Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОСОБЛИВОСТІ П'ЄЗООПОРУ В НЕОПРОМІНЕНИХ І -ОПРОМІНЕНИХ МОНОКРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ ТА КРЕМНІЮ

ОСОБЛИВОСТІ П'ЄЗООПОРУ В НЕОПРОМІНЕНИХ І -ОПРОМІНЕНИХ МОНОКРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ ТА КРЕМНІЮ

Назва:
ОСОБЛИВОСТІ П'ЄЗООПОРУ В НЕОПРОМІНЕНИХ І -ОПРОМІНЕНИХ МОНОКРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ ТА КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,33 KB
Завантажень:
428
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
ВОЛИНСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ім. ЛЕСІ УКРАЇНКИ
Хвищун Микола Вячеславович
УДК 537.311.322.(043.3)
ОСОБЛИВОСТІ П'ЄЗООПОРУ В НЕОПРОМІНЕНИХ
І -ОПРОМІНЕНИХ МОНОКРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ
ТА КРЕМНІЮ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Луцьк 2002
Дисертацією є рукопис
Робота виконана у Луцькому державному технічному університеті,
Міністерство освіти та науки України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Федосов Анатолій Васильович,
Луцький державний технічний університет,
завідувач кафедри фізики.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Бєляєв Олександр Євгенович, провідний науковий співробітник Інституту фізики напівпровідників НАН України (м. Київ);
кандидат фізико-математичних наук,
Хіврич Володимир Ількович, старший науковий співробітник відділу радіаційної фізики Інституту ядерних досліджень НАН України (м. Київ).
Провідна установа: Чернівецький національний університет ім. Ю.Федьковича,
м. Чернівці.
Захист відбудеться “ 23 ” жовтня 2002р. о 14 годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради К.32.051.01 при Волинському державному
університеті ім. Лесі Українки за адресою:м. Луцьк, вул. Потапова, 9.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Волинського державного
університету ім. Лесі Українки за адресою: м. Луцьк, вул. Винниченка , 30.
Автореферат розісланий “ 21 ” вересня 2002р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Божко В.В.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Уже більше половини століття кремній та германій набули широкого застосування у напівпровідниковій електроніці. Прилади, виготовлені на основі цих матеріалів, використовуються як у наукових дослідженнях, так і в промисловій індустрії. До них відносяться сонячні батареї, силові та високочастотні діоди, тензодатчики, фотодіоди і фотоелементи, транзистори та мікросхеми різноманітного призначення.
Підвищеною зацікавленістю дослідників є досконале вивчення електрофізичних властивостей кремнію в комплексі з більш вивченим модельним напівпровідником – германієм. Їх всебічне використання у таких експериментальних умовах, як великі навантаження, швидкозмінні температурні режими, значні електричні, магнітні та радіаційні поля, вимагає всестороннього вивчення впливу вищезгаданих факторів на властивості як кремнію, так і германію. Дуже високі вимоги в області техніки щодо надійності у роботі напівпровідникових приладів і їх стійкості спонукало дослідників до застосування методів, які дають найбільш точні і однозначні результати при визначенні основних параметрів цих матеріалів у широких інтервалах зміни зовнішніх умов. Одним з найбільш перспективних методів, який широко використовують для вивчення фізичних властивостей матеріалів, є дослідження тензоефектів, бо їх висока наукова інформативність зумовлена тим, що при одновісній пружній деформації (ОПД) змінюються як міжатомні відстані у кристалічній ґратці, так і її симетрія. Цей метод дає значну інформацію про зонну структуру (про мінімуми енергії в зоні провідності), механізми п'єзоопору, про формування хвостів густини станів у забороненій зоні, а також особливості розсіяння носіїв заряду в таких багатодолинних напівпровідниках, як кремній і германій.
Чільне місце у фізиці напівпровідників займають локалізовані стани (глибокі рівні) у забороненій зоні, які знаходяться на значній енергетичній відстані від країв дозволених зон. Незважаючи на наявність потужних і постійно вдосконалюваних методів досліджень, проблема глибоких рівнів актуальна і у теперішній час, оскільки роль глибоких рівнів необхідно враховувати при аналізі оптичних, флуктуаційних, електричних, резонансних та інших фізичних явищ у напівпровідниках. З практичної точки зору, домішкові центри з глибокими рівнями визначають спектри випромінювання світлодіодів, є центрами швидкої рекомбінації, створюють великий вплив на чутливість однорідних напівпровідників до механічних тисків.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ОСОБЛИВОСТІ П'ЄЗООПОРУ В НЕОПРОМІНЕНИХ І -ОПРОМІНЕНИХ МОНОКРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ ТА КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок