Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ТРАНСФОРМАЦІЯ РЕКОМБІНАЦІЙНИХ МЕХАНІЗМІВ, ПІДВИЩЕННЯ КВАНТОВОГО ВИХОДУ ТА ГЕНЕРАЦІЯ ВИПРОМІНЮВАННЯ В CdxHg1xTe І InSb ПІД ВПЛИВОМ ОДНОВІСНОГО НАПРУЖЕННЯ

ТРАНСФОРМАЦІЯ РЕКОМБІНАЦІЙНИХ МЕХАНІЗМІВ, ПІДВИЩЕННЯ КВАНТОВОГО ВИХОДУ ТА ГЕНЕРАЦІЯ ВИПРОМІНЮВАННЯ В CdxHg1xTe І InSb ПІД ВПЛИВОМ ОДНОВІСНОГО НАПРУЖЕННЯ

Назва:
ТРАНСФОРМАЦІЯ РЕКОМБІНАЦІЙНИХ МЕХАНІЗМІВ, ПІДВИЩЕННЯ КВАНТОВОГО ВИХОДУ ТА ГЕНЕРАЦІЯ ВИПРОМІНЮВАННЯ В CdxHg1xTe І InSb ПІД ВПЛИВОМ ОДНОВІСНОГО НАПРУЖЕННЯ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,93 KB
Завантажень:
370
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
СТАРИЙ СЕРГІЙ ВАСИЛЬОВИЧ
УДК 621.315.592
ТРАНСФОРМАЦІЯ РЕКОМБІНАЦІЙНИХ МЕХАНІЗМІВ,
ПІДВИЩЕННЯ КВАНТОВОГО ВИХОДУ ТА ГЕНЕРАЦІЯ ВИПРОМІНЮВАННЯ
В CdxHg1xTe І InSb ПІД ВПЛИВОМ ОДНОВІСНОГО НАПРУЖЕННЯ
(01.04.07 - фізика твердого тіла)
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2002
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників
Національної Академії наук України, м.Київ.
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук, професор
Шепельський Георгій Анатолійович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Берченко Микола Миколайович,
Національний технічний Університет “Львівська
політехніка”, професор.
кандидат фізико-математичних наук
Федоренко Леонід Леонідович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
старший науковий співробітник
Провідна установа: |
Національний Університет ім.Т.Шевченка,
фізичний факультет, кафедра оптики, м.Київ
Захист відбудеться | 15 березня 2002 р. о 1630 год.
на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01
в Інституті фізики напівпровідників НАН України
за адресою: 03028, Київ - 28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий 12.02. лютого 2002 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Вузькозонні напівпровідники (ВН), насамперед CdxHg1xTe, а також InSb відносяться до основних матеріалів напівпровідникової оптоелектроніки в середньому інфрачервоному (ІЧ) діапазоні випромінювання. В першу чергу, це пов'язано з широким використанням їх як матеріалу для виготовлення приймачів випромінювання, що працюють в режимі власної фотопровідності (ФП), фото е.р.с. або фотомагнітного ефекту (ФМЕ). В основі роботи цих приладів лежать процеси, які характеризуються відхиленням від рівноваги концентрації або середньої енергії носіїв струму. Серед цих процесів важливе місце займають процеси рекомбінації нерівноважних носіїв заряду (ННЗ), вивчення яких необхідне для вдосконалення вже існуючих і створення принципово нових фотоелектричних приладів.
На відміну від звичайних напівпровідників, де нерівноважні явища, головним чином, залежать від станів енергетичних домішок і дефектів у забороненій зоні, в ВН ці процеси в актуальному температурному діапазоні визначаються параметрами власної зонної структури. Так, мала ширина забороненої зони і велике відношення ефективних мас дірок і електронів обумовлюють конкуренцію у ВН декількох механізмів рекомбінації, серед яких, на відміну від широкозонних напівпровідників, важливе місце займають саме міжзонні механізми: випромінювальна і ударна (або Оже-) рекомбінації. В той же час, саме завдяки вказаним вище особливостям, енергетичний спектр ВН є надзвичайно чутливим до зовнішніх впливів: електричного і магнітного полів, одновісної деформації та ін. Тому виявляється цікавим питання про можливість керованої трансформації енергетичного спектру напівпровідника за допомогою певного зовнішнього направленого впливу з тим, щоб змінити важливі з практичної точки зору параметри ННЗ, в тому числі і характер рекомбінаційних процесів, що дасть, в свою чергу, змогу створити оптоелектричні прилади з певними заданими властивостями і характеристиками. Так, наприклад, у ВН перевага в області власної провідності Оже-рекомбінації заважає розробці на їхній основі ефективних емітерів випромінювання: світлодіодів, напівпровідникових лазерів. Тому зменшення під дією зовнішнього впливу темпу міжзонної безвипромінювальної рекомбінації дало б можливість підвищити граничні параметри джерел випромінювання в близькій і середній ІЧ області. В той же час пригнічення Оже-рекомбінації повинне підвищити фоточутливість матеріалу в актуальному температурному діапазоні.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ТРАНСФОРМАЦІЯ РЕКОМБІНАЦІЙНИХ МЕХАНІЗМІВ, ПІДВИЩЕННЯ КВАНТОВОГО ВИХОДУ ТА ГЕНЕРАЦІЯ ВИПРОМІНЮВАННЯ В CdxHg1xTe І InSb ПІД ВПЛИВОМ ОДНОВІСНОГО НАПРУЖЕННЯ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок