Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Явища переносу і квантові розмірні ефекти в тонких плівках телуриду свинцю і вісмуту ТА структурах на їх основі

Явища переносу і квантові розмірні ефекти в тонких плівках телуриду свинцю і вісмуту ТА структурах на їх основі

Назва:
Явища переносу і квантові розмірні ефекти в тонких плівках телуриду свинцю і вісмуту ТА структурах на їх основі
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
24,46 KB
Завантажень:
281
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ
Любченко Світлана Григорівна
УДК 539.2; 621.38
Явища переносу і квантові розмірні ефекти в тонких плівках телуриду свинцю і вісмуту ТА структурах на їх основі
01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків
автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків-2007
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у Національному технічному університеті “Харківський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України, м. Харків
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук, професор
Рогачова Олена Іванівна
Національний технічний університет
“Харківський політехнічний інститут”,
професор кафедри теоретичної та експериментальної фізики
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Лашкарьов Георгій Вадимович,
Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича
НАН України,
завідувач відділом кріогенних і плівкових матеріалів
функціонального призначення
доктор фізико-математичних наук, професор
Агєєв Леонід Опанасович,
Харківський національний університет ім. В.Н. Каразіна,
завідувач кафедри фізичної оптики
Захист відбудеться “ 26 ” вересня 2007 р. о 14 годині на
засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01 при Інституті монокристалів
НАН України
Адреса: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту монокристалів НАН України за адресою: м. Харків, пр. Леніна, 60
Автореферат розісланий “ 21” серпня 2007 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук Добротворська М.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Інтенсивний розвиток нанофізики і нанотехнологій стимулює дослідження квантових розмірних ефектів (КРЕ), що виявляються, коли розмір системи стає порівнянним з довжиною хвилі де Бройля. Квантування квазіімпульсу і енергетичного спектру носіїв заряду в низькорозмірних структурах приводить до радикальної зміни властивостей, внаслідок чого розмір системи стає важливим параметром, що дозволяє керувати її властивостями [1]. Одним із слідств розмірного квантування енергетичного спектру в двовимірних системах є поява осциляцій на залежностях термодинамічних і кінетичних властивостей від товщини плівки або шару в гетероструктурі, вперше завбачена Лівшицем І.М. і Косевичем А.М. [2]. Для виявлення товщинних осциляцій необхідне виконання певних умов (виродження електронного газу, достатньо високі значення рухливості носіїв заряду, дзеркальне відбиття електронів на інтерфейсах і т.д.). Метали не зручні об'єкти для дослідження КРЕ, оскільки величина періоду осциляцій d у них порівнянна з величиною міжатомних відстаней, що ускладнює проведення експерименту. Зручнішими об'єктами є напівметали і напівпровідники, у яких величина d може досягати значно більших значень. Саме тому вперше осцилюючий характер залежностей кінетичних властивостей від товщини спостерігався в тонких плівках напівметалу вісмуту і незабаром після цього в плівках вузькозонних напівпровідників InSb і Cd3As2. Проте надалі роботи в цьому напрямі практично не проводилися. Між тим, осцилюючий характер товщинних залежностей властивостей треба враховуватися при інтерпретації і прогнозуванні фізичних параметрів наноструктур, і це стимулює детальні дослідження залежностей властивостей цих структур від товщини плівки або ширини квантової ями і вимагає встановлення впливу різних факторів на характер проявлення КРЕ.
Напівпровідники типу IV-VI відносяться до числа перспективних матеріалів, що використовуються в термоелектриці, ІЧ-техніці, оптоелектроніці, тензометрії, лазерах. На їх основі виготовляються гетероструктури різного типу, включаючи надгратки [3]. Після теоретичного прогнозу американських фізиків про значне збільшення термоелектричної добротності при зменшенні ширини квантової ями до нанорозмірів [4] і подальших експериментальних підтверджень різко зріс інтерес до дослідження наноструктур на основі IV-VI для термоелектричних цілей. На початок даної роботи (2002 р) з'явилися дослідження (див.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16 



Реферат на тему: Явища переносу і квантові розмірні ефекти в тонких плівках телуриду свинцю і вісмуту ТА структурах на їх основі

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок