Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ СУЛЬФІДУ ТА СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ З ДИСЛОКАЦІЯМИ

ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ СУЛЬФІДУ ТА СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ З ДИСЛОКАЦІЯМИ

Назва:
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ СУЛЬФІДУ ТА СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ З ДИСЛОКАЦІЯМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,49 KB
Завантажень:
47
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
ДНІПРОПЕТРОВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ОМЕЛЬЧЕНКО СЕРГІЙ ОЛЕКСАНДРОВИЧ
УДК 537.311.322
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ СУЛЬФІДУ
ТА СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ З ДИСЛОКАЦІЯМИ
01.04.07 - фізика твердого тіла
А в т о р е ф е р а т
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Дніпропетровськ – 2006


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Дніпропетровському національному університеті, Міністерство освіти і науки України.
Науковий консультант:
доктор фізико-математичних наук, професор
Черненко Іван Михайлович
Дніпропетровський національний університет
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор,
член-кореспондент НАН України
Рябченко Сергій Михайлович
Інститут фізики НАН України, м. Київ, завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор
Биков Ігор Павлович
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України, м. Київ, провідний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук, професор
Башев Валерій Федорович
Дніпропетровський національний університет,
завідувач кафедри металофізики
Провідна установа:
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
НАН України, м. Київ.
Захист відбудеться “ 22 ” грудня ” 2006 р. о 14.15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 08.051.02 при Дніпропетровському національному університеті (49050, м. Дніпропетровськ 50, вул. Наукова, 10, корп. 11, ауд. 300)
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Дніпропетровського національного університету (49050, м. Дніпропетровськ, 50, вул. Казакова, 8)
Автореферат розісланий “ 21 ” листопада 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Спиридонова І.М.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В останній час, все більше поширення в мікроелектроніці знаходять прилади на гетероструктурах (гетеролазери, фотодіоди й т.д.). При виготовленні цих структур неминуче виникають дислокації невідповідності, які в процесі роботи приладів можуть, в свою чергу, також бути джерелами зародження нових дислокацій. Тому не викликає сумнівів важливість проблеми, пов'язаної із з'ясуванням ролі дислокацій у формуванні різноманітних фізичних властивостей напівпровідникових матеріалів. Всебічне вивчення взаємодії дислокацій з електронною підсистемою кристалічних тіл показало, що серед безлічі різних напівпровідникових матеріалів це явище найбільш сильно проявляється в кристалах сполук типу А2В6, та є визначальним у формуванні їх електричних і оптичних властивостей.
Дислокації, що рухаються при пластичній деформації кристалів сполук типу А2В6, несуть на собі досить великий електричний заряд. На відмінність від іонних кристалів, його величина у значній степені визначається динамічною рівновагою між процесами вимітання електронів з уловлювачів і їхнього переходу в зону провідності. Ця властивість виявилась дуже важливою для реалізації взаємодії дислокацій з електронною підсистемою кристалів. Крім цього, рух дислокацій веде до оборотних змін таких електронних властивостей як концентрація й рухливість носіїв заряду в кристалах.
Відомостей про дослідження, проведені у даному напрямку для більше складного, але й більше реального випадку нерухомих дислокацій, до останнього часу не було. Це можна пояснити тим, що довгий час питання про наявність і величину заряду нерухомих дислокацій взагалі залишалось відкритим. Вважалося, що якщо заряд і існує, то через екранування дислокацій іонізованими точковими дефектами його прояв виявити неможливо. Однак, після запропонованої нами методики, заснованої на використанні методу ЕПР з'явилася реальна можливість для вивчення процесів взаємодії електронної підсистеми кристалів з нерухомими дислокаціями.
Вплив дислокацій на найважливіші властивості сполук типу А2В6, може здійснюватися й опосередковано, шляхом цілеспрямованого формування їхньої кристалічної структури. Однак експериментальних даних, підтверджуючих, що кооперативний рух часткових дислокацій дійсно відіграє вирішальну роль у процесах фазових перетворень, які формують реальну структуру кристалів на більш ранніх стадіях фазового переходу 2Н>3С чим кінцева структура мікродвійників і політипів 6Н, були відсутні.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ СУЛЬФІДУ ТА СЕЛЕНІДУ ЦИНКУ З ДИСЛОКАЦІЯМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок