Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОНИ в ІЄРАРХІЧНИХ нАПІВПРОВІДНИКоВИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

ЕЛЕКТРОНИ в ІЄРАРХІЧНИХ нАПІВПРОВІДНИКоВИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

Назва:
ЕЛЕКТРОНИ в ІЄРАРХІЧНИХ нАПІВПРОВІДНИКоВИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,98 KB
Завантажень:
358
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
Одеський національний університет
Євтєєв Володимир Миколайович
УДК 538.915
ЕЛЕКТРОНИ в ІЄРАРХІЧНИХ нАПІВПРОВІДНИКоВИХ
ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
01.04.10 “Фізика напівпровідників і діелектриків”.
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Одеса— 2002
Дисертація є рукописом.
Робота виконана в Криворізькому державному педагогічному університеті Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник доктор фізико-математичних наук, професор
Глушко Євген Якович, Київський інститут "Славянський університет", кафедра, вищої математики і інформатики
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
Покутній Сергій Іванович, Одеський національний університет ім. І.І. Мечникова, директор Іллічівського навчально-наукового центру.
кандидат фізико-математичних наук
Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна, інститут фізики напівпровідників НАН України, м. Київ,. старший науковий співробітник
Провідна установа: Ужгородський національний університет.
Захист відбудеться “ __29 XI 2002 року о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 41.051.01 Одеського національного університету за адресою: 65026, м. Одеса, вул. Пастера , 27. (велика фізична ауд.)
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Одеського національного університету за адресою: 65026, м. Одеса, вул. Преображенська, 24.
Автореферат розіслано 22 жовтня 2002 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради О.П. Федчук
Загальна характеристика роботи
Швидкий розвиток фундаментальних та прикладних досліджень зазначив необхідність детального вивчення фізичних об'єктів нанометрових розмірів [1-5]. Серед підходів до розрахунку електронних підсистем слід виділити два напрями [6]. Перший підхід базується на прямому конструюванні хвильових функцій і потенціалу за допомогою процедур самоузгодження. Різноманітність цих методів визначається стартовими хвильовими функціями (ХФ), які в різний спосіб враховують симетрії кристала, і способами врахування взаємодії електронів з остовами та між собою. Найбільше широко використовується модель нескінченного кристала з властивою їй трансляційною інваріантністю. Другий підхід, пов'язаний з використанням кристалічного потенціалу як вхідного параметра задачі, лежить в основі цієї роботи. У цьому підході розглядаються як моделі нескінченного кристала [7], так і моделі обмеженого кристала [8 ].
Моделі, побудовані на фундаментальних фізичних принципах, приводять до величезних обчислювальних труднощів. Феноменологічні моделі, що оперують отриманими з експерименту параметрами фізичних систем, дозволяють застосовувати досить прості математичні методи для описання явищ. Однак, і в цьому випадку, цілий ряд задач теорії залишається невирішеним. Так, наприклад, до важливих і не до кінця з'ясованих питань теорії слід віднести зв'язок ієрархії потенціалу з ієрархією спектра. Дотепер не можна вважати дослідженими границі застосування наближення трансляційної інваріантності й ефективної маси, у випадку обмежених напівпровідникових структур малого розміру.
Особливість використаного в роботі підходу полягає в тому, що не робиться допущення про нескінченність кристала, а модель будується за допомогою техніки трансфер-матриць (матриць лінійного перетворення фазового вектора, складеного з хвильової функції та її похідної по координаті одновимірного потенціалу).
Дисертація присвячена розробці підходу до моделювання електронної системи ієрархічних напівпровідникових структур.
Актуальність теми: При моделюванні складного руху електронів у шаруватих напівпровідникових системах у багатьох випадках для спрощення застосовують модель ефективної частинки, яка рухається в потенціалі, що обгинає дно зон провідності матеріалів
гетероструктури. При цьому значення ефективної маси корегується з врахуванням непараболічності дисперсійного закону. Але використання такої об'ємної характеристики, як ефективна маса, потребує свого обгрунтування для товщини шарів в 10-102 Е, характерних для сучасних конструктивних композитних матеріалів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОНИ в ІЄРАРХІЧНИХ нАПІВПРОВІДНИКоВИХ ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок