Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ДОМIШКИ ВАНАДIЮ НА ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В ТЕЛУРИДI КАДМIЮ

ВПЛИВ ДОМIШКИ ВАНАДIЮ НА ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В ТЕЛУРИДI КАДМIЮ

Назва:
ВПЛИВ ДОМIШКИ ВАНАДIЮ НА ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В ТЕЛУРИДI КАДМIЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,40 KB
Завантажень:
372
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
НАЦIОНАЛЬНА АКАДЕМIЯ НАУК УКРАЇНИ
IНСТИТУТ ФIЗИКИ НАПIВПРОВIДНИКIВ
МIЩЕНКО ЛIДIЯ АНДРIЇВНА
УДК 621.315.592
ВПЛИВ ДОМIШКИ ВАНАДIЮ НА ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ
В ТЕЛУРИДI КАДМIЮ
01.04.07-фiзика твердого тiла
Автореферат дисертацiї на здобуття наукового ступеня
кандидата фiзико-математичних наук
Київ-1998


Дисертацiєю є рукопис.
Роботу виконано в Iнститутi фiзики напiвпровiдникiв НАН України.
Науковий керiвник: доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Бєляєв Олександр Євгенович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Єрмолович Ірина Борисівна,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник;
доктор фізико-математичних наук, професор
Гнатенко Юрій Павлович,
Інститут фізики НАН України,
завідуючий відділом.
Провідна організація: Чернівецький державний університет
ім.Ю.Федьковича, кафедра напівпровідникової мікроелектроніки, Міністерство освіти України,
м.Чернівці.
Захист відбудеться “15” січня 1998р. о 1415 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: 252650, Київ-28, проспект Науки, 45.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (252650, Київ-28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий “14” грудня 1998р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради Рудько Г.Ю.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Телурід кадмію традиційно застосовується у мікро- та оптоелектрониці для виготовлення підкладок при вирощуванні епітаксіальних шарів CdTe та CdxHg1-xTe, а також для виробництва приймачів ІЧ- , гама-, та рентгенівського випромінювання.
Легування телуріду кадмію ванадієм відкриває ще одну можливість його використання як фоторефрактивного матеріалу для систем запису оптичної інформації та передачі її через волоконно-оптичні лінії зв’язку. Останнє стало можливим завдяки фоточутливості CdTe:V у важливому спектральному діапазоні (1-1.5) мкм, та великому значенню електрооптичного коефіцієнту (5.5 пм/V).
За останній час було встановлено, що легування CdTe ванадієм приводить до появи у забороненій зоні глибоких рівнів, які відіграють важливу роль в явищі фоторефракції. Але конфігурація самого дефекту ванадію, його роль у розширенні області фоточутливості CdTe в сторону більших довжин хвиль, а також природа встановлення високоомного стану матеріалу (>109 Ом см при Т=300 К) до кінця не з’ясовані.
Методом електронного парамагнітного резонансу (ЕПР) встановлено, що ванадій заміщує кадмій у вузлах решітки і знаходиться у зарядовому стані V2+/V3+. Ізольований дефект VCd2+/VCd3+ утворює глибокий донорний рівень з енергією Ес-(0.80.1) еВ, який піннінгує рівень Фермі. Масспектральний аналіз показав, що загальна концентрація ванадію у твердій фазі CdTe набагато більша, ніж його концентрація у вузлах кадмію, що свідчить про альтернативний механізм входження ванадію у CdTe. Крім того, при наявності ванадію у розплаві в концентрації 1х1018 см-3 матеріал набуває високоомного стану, що з урахуванням малого значення коефіцієнту сегрегаціі (0.02), а також значення концентрації вакансій кадмію (2-6)х1018 см-3, визначеної у рамках квазіхімічної теорії дефектів, пояснити, тільки на основі моделі ізольованого дефекту ванадію у вузлах кадмію, неможливо.
Ванадій відноситься до перехідних металів, які мають незаповнену 3d-оболонку. Теорія електронних станів домішок 3d-металів у напівпровідникових сполуках А2В6 дотепер знаходиться у стані становлення. Теоретичні розрахунки спектру та хвильових функцій глибоких домішок, визначення їх зарядових станів, поперечного перерізу захвату носіїв, g-тензорів та інш. виявляється достатньо важкою задачею, тому для їх перевірки потрібна значна кількість експериментальних результатів.
В зв’язку з цим, вивчення дефектів ванадію, їх оптичної та електричної активності виявляється важливим як з практичної точки зору, так і з чисто наукової.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ВПЛИВ ДОМIШКИ ВАНАДIЮ НА ДЕФЕКТОУТВОРЕННЯ В ТЕЛУРИДI КАДМIЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок