Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТАХ, ДЕТЕКТОРАХ ОПТИЧНОГО ТА -ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ CdxHg1–xTe (x > 0.6)

ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТАХ, ДЕТЕКТОРАХ ОПТИЧНОГО ТА -ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ CdxHg1–xTe (x > 0.6)

Назва:
ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТАХ, ДЕТЕКТОРАХ ОПТИЧНОГО ТА -ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ CdxHg1–xTe (x > 0.6)
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,48 KB
Завантажень:
403
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
КУЛЬЧИНСЬКИЙ
Віктор Васильович
УДК: 621.383.52
ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ
В СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТАХ, ДЕТЕКТОРАХ ОПТИЧНОГО
ТА -ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ CdxHg1–xTe (x > 0.6)
01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі оптоелектроніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор КОСЯЧЕНКО Леонід Андрійович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри оптоелектроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Скришевський Валерій Антонович, Київський Національний університет імені Тараса Шевченка,
професор кафедри напівпровідникової електроніки
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Слинько Євген Іларіонович, Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України імені І.М. Францевича,
завідувач відділу вузькозонних напівпровідників
Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників
імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Захист відбудеться 25 травня 2007 р. 15.00 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий 23 квітня 2007 р.
Учений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми
Напівпровідниковий твердий розчин CdxHg1-xTe (x=0.2-0.3) є найважливішим матеріалом інфрачервоної фотоелектроніки для спектральних ділянок, які відповідають “вікнам прозорості” земної атмосфери: 3-5 мкм і, особливо, 8-14 мкм. Історично склалося так, що сплави CdxHg1-xTe з широкою забороненою зоною (Eg0.4-0.5 еВ) опинились поза інтересами дослідників. Між тим, упродовж останніх десятиліть увага дослідників і технологів звернута на розробку фотодіодів для волоконно-оптичних ліній зв’язку. Застосовуване для зв’язку на значні віддалі кварцове волокно характеризується найменшими оптичними втратами та швидкодією при передачі сигналу за допомогою світла з довжиною хвилі 1.55 мкм і дещо більшими втратами – з довжиною хвилі 1.3 мкм. Кремнієві фотодіоди для роботи на цих довжинах хвиль не відповідають указаним спектральним вимогам, а германієві мають занадто великі темнові струми. Проблема вирішується залученням трьох- і чотирьох-компонентних напівпровідникових сполук елементів III і V груп періодичної системи. Це – тверді розчини GaInAs, GaInAsР та інші напівпровідники, технологія виготовлення фотоприймачів на яких складна і вимагає великих витрат. HgTe і CdTe утворюють неперервний ряд твердих розчинів при будь-якому співвідношенні компонентів, а CdxHg1–xTe з підвищеним вмістом CdTe (x0.6) потенційно відповідає вимогам для фотоприймачів, що працюють на довжинах хвиль 1.3 і 1.55 мкм.
Доведено, що максимальна ефективність перетворення енергії сонячного випромінювання в електричну спостерігається у фотовольтаїчних структурах на основі напівпровідників з шириною забороненої зони Eg= 1.1-1.5 еВ, що відповідає CdxHg1–xTe з x=0.8-1. В інтервал 1.1-1.5 еВ попадає ширина забороненої зони кремнію, однак коефіцієнт оптичного поглинання в напівпровіднику з непрямими міжзонними переходами, яким є Si, доволі повільно зростає з енергією фотона hv в області фундаментального поглинання (hv>Eg), що обмежує можливості тонкоплівкового сонячного елемента. На відміну від кремнію CdxHg1–xTe – напівпровідник з прямими міжзонними переходами в усьому інтервалі зміни x=0-1, а попередні дослідження показали, що тонкоплівкові сонячні елементи на основі широкозонного CdxHg1–xTe (0.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В СОНЯЧНИХ ЕЛЕМЕНТАХ, ДЕТЕКТОРАХ ОПТИЧНОГО ТА -ВИПРОМІНЮВАННЯ НА ОСНОВІ CdxHg1–xTe (x > 0.6)

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок