Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ДІОДНИХ СТРУКТУР НА БАЗІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ

ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ДІОДНИХ СТРУКТУР НА БАЗІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ

Назва:
ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ДІОДНИХ СТРУКТУР НА БАЗІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
7,10 KB
Завантажень:
317
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
імені Юрія Федьковича
ДЕМИЧ
МИКОЛА ВАСИЛЬОВИЧ
УДК 621.382.2
ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ДІОДНИХ СТРУКТУР НА БАЗІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ
(01.04.10- фізика напівпровідників і діелектриків)
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці - 2000
Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізичної електроніки Чернівецького державного університету імені Юрія Федьковича.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Махній Віктор Петрович, Чернівецький державний університет, професор кафедри оптоелектроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Ковалюк Захар Дмитрович, Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства НАН України, директор
доктор фізико-математичних наук, професор Корбутяк Дмитро Васильович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділом
Провідна організація: Львівський національний університет імені Івана Франка (м. Львів)
Захист відбудеться " 25 " жовтня 2000 р. о 15 год на засіданні спеціалізованої вченої ради Д76.051.01 при Чернівецькому державному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького державного університету імені Юрія Федьковича (вул. Л. Українки, 23).
Автореферат розісланий 22 вересня 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Телурид кадмію є одним з найбільш перспективних матеріалів для створення різноманітних приладів напівпровідникової електроніки, що спричинено низкою його фізико-хімічних та технічних параметрів. Відносно широка заборонена зона (Eg=1,5 еВ при 300 К) забезпечує роботу приладів в області високих температур і, крім того, є оптимальною для перетворення сонячної енергії в електричну [1]. Великі густина та атомний номер у поєднанні з високою радіаційною стійкістю сприяють ефективній та стабільній роботі виготовлених на базі CdTe детекторів у широкому діапазоні енергій іонізуючих випромінювань різних типів [2].
Разом з тим, основна увага дослідників та розроблювачів напівпровідникових приладів на основі телуриду кадмію зосереджена на резистивних детекторах [3]. У цьому напрямку уже досягнуті певні успіхи, особливо, на високоомних кристалах Cd1-хZnxTe з малим вмістом цинку [4]. Останній, виступаючи в ролі ізовалентної домішки і практично не змінюючи ширину забороненої зони CdTe, приводить до значного підвищення деяких параметрів матеріалу - радіаційної та температурної стійкості, часу життя та рухливості носіїв заряду тощо. Відмітимо, що використання бар’єрних структур для детектування є у ряді випадків більш доцільним, оскільки вони мають цілу низку переваг перед резистивними: зменшення темнових струмів і, в результаті цього, покращення відношення сигнал/шум; використання підкладинок довільної за величиною провідності, а не обов’язково високоомних; підвищення швидкодії за рахунок наявності бар’єрного поля; можливість експлуатації без зовнішнього джерела напруги тощо [5]. Однак, на сьогоднішній день, створенню таких структур і дослідженню їх властивостей присвячено недостатня кількість робіт через певні об’єктивні причини. Головними з них є відсутність досконалих технологічних методів виготовлення діодів, а також різноманітність електричних і фотоелектричних властивостей випрямляючих структур, створених навіть за однаковою технологією. Крім того вивчення та інтерпретація фотоелектричних та дозиметричних характеристик здебільшого стосуються тільки конкретних типів приладів, мають фрагментарний характер і часом суперечать одне одному. Зауважимо також, що роботи з технології та фізики сонячних елементів зосереджені на плівкових структурах, головним чином на гетеропереходах сульфід-телурид кадмію [6]. Значно менша увага приділяється кристальним фотоперетворювачам, а перспективні з цієї точки зору гетеропереходи телурид кадмію-цинку зовсім не вивчені.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРИЧНІ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ДІОДНИХ СТРУКТУР НА БАЗІ МОНОКРИСТАЛІЧНОГО ТЕЛУРИДУ КАДМІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок