Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ СИМЕТРІЙНИХ ТА СТРУКТУРНИХ ФАКТОРІВ НА ФОРМУВАННЯ ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ ПОБЛИЗУ ЗАБОРОНЕНОЇ ЗОНИ СКЛАДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

ВПЛИВ СИМЕТРІЙНИХ ТА СТРУКТУРНИХ ФАКТОРІВ НА ФОРМУВАННЯ ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ ПОБЛИЗУ ЗАБОРОНЕНОЇ ЗОНИ СКЛАДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

Назва:
ВПЛИВ СИМЕТРІЙНИХ ТА СТРУКТУРНИХ ФАКТОРІВ НА ФОРМУВАННЯ ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ ПОБЛИЗУ ЗАБОРОНЕНОЇ ЗОНИ СКЛАДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,52 KB
Завантажень:
222
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
СЛІПУХІНА
ІВЕТТА ВІКТОРІВНА
УДК 544.225.22+544.225.3
ВПЛИВ СИМЕТРІЙНИХ ТА СТРУКТУРНИХ ФАКТОРІВ НА ФОРМУВАННЯ ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ ПОБЛИЗУ ЗАБОРОНЕНОЇ ЗОНИ СКЛАДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Ужгород – 2007
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики напівпровідників та в Науково-дослідному інституті фізики і хімії твердого тіла Ужгородського національного університету Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Берча Дарія Михайлівна,
професор кафедри фізики напівпровідників
Ужгородського національного університету МОН України
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Дейбук Віталій Григорович,
професор кафедри комп’ютерних систем і мереж
Чернівецького національного університету
ім. Ю. Федьковича МОН України (м. Чернівці)
кандидат фізико-математичних наук, доцент
Губанов Віктор Олександрович,
доцент кафедри експериментальної фізики
Київського національного університету ім. Т. Шевченка
МОН України (м. Київ)
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, відділ теоретичної фізики
(м. Київ)
Захист відбудеться “ 18  ” травня  2007 р. о _14.00__год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К61.051.01 в Ужгородському національному університеті Міністерства освіти і науки України за адресою: 88000, м. Ужгород, вул. Волошина, 54, ауд. № .
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Ужгородського національного університету (м. Ужгород, вул. Капітульна, 6).
Автореферат розісланий “ ”_квітня_ 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради К61.051.01,
доктор фіз. – мат. наук, професор ___________________________Міца В.М.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. При вивченні фізичних властивостей нових матеріалів зі складною будовою кристалічної ґратки, а також твердих розчинів на їхній основі, першочерговою задачею є дослідження їхньої зонної структури та впливу на неї зовнішніх і внутрішніх факторів. Велика кількість атомів в елементарній комірці та складна міжатомна взаємодія, притаманна таким напівпровідниковим матеріалам, суттєво ускладнюють задачу розрахунку та інтерпретації їхніх фундаментальних характеристик. Цей факт спонукає до пошуку таких методів теоретичних досліджень, які б очевидно виявляли роль структурних та симетрійних факторів конкретного кристалу у формуванні його зонного спектру. Яскравим прикладом такого методу є концепція мінімальних комплексів зон (МКЗ) Берчі-Зака [1*], яка, спираючись на просторову симетрію, енергетичний спектр пустої ґратки (ПҐ) та концепцію зонних зображень, дозволяє одержати цінну інформацію про відображення локальної симетрії кристалу в його зонному спектрі, а також передбачити головні особливості хі-міч--ного зв’язку в ньому. Успішність застосування згаданої концепції до дослідження низькосиметричних кристалів SbSI та YAlO3, які характеризуються істотною іонною складовою зв’язку, стимулює подальший розвиток даного підходу та його узагальнення на системи з переважно ковалентною міжатомною взаємодією та високосиметричні напівпровідники, а також матеріали зі змінним хімічним складом, як наприклад, впорядковані тверді розчини.
Поєднання симетрійного і топологічного підходів також дозволяє встановити положення абсолютного екстремума валентної зони та закон дисперсії в околі цього екстремума, що полегшує інтерпретацію зонного спектра, одержаного в результаті першопринципних розрахунків. Передбачення законів дисперсії носіїв заряду, у тому числі за наявності в кристалі деформацій і дефектів, набуває особливого значення для широкого класу складних напівпровідників з ван-дер-ваальсівською взаємодією, яка погано описується в першопринципних розрахунках. Оскільки деформації і дефекти можуть здійснювати подібний вплив на енергетичну структуру, важливо з'ясувати, як корелюють між собою прояви дії цих чинників в спектрах даних кристалів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ВПЛИВ СИМЕТРІЙНИХ ТА СТРУКТУРНИХ ФАКТОРІВ НА ФОРМУВАННЯ ЕНЕРГЕТИЧНОГО СПЕКТРУ ПОБЛИЗУ ЗАБОРОНЕНОЇ ЗОНИ СКЛАДНИХ НАПІВПРОВІДНИКІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок