Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОННІ РЕЛАКСАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ ПРИПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ КРИСТАЛІВ ЦЕЗІЙ ГАЛОЇДІВ ТА ЕКЗОЕМІСІЯ ЕЛЕКТРОНІВ

ЕЛЕКТРОННІ РЕЛАКСАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ ПРИПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ КРИСТАЛІВ ЦЕЗІЙ ГАЛОЇДІВ ТА ЕКЗОЕМІСІЯ ЕЛЕКТРОНІВ

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ РЕЛАКСАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ ПРИПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ КРИСТАЛІВ ЦЕЗІЙ ГАЛОЇДІВ ТА ЕКЗОЕМІСІЯ ЕЛЕКТРОНІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,49 KB
Завантажень:
47
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
 
ПРИКАРПАТСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ВАСИЛЯ СТЕФАНИКА
На правах рукопису
Мельник Оксана Ярославівна
УДК 537.533.2
ЕЛЕКТРОННІ РЕЛАКСАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ
ПРИПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ КРИСТАЛІВ ЦЕЗІЙ ГАЛОЇДІВ
ТА ЕКЗОЕМІСІЯ ЕЛЕКТРОНІВ
01.04.18 – фізика і хімія поверхні
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Івано-Франківськ – 2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики напівпровідників
Львівського національного університету імені Івана Франка Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук, доцент
Галій Павло Васильович,
Львівський національний університет імені Івана Франка.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Дмитрук Микола Леонтійович,
завідувач відділу поляритонної оптоелектроніки Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, м. Київ;
доктор фізико-математичних наук, професор
Волошиновський Анатолій Степанович,
завідувач кафедри експериментальної фізики
Львівського національного університету імені Івана Франка, м. Львів.
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, м. Київ.
Захист відбудеться “ 23 ” грудня 2005р. о1100 год. на засіданні спеціалізованої вченої Ради Д 20.051.06 при Прикарпатському національному університеті імені Василя Стефаника за адресою м. Івано-Франківськ, вул. Т. Шевченка, 57.
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Прикарпатського національного університету імені Василя Стефаника: 76025, Івано-Франківськ, вул. Т. Шевченка, 57.
Відгуки на автореферат у двох примірниках, завірені печаткою, просимо надсилати за адресою: 76025, м. Івано-Франківськ, вул. Т. Шевченка, 57, вченому секретарю спеціалізованої вченої Ради Д .051.06.
Автореферат розісланий 21листопада 2005 року.
Вчений секретар
спеціалізованої Ради Д .051.06
доктор технічних наук, професор Г.О. Сіренко


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Коло практичних задач, у яких суттєве значення має поверхня та приповерхневий шар матеріалів, що широко використовуються у мікроелектронних планарних та зараз у наноелектронних технологіях, постій-но розширюється. Особливе зацікавлення викликають процеси, що протікають на поверхні та у приповерхневому шарі напівпровідників і діелектриків, а однією з основних характеристик цих областей є наявність дефектів обробки. Для дослідження електронних властивостей поверхні твердого тіла застосовуються численні методи електронно-емісійної спектроскопії, одним з яких є метод релаксаційної екзоелектронної емісійної спектроскопії дефектів поверхні та приповерхневих шарів. Екзоелектронна емісія (ЕЕЕ) є одним з найбільш чутливих і неруйнівних методів виявлення та дослідження поверхневих дефектів, водночас процеси на поверхні, що приводять до її появи, досліджені недостатньо, а їх теоретичний опис, як і самого явища ЕЕЕ, майже відсутній.
Дослідження природи радіаційних дефектів, механізми їх утворення та перетворення у приповерхневих шарах – всі ці завдання допомагає розв’язувати високочутливий неруйнівний релаксаційний метод, що ґрунтується на використанні явища ЕЕЕ. На даному етапі досліджень найбільш розвинений екзоемісійний аналіз діелектричних матеріалів, серед яких: ствердлі благо-родні гази; широкозонні лужно-галоїдні та окисні кристали – як матеріали запису та відображення інформації. Кристали CsBr з домішкою Eu є перспективними для запису інформації Х-випромінюванням, а кристали твердих розчинів CsI-CsBr різних концентрацій використовуються як ефективні сцинтилюючі матеріали у перетворювачах іонізуючого випромінювання.
Тому дослідження ЕЕЕ радіаційно опромінених кристалів цезій галоїдів, процесів релаксаційної генерації екзоелектронів, їх розсіяння при русі до поверхні, подолання ними поверхневого енергетичного бар’єру разом з теоретичним описом явища слід вважати актуальними і такими, що сприяють розвитку і вдосконаленню методів релаксаційної екзоелектронної емісійної спектроскопії.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ РЕЛАКСАЦІЇ РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ ПРИПОВЕРХНЕВОГО ШАРУ КРИСТАЛІВ ЦЕЗІЙ ГАЛОЇДІВ ТА ЕКЗОЕМІСІЯ ЕЛЕКТРОНІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок