Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ З ВБУДОВАНИМИ ДЕЛЬТА- ТА ПСІ- ШАРАМИ

ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ З ВБУДОВАНИМИ ДЕЛЬТА- ТА ПСІ- ШАРАМИ

Назва:
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ З ВБУДОВАНИМИ ДЕЛЬТА- ТА ПСІ- ШАРАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,59 KB
Завантажень:
38
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
Козинець Олексій Володимирович
УДК 621.383
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ З ВБУДОВАНИМИ ДЕЛЬТА- ТА ПСІ- ШАРАМИ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ-2007
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі напівпровідникової електроніки радіофізичного факультету Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Науковий керівник
доктор фізико-математичних наук, професор
Скришевський Валерій Антонович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
професор кафедри напівпровідникової електроніки.
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Євтух Анатолій Антонович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник;
кандидат фізико-математичних наук
Кондратенко Сергій Вікторович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка,
асистент кафедри оптики.
Захист відбудеться “24” вересня 2007 року о 15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.001.31 у Київському національному університеті імені Тараса Шевченка (03022, м. Київ, проспект Глушкова 2, корпус 5, радіофізичний факультет).
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Київського національного університету імені Тараса Шевченка ( м.Київ, вул. Володимирська, 58)
Автореферат розісланий “16”серпня 2007 року
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Кельник О.І.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Останнім часом проблема пошуку альтернативних джерел енергії набула особливої актуальності у зв’язку з неминучою вичерпністю традиційних джерел та рядом екологічних, соціальних, технічних проблем, які виникають при активному їх використанні. Цим обумовлена зацікавленість до прямого перетворення сонячної енергії в електричну. Виключну роль у сучасній промисловій фотовольтаїці відіграють кремнієві фотоперетворювачі на основі p-n переходу. Коефіцієнт корисної дії (ККД) лабораторного зразка на монокремнії обмежується на рівні 24%, а промислових зразків близько 16-20%, ціна одного Вата встановленої потужності складає близько 3 USD, середня окупність фотобатарей до 20 років. Тому основними завданнями є пошук методів здешевлення елемента та збільшення ККД промислових зразків.
Ефективність фотоперетворення сонячного елемента (СЕ) суттєво зменшується за рахунок: впливу послідовного та шунтуючого опору; наскрізного проходження квантів з енергією меншою ніж ширина забороненої зони, рекомбінації носіїв в об’ємі напівпровідника, в області просторового заряду та на межах поділу; відбиття від фронтальної поверхні (чи меж поділу); поглинання частини енергії в приповерхневому неактивному шарі; генерації лише однієї електронно-діркової пари внаслідок поглинання квантів з енергією більшою ніж ширина забороненої зони.
В структурі кремнієвого СЕ на основі дифузійного p-n переходу можна виділити ряд складових, оптимізація яких є предметом постійного наукового пошуку. Зменшення електричного опору металевої гребінки та зменшення оптичних втрат на відбивання та поглинання на лицьовій металізації досягається вибором відповідного типу металу, типу геометрії і товщини контакту, використанням багатошарової чи прихованої металізації. Оптичне пропускання всього елемента підвищують за рахунок антивідбиваючого шару, застосовуючи нові методи текстуризації фронтальної поверхні та багатошарові антивідбиваючі покриття. Рекомбінаційні втрати на поверхні емітера зменшують, використовуючи різноманітні пасивуючі покриття (SiO2), H+ пасивацію шару, польові ефекти для екранування центрів рекомбінації. Параметри області просторового заряду (висота бар’єра, рекомбінаційні властивості, механізми струмопереносу) визначаються параметрами p-бази та дифузійного n-емітера і тому як окремий структурний елемент спеціально не оптимізуються.
На момент виконання дисертаційної роботи була відома дуже невелика кількість робіт, в яких досліджені можливості покращання характеристик СЕ за рахунок створення умов для поглинання квантів з енергією 0.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРЕМНІЄВИХ ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІВ З ВБУДОВАНИМИ ДЕЛЬТА- ТА ПСІ- ШАРАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок