Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> НАПІВПРОВІДНИКОВІ КРИСТАЛИ Cd1ZnXTe ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ТА ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ

НАПІВПРОВІДНИКОВІ КРИСТАЛИ Cd1ZnXTe ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ТА ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ

Назва:
НАПІВПРОВІДНИКОВІ КРИСТАЛИ Cd1ZnXTe ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ТА ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,32 KB
Завантажень:
428
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
Науково-технологічний концерн "Інститут Монокристалів"
Інститут монокристалів
Наливайко Дмитро Петрович
УДК [548.5:546.48'47'24]:539.1.074.5
НАПІВПРОВІДНИКОВІ КРИСТАЛИ Cd1ZnXTe ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ
РЕНТГЕНІВСЬКОГО ТА ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ
01.04.10 – фізика напівпровідників та діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків-2001


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у Науково-дослідному відділенні "Оптичні та конструкційні кристали" Науково-технологічного концерну "Інститут монокристалів" НАН України.
Науковий керівник – | кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Комар Віталій Корнійович,
НДВ "Оптичні та конструкційні кристали" НТК "Інститут монокристалів" НАН України, завідувач відділу.
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
Рогачова Олена Іванівна, Національний технічний університет "Харківський політехнічний інститут" Міністерства освіти і науки України, професор;
кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Семенов Олександр Володимирович, НДВ "Оптичні та конструкційні кристали" НТК "Інститут монокристалів" НАН України, старший науковий співробітник.
Провідна установа – | Інститут фізики напівпровідників НАН України,
відділ напівпровідникових детекторів іонізуючого випромінювання.
Захист відбудеться 12 грудня 2001 р. о 14 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д .169.01, Інститут монокристалів НТК "Інститут монокристалів" НАН України, 61001, м. Харків, пр. Леніна, .
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці НТК "Інститут монокристалів" НАН України (пр. Леніна, ).
Автореферат розісланий " 8 " листопада 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
Д .169.01 Атрощенко Л.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Широкозонні напівпровідникові кристали Cd1ZnXTe (x 0,1...0,2) (CZT) в наш час є одним з найбільш перспективних матеріалів для виготовлення компактних і не потребуючих охолодження детекторів рентгенівського і гамма-випромінювання (ДРГВ). Детектори на основі кристалів CZT дозволяють реєструвати кванти в діапазоні 10 кеВ…1МеВ і мають надзвичайно високі вихідні характеристики. Такі детектори – ідеальна база для розробки нового покоління сенсорів іонізуючих випромінювань для контролю навколишнього середовища і моніторингу технологічних процесів на підприємствах атомної енергетики. Це є особливо актуальним для України з огляду на наслідки Чорнобильської аварії і загальний рівень техногенного забруднення радіоактивними ізотопами.
На сьогоднішній день високого рівня розробки досягли іноземні комерційні зразки кристалів CZT і детекторних елементів на їх основі, які виготовляються компаніями eVСША) (http://www.evproducts.com), EuroradФранція) (http://www.eurorad.com) та ін. При цьому істотним обмежуючим фактором є висока вартість цих продуктів, продиктована недоліками існуючих технологій вирощування кристалів CZT і, як наслідок, – низьким (не більше 10%) виходом якісного кристалічного матеріалу. Таким чином, єдиним шляхом для створення нового покоління радіаційних сенсорів можна вважати розробку ефективної технології вирощування кристалів CZT, що дозволила б налагодити на підприємствах України виробництво цього кристалічного матеріалу і ДРГВ на його основі.
Дана дисертаційна робота мала на меті дослідження процесів дефектоутворення у кристалах CZT при вирощуванні їх методом Бриджмена під високим тиском інертного газу (High-Pressure Bridgman, HPB). Зараз цей метод інтенсивно розробляється, як найбільш перспективний для масового виробництва кристалів CZT для виготовлення ДРГВ. При цьому процеси формування дефектів кристалічної структури в специфічних умовах методу HPB ще недостатньо вивчені, що не дозволяє подолати існуючі технологічні проблеми.
В роботі було виконано комплексне дослідження фізичних властивостей кристалів CZT з метою виявлення характерних дефектів кристалічної структури і встановлення їх зв'язку з характеристиками ДРГВ.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: НАПІВПРОВІДНИКОВІ КРИСТАЛИ Cd1ZnXTe ДЛЯ ДЕТЕКТОРІВ РЕНТГЕНІВСЬКОГО ТА ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок