Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВИКОРИСТАННЯ СКАНУЮЧОЇ ТУНЕЛЬНОЇ МІКРОСКОПІЇ ДЛЯ ВИВЧЕННЯ СТРУКТУРИ ПОВЕРХНІ ТВЕРДИХ ТІЛ – ПРОВІДНИКІВ

ВИКОРИСТАННЯ СКАНУЮЧОЇ ТУНЕЛЬНОЇ МІКРОСКОПІЇ ДЛЯ ВИВЧЕННЯ СТРУКТУРИ ПОВЕРХНІ ТВЕРДИХ ТІЛ – ПРОВІДНИКІВ

Назва:
ВИКОРИСТАННЯ СКАНУЮЧОЇ ТУНЕЛЬНОЇ МІКРОСКОПІЇ ДЛЯ ВИВЧЕННЯ СТРУКТУРИ ПОВЕРХНІ ТВЕРДИХ ТІЛ – ПРОВІДНИКІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
9,26 KB
Завантажень:
40
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ МЕТАЛОФІЗИКИ ім. Г.В.КУРДЮМОВА
На правах рукопису
ПРЯДКІН Сергій Леонідович
ВИКОРИСТАННЯ СКАНУЮЧОЇ ТУНЕЛЬНОЇ МІКРОСКОПІЇ ДЛЯ ВИВЧЕННЯ СТРУКТУРИ ПОВЕРХНІ ТВЕРДИХ ТІЛ – ПРОВІДНИКІВ
Спеціальність 01.04.18 – фізика і хімія поверхні
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ –1998
Дисертацією є рукопис
Работа виконана в Інституті фізики твердого тіла Російської Академії Наук
Науковий керівник - доктор фізико-математичних наук
Цой Валерій Степанович
Інститут фізики твердого тіла РАН
Офіційні опоненти – чл.-кор. НАН України, доктор
фізико-математичних наук,
професор Черепін ВалентинТихонович
Інститут металофізики ім.Г.В.Курдюмова НАН України
- кандидат фізико-математичних наук
Бєкєтов Генадій Васильович
Інститут фізики напівпровідників
Провідна установа – Інститут фізики НАН України, м.Київ
Захист відбудеться “_23_” грудня_ 1998_року о 15__ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.168.01 при Інституті металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України за адресою: м.Київ, бульв. акад. Вернадського, 36, конференц-зал Інституту металофізики
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту металофізики за адресою м.Київ, бульв. акад. Вернадського, 36
Автореферат розісланий “21_” _листопада__1998 р.
Вчений секретар
Спеціалізованої вченої ради Піщак В.К.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми
З моменту винаходу у 1982 році [1] скануючого тунельного мікроскопу (СТМ), цей прилад увійшов в групу найпоширеніших фізичних приладів для дослідження поверхні твердих тіл, полімерів та органічних сполук.
Великий інтерес до СТМ пов’язаний із комбінацією декількох властивостей:
-
висока просторова роздільна здатність;
-
можливість електронної спектроскопії поверхні з тією ж роздільною здатністю;
-
можливість отримувати зображення поверхні не лише у вакуумі, але й в атмосферних умовах та в рідинах, що дуже сильно поширює галузь застосування методики.
З кожним роком виникають нові модифікації СТМ та поширюється кількість напрямків його використання. Серед найважливіших галузей застосування СТМ знаходяться:
1) визначення структури та електронних властивостей поверхні на атомному рівні, вивчення адсорбції та діфузії атомів та молекул, хімічних реакцій з участю адсорбантів;
2) дослідження морфології поверхні на масштабі 1нм – 1мкм з метою з’ясування процесів росту, електрохімічного травлення, іонного розпилювання, а також для вивчення процесів розсіювання на реальній поверхні;
3) літографічна модифікація поверхні за допомогою СТМ.
В багатьох наукових лабораторіях використовуються, вдосконалюються та виготовляються різноманітні спеціалізовані СТМ. І хоч багато відомих фірм пропонує комерційні мікроскопи, але розвиток цієї методики в лабораторії дозволяє пристосувати її до нестандартних вимірюваннь та зекономити кошти.
Мета дисертаційної роботи
Розробка багатофункційного скануючого тунельного мікроскопу, розвиток методичних можливостей СТМ та їх використання для вирішення експериментальних задач в різних галузях фізики твердого тіла, серед яких:
-
з’ясування причин анізотропії віддзеркалення електронів проводимості від реальної поверхні вольфраму з орієнтацією (110) та (100), знайдену за допомогою поперечною фокусування електронів ([2],[3]);
-
отримання тунельних спектрів сколу поверхні високотемпературного надпровідника YBa2Cu3O7-x та визначення величини надпровідної щілини;
-
розробка методів літографічної модифікації поверхні Si(111) у надвисокому вакуумі на нанометровому масштабі.
Наукова новизна роботи
1)
Розроблено оригінальний пристрій надвисоковакуумного СТМ з експонуванням поверхні, що вивчається, в різних газах in situ та з системою приготування кристаличної поверхні та вістря. Параметри пристрою були визначені при вивченні поверхні Cu (100). За допомогою СТМ зображень було підтверджено, що поверхня Cu(100) не реконструйована.
1)
Проведено вивчення поверхні (100) та (110) вольфрама за допомогою СТМ та з’ясовані причини анізотропії віддзеркалення електронів проводимості вздовж нормалі до поверхні.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5 



Реферат на тему: ВИКОРИСТАННЯ СКАНУЮЧОЇ ТУНЕЛЬНОЇ МІКРОСКОПІЇ ДЛЯ ВИВЧЕННЯ СТРУКТУРИ ПОВЕРХНІ ТВЕРДИХ ТІЛ – ПРОВІДНИКІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок