Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Низькотемпературні п’єзорезистивні Характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин

Низькотемпературні п’єзорезистивні Характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин

Назва:
Низькотемпературні п’єзорезистивні Характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,86 KB
Завантажень:
279
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
Павловський Ігор Володимирович
УДК 621.315.592
Низькотемпературні п’єзорезистивні Характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин
05.27.01 – твердотільна електроніка
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Львів – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Національному університеті ”Львівська політехніка” Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: | доктор технічних наук, професор
Дружинін Анатолій Олександрович,
Національний університет “Львівська політехніка”,
завідувач кафедри напівпровідникової електроніки
Офіційні опоненти: |
доктор фізико-математичних наук, професор
Баранський Петро Іванович
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова Національної академії наук України,
головний науковий співробітник
доктор технічних наук, професор
Голяка Роман Любомирович
Національний університет “Львівська політехніка”,
професор кафедри електронних приладів
Провідна організація: |
Львівський національний університет
імені Івана Франка, кафедра електроніки,
Міністерство освіти і науки України, м. Львів
Захист відбудеться “11” травня 2007 р. о 14:30 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.052.12 у Національному університеті “Львівська політехніка” (м. Львів, вул. С.Бандери, 12)
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Національного університету “Львівська політехніка” (м. Львів, вул. Професорська, 1)
Автореферат розісланий “5” квітня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 35.052.12 Заячук Д.М.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Розвиток сучасної науки і техніки висуває на перший план проблему створення мініатюрних високочутливих сенсорів механічних величин, працездатних в складних умовах, зокрема за низьких температур та в сильних магнітних полях. В зв’язку з цим дослідження деформаційно-стимульованих ефектів (п’єзоопір, п’єзомагнітоопір, п’єзотермо-е.р.с.) в легованих напівпровідниках за низьких температур поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД) є актуальними, оскільки вони можуть дати інформацію про фізичні властивості таких матеріалів, а з іншого боку, вони є перспективними для створення на їх основі високочутливих сенсорів фізичних величин, працездатних за низьких температур. Варто зауважити, що на сьогодні найбільш послідовно та ґрунтовно проведено комплексні дослідження та з’ясовано механізми п’єзоопору в багатодолинних алмазоподібних напівпровідниках n-типу провідності (n-Si, n-Ge), тоді як Si і Ge p-типу провідності приділялась менша увага дослідників.
Найбільш яскраво особливості деформаційно-стимульованих ефектів в класичних напівпровідниках (кремній, германій) за низьких температур проявляються в найменш дослідженій області концентрацій легуючої домішки, що близька до критичної концентрації переходу метал-діелектрик. Ще в класичній роботі Шкловського та Ефроса згадується про гігантський п’єзоопір в напівпровідниках з концентрацією домішки, що відповідає діелектричному боку ПМД, проте до цього часу немає відомостей про спробу використання цього ефекту в сенсорах механічних величин з надвисокою чутливістю. Також невідома величина п’єзоопору, який може спостерігатись в таких кристалах, а також діапазон концентрацій домішки, в якому досягається найбільший ефект, не проводились дослідження температурної залежності п’єзоопору, не вивчався вплив магнітного поля на величину п’єзоопору як дестабілізуючого чинника. Це вказує на доцільність проведення дослідження деформаційно-стимульованих ефектів в цій області концентрацій, а також з’ясування можливості практичного застосування особливостей цих ефектів за низьких температур в легованих напівпровідниках, зокрема в Si р-типу провідності. В той час мікрокристали кремнію, вирощені у формі ниткоподібних кристалів (НК), завдяки морфології, структурній досконалості та високій механічній міцності є не тільки вдалим модельним матеріалом для дослідження деформаційно-стимульованих ефектів, але можуть бути використані як чутливі елементи мініатюрних сенсорів механічних величин.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: Низькотемпературні п’єзорезистивні Характеристики ниткоподібних кристалів p-Si як чутливих елементів сенсорів механічних величин

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок