Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОРМУВАННЯ І ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОСТІЙКИХ ОМІЧНИХ ТА БАР'ЄРНИХ КОНТАКТІВ ДО НВЧ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ GaAs

ФОРМУВАННЯ І ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОСТІЙКИХ ОМІЧНИХ ТА БАР'ЄРНИХ КОНТАКТІВ ДО НВЧ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ GaAs

Назва:
ФОРМУВАННЯ І ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОСТІЙКИХ ОМІЧНИХ ТА БАР'ЄРНИХ КОНТАКТІВ ДО НВЧ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ GaAs
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,06 KB
Завантажень:
25
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ім. в.Є.Лашкарьова
СТОВПОВИЙ МИХАЙЛО ОЛЕКСІЙОВИЧ
УДК 621.328.2
ФОРМУВАННЯ І ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОСТІЙКИХ ОМІЧНИХ ТА БАР'ЄРНИХ КОНТАКТІВ ДО НВЧ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ GaAs
05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ – 2005
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова Національної Академії наук України
Науковий керівник: | кандидат фізико-математичних наук
Міленін Віктор Володимирович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти: | доктор фіз.-мат. наук, професор
Литовченко Петро Григорович,
Інститут ядерних досліджень НАН України,
головний науковий співробітник
доктор фіз.-мат. наук, професор
Чайка Василь Євгенович,
Міністерство освіти і науки України, м. Київ,
Київський Університет зв'язку і телекомунікаційних технологій
Провідна установа: |
Інститут металофізики ім. Г.В.Курдюмова
НАН України, м. Київ
Захист відбудеться 29 квітня 2005 р. о 1415 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради
К 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: 03028, Київ - 28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституті фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий 28 березня 2005 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Розвиток арсенідгалієвої НВЧ мікроелектроніки вимагає удосконалення технології створення контактів метал-напівпровідник, ключових елементів цих виробів. Властиво-сті контактів визначають електричні характеристики приладів (діапазон робочих частот, рівень шумів та ін.), їх стабільність і межі інтеграції, можливості забезпечення надійної групової техно-логії їхнього виробництва.
До основних характеристик контактів варто також віднести їхню стабільність і надійність, що могли б забезпечити нормальну роботу мікроелектронного виробу протягом тривалого часу. Ці питання значною мірою пов'язані з технологією виготовлення приладу і металізації, яка викорис-товується; для досліджуваних у роботі польових транзисторів вони ще знаходяться в стадії вирі-шення, хоча до даного часу і досягнуті значні успіхи у вивченні фізико-хімічних процесів, що про-тікають у контактах метал-арсенід галію та визначають їх електрофізичні параметри. Проте, дета-льні механізми взаємодії між металами і напівпровідником, вид і кількість продуктів реакцій ще не вивчені для жодної з контактних систем такою мірою, щоб можна було цілеспрямовано керу-вати цими процесами і підбирати контактуючі пари для забезпечення в одних випадках стабільно-сті вольт-амперної характеристики і збереження бар'єрних властивостей, а в інших - низьких пи-томих контактних опорів при впливі різних фізичних факторів, в тому числі і високих температур.
Одним із шляхів підвищення термічної стійкості контактів є або усунення рушійних сил, відповідальних за внутрішні структурно-хімічні перебудови в контакті, або різке уповільнення їх-нього протікання.
Технологічні методи виготовлення контактів, що забезпечують необхідні параметри міжфаз-них кордонів в "традиційних" арсенідгалієвих приладах мікроелектроніки, повинні бути скоректо-вані при виготовленні контактів приладів, що використовують тонкі епітаксійні шари сполук АIIIBV, – польових транзисторів з високою рухливістю електронів (high electron mobility transistor - НЕМТ). Технологія створення омічних контактів до прихованих шарів у багатошаровій структурі вимагає добору системи металізації і умов термообробки, що впливає на взаємну дифузію компо-нентів контактуючих шарів і глибину проникнення атомів металу. Ці фактори, а також проблема підвищення стабільності контактів у приладах такого типу, вивчені недостатньою мірою. Крім того, існують певні методичні труднощі в оцінці якості одержуваних омічних контактів, тому що вимога мінімального питомого контактного опору до напівпровідника неадекватна вимозі мініма-льного опору приладової структури.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ФОРМУВАННЯ І ДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОСТІЙКИХ ОМІЧНИХ ТА БАР'ЄРНИХ КОНТАКТІВ ДО НВЧ ПРИЛАДІВ НА ОСНОВІ GaAs

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок