Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОПТИЧНІ І СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НИЗЬКОРОЗМІРНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ НАПІВПРОВІДНИКІВ А3В5 І А2В6

ОПТИЧНІ І СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НИЗЬКОРОЗМІРНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ НАПІВПРОВІДНИКІВ А3В5 І А2В6

Назва:
ОПТИЧНІ І СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НИЗЬКОРОЗМІРНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ НАПІВПРОВІДНИКІВ А3В5 І А2В6
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
33,89 KB
Завантажень:
165
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ім. В.Є.ЛАШКАРЬОВА
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
СТРЕЛЬЧУК ВІКТОР ВАСИЛЬОВИЧ
УДК 535.37; 538.915; 621.328
ОПТИЧНІ І СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НИЗЬКОРОЗМІРНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ НАПІВПРОВІДНИКІВ А3В5 І А2В6
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ - 2006


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова
НАН України
Науковий консультант:
доктор фізико-математичних наук, професор
член-кореспондент Національної академії наук України
Валах Михайло Якович
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України,
завідувач відділу оптики і спектроскопії
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАН України
Томчук Петро Михайлович
Інститут фізики НАН України, завідувач відділу теоретичної фізики
доктор фізико-математичних наук, професор, член-кореспондент НАН України
Сизов Федір Федорович
Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділу фізики і технології низькорозмірних систем
доктор фізико-математичних наук, професор
Малюкін Юрій Вікторовича
НТК ”Інститут монокристалів”, Інститут сцинтиляційних матеріалів НАН України, завідувач відділу нанокристалічних матеріалів
Провідна установа:
Київський національний університет імені Тараса Шевченка, кафедра оптики
Захист відбудеться 28 квітня 2006 р. о 1415 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45, Київ, 03028.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є.Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45 Київ, 03028.
Автореферат розісланий ____ березня 2006 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор Іщенко С.С.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми.
Сучасний науково-технічний прогрес все більше визначається розвитком нанофізики, наноелектроніки і нанотехнології. Надзвичайно стрімкими темпами розвивається фізика твердотільних низькорозмірних структур нанометрових розмірів (наноструктур). Сучасні технології дозволяють отримувати наноструктури з розмірами порядку сотень і навіть десятків постійних кристалічної гратки. Якщо характерний розмір наноструктури стає співмірним з довжиною хвилі де Бройля (лD) квазічастинки (електрона, екситона, фонона і інш.) в масивному кристалі, то внаслідок просторового обмеження вільного руху квазічастинок в двовимірних, одновимірних або нульвимірних наноструктурах, так званих квантових ямах, нитках або точках, виникає новий клас квантово-розмірних ефектів. Вільний рух в наноструктурі стає можливим лише при певних значеннях енергії, тобто енергетичний спектр квазічастинок стає квантованим. Для більшості актуальних напівпровідників величина лD складає від декількох десятків до сотень нанометрів. Створення нових наноструктур із заданою зонною структурою або із прогнозованим електронним спектром сприяє не тільки вирішенню фундаментальних квантово-механічних проблем фізики твердого тіла, пов’язаних з квантуванням енергетичного спектру носіїв струму, екситонів і фононів, але й дозволить створювати зовсім нові нано- та оптоелектронні прилади з високою ефективністю керування електронними і світловими потоками.
В останні роки поряд з дослідженнями квантово-розмірних планарних структур значна увага приділяється вивченню одно- і нульрозвимірних квантових об'єктів. На початку 90-х років перші успіхи технології молекулярно-променевої епітаксії (МПЕ) в створенні напівпровідникових квантових точок (КТ) і квантових ниток (КН) носили певний характер сенсаційності. Але незабаром стало зрозумілим, що, хоча, молекулярно-пучкова епітаксія дозволяє створювати надграткові наноструктури, негайної революції в електроніці це не передбачає. В області фізики наноструктур почався період послідовних кропітких досліджень, які проводяться в тісному контакті між фізиками і технологами.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21 



Реферат на тему: ОПТИЧНІ І СТРУКТУРНО-МОРФОЛОГІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НИЗЬКОРОЗМІРНИХ СТРУКТУР НА ОСНОВІ НАПІВПРОВІДНИКІВ А3В5 І А2В6

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок