Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ШАРІВ СЕЛЕНІДУ КАДМІЮ, ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ ТВЕРДОФАЗНОГО ЗАМІЩЕННЯ

ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ШАРІВ СЕЛЕНІДУ КАДМІЮ, ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ ТВЕРДОФАЗНОГО ЗАМІЩЕННЯ

Назва:
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ШАРІВ СЕЛЕНІДУ КАДМІЮ, ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ ТВЕРДОФАЗНОГО ЗАМІЩЕННЯ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,39 KB
Завантажень:
183
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ЧЕРНIВЕЦЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНIВЕРСИТЕТ
iм. Юрія ФЕДЬКОВИЧА
Стець
ОЛЕНА ВІКТОРІВНа
УДК 548.741+548.734
ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ШАРІВ СЕЛЕНІДУ КАДМІЮ, ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ ТВЕРДОФАЗНОГО ЗАМІЩЕННЯ
01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат
дисертацiї на здобуття наукового ступеня
кандидата фiзико-математичних наук
Чернiвцi - 2000


Дисертацiєю є рукопис.
Роботу виконано на кафедрi фiзики твердого тiла Чернiвецького державного унiверситету iм. Юрія Федьковича.
Науковий керiвник: доктор фiзико-математичних наук,
професор Фодчук Ігор Михайлович,
Чернівецький державний університет,
професор кафедри фізики твердого тіла
Офiцiйнi опоненти: доктор фiзико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Прокопенко Ігор Васильович,
Інститут фізики напівпровідників
НАН України, м. Київ, завідувач відділом
доктор фiзико-математичних наук,
професор Ніцович Богдан Михайлович,
Чернівецький державний університет,
завідувач кафедри оптики і спектроскопії
Провiдна установа: Iнститут фізики НАН України, м. Київ.
Захист вiдбудеться “29” вересня 2000 р. о 15-iй годинi на засiданнi спецiалiзованої вченої ради Д76.051.01 при Чернiвецькому державному унiверситетi ім. Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернiвцi, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацiєю можна ознайомитись у бiблiотецi Чернiвецького державного унiверситету iм. Юрія Федьковича (вул. Л.Українки, 23).
Автореферат розiсланий “25” серпня 2000р.
Вчений секретар
спецiалiзованої вченої Ради М.В. Курганецький


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми.
Розвиток сучасної твердотільної електроніки постійно розширює діапазон вимог, які ставляться до базових матеріалів. Оскільки число "добре освоєних" напівпровідників поки що відносно невелике, то головною тенденцією на даний час є синтез нових матеріалів з необхідними властивостями. Іншим альтернативним напрямком може бути розробка нетрадиційних технологій цілеспрямованої зміни структурних та енергетичних параметрів відомих напівпровідників, до яких відноситься і селенід кадмію. Він уже давно використовується для створення багатьох твердотільних електронних приладів та пристроїв - високочутливих фотоприймачів, сонячних елементів, фотопотенціометрів, оптичних пірометрів, тензодавачів, акустоелектричних перетворювачів та підсилювачів, лазерів тощо [1-4]. Їх основою можуть бути як об’ємні монокристали, так і моно- або полікристалічні плівки селеніду кадмію. Відзначимо також, що CdSe нарівні з CdS, досить часто служить модельним напівпровідником при вивченні багатьох нерівноважних процесів в інших складних сполуках [5].
Відомо [6], що селенід кадмію в залежності від умов виготовлення може мати гексагональну (-CdSe) або кубічну (-CdSe) структури. Проте, переважна більшість теоретичних та експериментальних робіт присвячена дослідженням вюрцитної модифікації. Це зумовлено низкою причин, головна з яких пов'язана з часовою і температурною нестабільністю сфалеритної структури. Так, зокрема, об'ємні кристали -CdSe можна виростити з водного розчину при кімнатних температурах, але уже при 400 К вони частково переходять в -модифікацію [6]. Високоорієнтовані шари і плівки цього матеріалу, які виготовлені традиційними технологічними методами, здебільшого мають гексагональну або змішану структуру [7,8]. Кубічну модифікацію можна отримати при відносно низьких температурах синтезу, але, як правило, вона нестабільна в часі. Дослідження -CdSe, в основному, присвячені вивченню впливу параметрів підкладинок та технологічних умов виготовлення плівок на їх фазовий склад і структурну досконалість. Перехід вюрцитної структури у сфалеритну може відбуватися також при великих (2,2-3,2 ГПа) гідростатичних тисках [8], проте дослідження таких об'єктів представляє чисто академічний інтерес.
Зазначені фактори, а також недостатня вивченість фізичних властивостей -CdSe, обмежують використання цього матеріалу в твердотільній електроніці. Разом з цим, ширина забороненої зони Eg селеніду кадмію кубічної модифікації майже на 0,3 еВ більша від Eg гексагональної, що дозволяє розширити спектральні характеристики у короткохвильову область.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ШАРІВ СЕЛЕНІДУ КАДМІЮ, ОТРИМАНИХ МЕТОДОМ ТВЕРДОФАЗНОГО ЗАМІЩЕННЯ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок