Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> КОМП`ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ЗОБРАЖЕНЬ ПОВЕРХОНЬ I КОНТАКТНИХ ВЗАЄМОДIЙ В АТОМНО-СИЛОВОМУ МIКРОСКОПI

КОМП`ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ЗОБРАЖЕНЬ ПОВЕРХОНЬ I КОНТАКТНИХ ВЗАЄМОДIЙ В АТОМНО-СИЛОВОМУ МIКРОСКОПI

Назва:
КОМП`ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ЗОБРАЖЕНЬ ПОВЕРХОНЬ I КОНТАКТНИХ ВЗАЄМОДIЙ В АТОМНО-СИЛОВОМУ МIКРОСКОПI
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
21,16 KB
Завантажень:
100
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НАЦIОНАЛЬНА АКАДЕМIЯ НАУК УКРАЇНИ
IНСТИТУТ ПРОБЛЕМ МАТЕРIАЛОЗНАВСТВА iм. I. М. ФРАНЦЕВИЧА
`
Покропивний Олексiй Володимирович
УДК: 531.36: 535.312: 538.975:
539.25: 539.389: 539.538: 539.61
КОМП`ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ЗОБРАЖЕНЬ ПОВЕРХОНЬ
I КОНТАКТНИХ ВЗАЄМОДIЙ В АТОМНО-СИЛОВОМУ МIКРОСКОПI
Спецiальнiсть 01.04.07 - “Фiзика твердого тiла”
АВТОРЕФЕРАТ
дисертацiї на здобуття наукового ступеня
кандидата фiзико-математичних наук
Київ - 2003
Дисертацiєю є рукопис
Робота виконана в Iнститутi проблем матерiалознавства iм. I.М.Францевича Нацiональної академiї наук України
Науковий керiвник кандидат технiчних наук,
старший науковий спiвробiтник,
Огороднiков Валерiй Володимирович,
Iнститут проблем матерiалознавства НАН України, старший науковий спiвробiтник
Офiцiйнi опоненти:
доктор фiзико-математичних наук, професор, Куницький Юрiй Анатольович, Технiчний центр НАН України, завiдуючий вiддiлом фiзики наноструктурних матерiалiв
доктор фiзико-математичних наук, старший науковий спiвробiтник,
Горячев Юрiй Михайлович, Iнститут проблем матерiалознавства НАН України, провiдний науковий спiвробiтник
Провiдна установа
Київський нацiональний унiверситет iм. Тараса Шевченка, м.Київ
Захист вiдбудеться “__9__” __квiтня__ 2003 р. о _14_ годинi на засiданнi спецiалiзованої вченої ради Д 26.207.01 в Iнститутi проблем матерiалознавства НАН України за адресою: 03142, м. Киiв, вул. Кржижанiвського, 3.
З дисертацiєю можна ознайомитись у бiблiотецi IПМ НАН України за адресою: 03142, м. Киiв, вул. Кржижанiвського, 3.
Автореферат розiсланий “__5__” __березня__ 2003 р.
Вчений секретар
спецiалiзованої вченої ради Падерно Ю.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Вступ. Скануюча зондова мiкроскопiя на початку нового тисячолiття стала окремою i самостiйною областю фiзики, матерiалознавства i нанотехнологiй. В арсенал експериментальних методiв дослiдження i дiагностики поверхонь в дослiдницьких iнститутах i заводських лабораторiях добавились унiкальнi прилади - скануючi зондовi мiкроскопи (СЗМ), зокрема, скануючий тунельний мiкроскоп (СТМ) i атомно-силовий мiкроскоп (АСМ), що стали незамiнними iнструментами як для прикладних, так i фундаментальних дослiджень на наноскопiчному рiвнi. По багатьом своїм показникам СЗМ не поступаються електронним мiкроскопам, перевершують мiкротвердомiри i профiлометри. Достоїнства СЗМ полягають в їх вiдноснiй дешевизнi, компактностi, низькiй енергоємкостi, високiй ступенi автоматизацiї i швидким одержанням результатiв з високим, майже атомним, роздiленням. До переваги СЗМ можна вiднести стоворення на їх основi методiв модифiкацiї поверхонь i нанолiтографiї для запису iнформацiї високої щiльностi, створення елементiв надмалих електронних пристроїв та iнтегральних схем.
Актуальнiсть теми. Одними iз найважливiших проблем АСМ є проблеми описання взаємодiї вiстря кантилевера з поверхнею i збереження стабiльної форми кiнчика вiстря пiд час роботи. Цi проблеми стають ключовими, коли мова йде про атомне роздiлення, атомне манiпулювання або отримання фундаментальних характеристик поверхнi. Володiти iнформцiєю про структуру кiнчика зонда, про критичнi навантаження, про передумови деформацiй, зносу i т.п. - значить володiти ключем не тiльки до адекватностi одержаних результатiв, але й до продовження ресурсу роботи кантилеверiв. Для одержання такої iнформацiї стали розвиватись теоретичнi i модельнi уявлення, особливо для iнтерпретацiї результатiв експериментiв i пошуку нових явищ в областi контакної взаємодiї. Зусилля теоретикiв, як правило, спрямованi на рiшення конкретного типу задач, що лежать в межах одного масштабного рiвня. На електронному рiвнi розгляду контакту (<0.1 нм) взаємодiють електроннi оболонки атомiв вiстря i близьколежачих атомiв поверхнi. На цьому рiвнi вивчається поточний хiмiчний стан контакту. На атомному i молекулярному рiвнях (~1 нм) контакт представляє собою взаємодiю атомних кластерiв кiнчика вiстря i пiдкладинки. На цьому рiвнi вивчаються явища адгезiї, дифузiї, атомних деформацiй та iн.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: КОМП`ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ ЗОБРАЖЕНЬ ПОВЕРХОНЬ I КОНТАКТНИХ ВЗАЄМОДIЙ В АТОМНО-СИЛОВОМУ МIКРОСКОПI

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок