Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат безкоштовно: ЕПІТАКСІАЛЬНІ НАДГРАТКИ ТА КВАНТОВІ СТРУКТУРИ З МОНОХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ, ОЛОВА, ЄВРОПІЮ ТА ІТЕРБІЮ

ЕПІТАКСІАЛЬНІ НАДГРАТКИ ТА КВАНТОВІ СТРУКТУРИ З МОНОХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ, ОЛОВА, ЄВРОПІЮ ТА ІТЕРБІЮ / сторінка 6

Назва:
ЕПІТАКСІАЛЬНІ НАДГРАТКИ ТА КВАНТОВІ СТРУКТУРИ З МОНОХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ, ОЛОВА, ЄВРОПІЮ ТА ІТЕРБІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
28,10 KB
Завантажень:
53
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 
1). Підбираючи пари матеріалів з різною величиною невідповідності їх параметрів грат (f = 13 - 2 %), можна змінювати період сітки ДН в широких межах (DДН = 3,3 - 23 нм) (Табл. 2).
Рис. 1. Електронно-мікроскопічні зображення (ліворуч) та електронограми (праворуч) плівок YbS-PbSe (а), YbS-PbS (б) та YbSe-PbSe (в). ДН - дислокації невідповідності. ДР - дислокаційні рефлекси.
Для орієнтації (111) є можливість керування дислокаційними структурами шляхом зміни ступеню вакууму. Для цієї орієнтації сітки ДН формуються тільки при вирощуванні багатошарових структур в умовах високого вакууму (Рост < 10-7 Па). Погіршення вакууму (Рост > 10-6 Па) призводить до зміни механізму росту від пошарового до островкового, в результаті чого виростають монокристалічні плівки халькогенідів без ДН на міжфазних межах (111).
ДН компенсують невідповідність решіток суміжних шарів і локалізують напруги та деформації, викликані цією невідповідністю, поблизу міжфазної межі у вигляді періодичних модуляцій. Величина дислокаційних напруг достатня для модуляції забороненої зони напівпровідника і, враховуючи високу регулярність та періодичність ДН (на яких можна спостерігати дифракцію електронів – появу дислокаційних рефлексів на електронограмах), їх можна розглядати як новий тип двовимірних надграток з періодичною модуляцією структури в міжфазній площині.
Таблиця 2.
Розрахункові значення невідповідності (f), періоду ДН (D) та експериментальні значення критичної товщини введення ДН (hc) і мінімальної товщини шарів для формування надграток (hm).
СР | f, % | D, нм | hc, нм | hm, нм
EuS-PbS
YbTe-SnTe
EuSe-PbSe
YbSe-PbS
EuTe-PbTe
PbTe-SnTe
EuS-PbSe
PbSe-PbS
SnTe-PbS
EuSe-PbS
YbSe-PbSe
EuSe-PbTe
YbS-PbS
PbTe-PbSe
EuTe-PbSe
EuS-PbTe
YbS-PbSe
PbTe-PbS
YbSe-PbTe
EuTe-PbS
YbS-PbTe | 0,5
0,6
0,9
0,9
2,0
2,1
2,5
3,1
3,3
4,0
4,1
4,4
4,8
5,3
7,2
7,7
7,9
8,3
9,2
10,0
13,0 | -
-
-
-
23,0
23,0
20,0
13,0
13,0
12,0
10,0
10.0
8,5
8,4
6,2
5,7
5,2
5,2
4,7
4,3
3,3 | -
-
-
-
15
12
10
8
7
6
5
4
3
3
2
1
1
1
1
1
1 | 0,6
0,8
1,0
1,0
1,2
1,4
1,5
1,5
1,6
1,8
2,0
2,0
2,0
2,0
3,0
3,0
3,5
3,5
4,0
4,0
5,0
Одним з найбільш ефективних методів контролю періодичних структур є рентгенівська дифракція, коли на дифрактограмах багатошарових структур замість бреггівських рефлексів від кожного матеріалу з’являється інтерференційна картина когерентного розсіювання, що складається з рефлексів-сателітів (Рис.2.а), відстань між якими визначається періодом НГ.
Біля первинного пучка спостерігається аналогічна система піків-сателітів, положення яких також визначається періодом НГ, але з урахуванням заломлення, яке стає значним при малих кутах. При дослідженнях багатошарових структур “на просвіт” можна визначити товщину шарів, при якій спостерігається зрив псевдоморфізму (або введення ДН) за розщепленням псевдоморфного рефлексу на два окремих, що відповідають кожному шару. Таким чином можна визначити критичну товщину шарів для формування ДН, що і було зроблено для кожної пари матеріалів, а результати наведені в Табл. 2. В цій же таблиці наведені значення мінімальної товщини шарів, за якої можливо створення надграток, що визначалося за присутністю рефлексів-сателітів першого порядку.
Рис. 2. Криві рентгенівської дифракції поблизу рефлекса (200) для НГ PbSe-PbS з періодом 20 нм в початковому стані (а) та після відпалу при температурі 543 К на протязі 10 годин (б) та 78 годин (в). Sn - рефлекси-сателіти.
Результати структурних досліджень систематизовані і представлені у вигляді наступного узагальнення. На основі халькогенідних напівпровідників реалізовані три типи надграткових наноструктур:
Одновимірні (композиційні) надгратки, які синтезуються при малих невідповідностях і товщинах шарів, менших критичних для введення ДН.
Двовимірні (дислокаційні) надгратки, при великих невідповідностях і товщинах шарів, більших критичних для введення ДН.
Тривимірні (дислокаційно-композиційні) надгратки, що є комбінацією перших двох.
Четвертий розділ “Взаємодифузія в надгратках”. Надгратки відкривають широкі можливості як для фун-да-мен-таль-них досліджень, так і для створення нових функціональних елементів мікроелектроніки, ІЧ-техніки, оптоелектроніки.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: ЕПІТАКСІАЛЬНІ НАДГРАТКИ ТА КВАНТОВІ СТРУКТУРИ З МОНОХАЛЬКОГЕНІДІВ СВИНЦЮ, ОЛОВА, ЄВРОПІЮ ТА ІТЕРБІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок