯГАНОВ ПЕТРО ОЛЕКСІЙОВИЧ
УДК 621.315.592
МІКРОЕЛЕКТРОННІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ
НА КРЕМНІЄВІЙ СТРУКТУРІ З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ
05.27.01 – твердотільна електроніка
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ – 2006
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі мікроелектроніки Національного технічного університету України „Київський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник:
кандидат технічних наук, доцент Борисов Олександр Васильович, Національний технічний університет України „Київський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України, професор кафедри мікроелектроніки.
Офіційні опоненти:
доктор технічних наук, професор Осадчук Володимир Степанович, Вінницький національний технічний університет Міністерства освіти і науки України, завідувач кафедри електроніки;
доктор технічних наук, професор Осінський Володимир Іванович, Державний НДІ мікроприладів Національної академії наук України, заступник директора.
Провідна установа:
Харківський національний університет радіоелектроніки, кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв, Міністерство освіти і науки України, м. Харків.
Захист відбудеться 15 травня 2006 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.002.08 Національного технічного університету України „Київський політехнічний інститут” за адресою:
м. Київ, просп. Перемоги, 37, корп. 12, ауд. 114.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Національного технічного університету України „Київський політехнічний інститут” за адресою:
м. Київ, просп. Перемоги, 37.
Автореферат розісланий 6 квітня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 26.002.08
доктор технічних наук, професор В.Г. Савін
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Домінуючою тенденцією розвитку сенсорних систем є мікромініатюризація. З аналізу номенклатури вимірювальної апаратури промислово розвинених країн світу випливає, що майже 90% основних типів датчиків мають мікроелектронне виконання. Мікроелектронні технології спрямовані на створення приладів з високою щільністю компонентів на одиниці площі напівпровідникового кристалу. Тому в розробці і виготовленні високочутливих мікророзмірних сенсорів результативними є підходи, що ґрунтуються на використанні в мікроелектронних структурах ефектів, які виникають на неоднорідностях типу потенційного бар’єру. В таких приладах властивості визначаються фундаментальними або питомими параметрами твердого тіла. В цьому випадку масштабування габаритів мікроелектронного сенсора в межах технологічно прийнятних обмежень зберігає рівень його електричного відгуку та чутливість до впливу вимірюваної фізичної величини.
Хоча розробка сенсорів з унікальними характеристиками відбувається, зокрема, і з використанням новітніх нанотехнологій та складних методів обробки вихідного сигналу за генетичними та нейромережними алгоритмами, проте у масовому виробництві, як правило, використовують широко відомі і традиційні як матеріали електронної техніки та методи їх обробки, так і принципи перетворення фізичної величини у електричний сигнал. В той же час залишаються недослідженими шляхи розв’язку ряду задач, пов’язаних з вивченням особливостей функціонування мікроелектронних діодних сенсорів, підвищенням сенсорної чутливості МДН-структур, розробкою і конструкторсько-технологічною реалізацією нових багатофункціональних мікроелектронних сенсорних структур та вимірювальних перетворювачів на їх основі, а також моделюванням їх метрологічних характеристик. Тому розробка нових високочутливих мікроелектронних структур з використанням промислово освоєних технологій на основі кремнію є актуальною задачею.
Зв’язок роботи з науковими програмами і темами. Підготовка дисертаційної роботи пов’язана з виконанням науково-дослідних робіт (НДР) на кафедрі мікроелектроніки факультету електроніки Національного технічного університету України „Київський політехнічний інститут” та у науково-виробничій фірмі „Мікросенсор” (м.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: МІКРОЕЛЕКТРОННІ ПЕРЕТВОРЮВАЧІ НА КРЕМНІЄВІЙ СТРУКТУРІ З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок