Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ГРАДІЄНТА СКЛАДУ І ДЕФЕКТІВ ГРАТКИ НА ОПТИЧНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА МЕХАНІЗМИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ HgCdTe І ФОТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ГРАДІЄНТА СКЛАДУ І ДЕФЕКТІВ ГРАТКИ НА ОПТИЧНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА МЕХАНІЗМИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ HgCdTe І ФОТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

Назва:
ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ГРАДІЄНТА СКЛАДУ І ДЕФЕКТІВ ГРАТКИ НА ОПТИЧНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА МЕХАНІЗМИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ HgCdTe І ФОТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,97 KB
Завантажень:
162
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ІВАСІВ ЗІНОВІЯ ФЕДОРІВНА
УДК 539.2; 548.571
ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ГРАДІЄНТА СКЛАДУ І ДЕФЕКТІВ ГРАТКИ НА ОПТИЧНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА МЕХАНІЗМИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ HgCdTe І ФОТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ
Спеціальність - 01.04.07 - фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико - математичних наук
КИЇВ - 2000
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Сизов Федір Федорович, завідувач відділенням Інституту фізики напівпровідників НАН України
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Сальков Євген Андрійович, головний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників НАН України
доктор фізико-математичних наук, професор кафедри напівпровідникової мікроелектроніки Берченко Микола Миколайович, Львівський державний університет “Львівська політехніка”
Провідна установа: Київський національний університет ім. Тараса Шевченка, фізичний факультет, кафедра оптики, м. Київ
Захист дисертації відбудеться 15 вересня 2000 р. о 15 год. 45 хв. на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою 03028, Київ - 28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників за адресою 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
Автореферат розісланий 9 серпня 2000 року
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В сучасній фотоелектроніці значна увага приділяється інфрачервоному (ІЧ) діапазону спектра, що зумовлено потребами науки і техніки. В області ІЧ фотоелектроніки найбільш актуальними з точки зору прикладного використання є тверді розчини на основі сполук HgCdTe. Широке коло фундаментальних та прикладних досліджень вузькощілинних напівпровідникових твердих розчинів HgCdTe зумовлено цілою низкою їх виняткових властивостей, серед яких найбільш важливою є можливість зміни ширини забороненої зони із зміною хімічного складу, що зумовлює в свою чергу їх широке практичне застосування у приладах ІЧ фотоелектроніки.
Сучасні фотоприймачі ІЧ випромінювання переважно виготовляють з епітаксійних плівок вузькощілинних твердих розчинів Hg1-xCdxTe товщиною d~10ё20 мкм, які вирощуються різними методами на широкозонних підкладках CdTe або Cd1-yZnyTe. В останньому випадку при у@0.03-0,04 епітаксійні шари з х@0.21-0,22 узгоджені за постійною гратки з підкладкою. Одним з найпоширеніших методів вирощування плівок на вказаних підкладках є метод рідкофазної епітаксії (РФЕ). Внаслідок того, що ширина забороненої зони CdTe або Cd1-yZnyTe (yЈ0,04, Eg»1,6 еВ) набагато перевищує ширину забороненої зони плівок Hg1-xCdxTe для фотоприймачів з червоною межею фотовідгуку l»10 мкм (х@0,215, Eg»0,1 еВ), між підкладкою та плівкою виникає шар з градієнтом ширини забороненої зони, товщина якого залежить від технологічних умов вирощування епітаксійних плівок (перш за все температури процесу РФЕ та часу), матеріалу, хімічного складу підкладки, густини дислокацій на гетеромежі, та ін. Для знаходження величини градієнта складу в плівках застосовуються різні методи, як, наприклад, рентгенівський мікроаналіз та оже-спектроскопія, в результаті використання яких досліджувана плівка руйнується. Враховуючи високу вартість епітаксійних плівок HgCdTe, розробка відносно дешевих, експресних і неруйнівних методів визначення розподілу хімічного складу по товщині та встановлення спектральної області їх фоточутливості є актуальною прикладною задачею.
Характер зміни градієнта складу та пов'язаного з ним градієнта ширини забороненої зони, особливо в області p-n-переходу фотодіода, визначає в заначній мірі їх характеристики внаслідок майже експоненційної залежності величини фоточутливості від ширини забороненої зони. Значну роль в процесах переносу заряду у фотодіодах на основі HgCdTe відіграють глибокі центри у забороненій зоні, які можуть виникаюти як під час вирощування самих матеріалів, так і при виготовленні приладів на їх основі.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ДОСЛІДЖЕННЯ ВПЛИВУ ГРАДІЄНТА СКЛАДУ І ДЕФЕКТІВ ГРАТКИ НА ОПТИЧНІ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА МЕХАНІЗМИ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ HgCdTe І ФОТОЧУТЛИВИХ СТРУКТУРАХ НА ЇХ ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок