Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Явища ЕЛЕКТРО- ТА ТЕПЛОПЕРЕНОСУ в АНІЗОТРОПНИХ напівпровідникАх

Явища ЕЛЕКТРО- ТА ТЕПЛОПЕРЕНОСУ в АНІЗОТРОПНИХ напівпровідникАх

Назва:
Явища ЕЛЕКТРО- ТА ТЕПЛОПЕРЕНОСУ в АНІЗОТРОПНИХ напівпровідникАх
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,84 KB
Завантажень:
207
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
ЧЕРНIВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНIВЕРСИТЕТ
iмені ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
ГУЦУЛ
ІВАН ВАСИЛЬОВИЧ
УДК [537.311.33]: 621.315. 592
Явища ЕЛЕКТРО- ТА ТЕПЛОПЕРЕНОСУ в
АНІЗОТРОПНИХ напівпровідникАх
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертацiї на здобуття наукового ступеня
доктора фiзико-математичних наук
Чернiвцi - 2000


Дисертацiєю є рукопис.
Робота виконана на кафедрi теоретичної фiзики
Чернiвецького національного унiверситету iмені Юрія Федьковича.
Науковий консультант:
доктор технічних наук, старший науковий співробітник
Ащеулов Анатолій Анатолійович,
Інститут термоелектрики НАН України, Чернівці,
головний науковий співробітник
Офiцiйнi опоненти:
доктор фiзико-математичних наук, професор
Баранський Петро Іванович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України, Київ,
головний науковий співробітник
доктор фiзико-математичних наук, професор
Снарський Андрій Олександрович,
Національний університет “Київська політехніка”,
професор кафедри загальної і теоретичної фізики
доктор фiзико-математичних наук, професор
Горлей Петро Миколайович,
Чернівецький національний університет,
завідувач кафедри фізичної електроніки
Провiдна установа:
Львівський національний університет імені Івана Франка,
фізичний факультет.
Захист вiдбудеться “30” березня_2001 р. о 15 годинi на засiданнi спецiалiзованої вченої ради Д76.051.01 при Чернiвецькому національному унiверситетi імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернiвцi, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацiєю можна ознайомитись у бiблiотецi Чернiвецького національного унiверситету iмені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розiсланий “28” лютого 2001р.
Вчений секретар
спецiалiзованої вченої ради М.В. Курганецький


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми досліджень. Нерівноважні процеси в анізотропних напівпровідниках суттєво залежать від взаємодії носіїв заряду з неоднорідностями гратки. Ними можуть бути домішкові атоми (як іонізовані, так і нейтральні), структурні дефекти (дислокації, вакансії, границі кристалів), коливання атомів гратки (фонони), самі носії (електрони або дірки) та інші квазічастинки. Взаємодія носіїв заряду з неоднорідностями та квазічастинками кристала, в кінцевому рахунку, і визначає реальні величини всіх кінетичних коефіцієнтів. Відносна роль кожного з можливих механізмів розсіяння залежить від багатьох факторів, таких як температура гратки, концентрація домішок і носіїв, величина прикладених полів і т.ін.
Дослідження напівпровідників, пов’язані з вивченням явищ переносу, є одним із найбільш ранніх досліджень у фізиці твердого тіла. Розвиток теорії та експерименту дозволив установити температурні, польові та інші залежності кінетичних коефіцієнтів, пояснити ці залежності і визначити велике число параметрів і констант багатьох напівпровідникових кристалів. Знання точної кількісної теорії кінетичних ефектів дає можливість широкого практичного використання їх у науці і техніці.
У перших дослідженнях з теорії анізотропного розсіяння не було загальної постановки задачі і розгляду анізотропного розсіяння з точки зору загальних принципів. У 1956 році з’явилась відома праця Херрінга і Фогта, в якій запропоновано загальну постановку питання теорії анізотропного розсіяння, але глибокого розвитку ця ідея в даній праці не одержала. Пізніше в працях А.Г.Самойловича і співавторів була викладена теорія анізотроного розсіяння носіїв заряду для напівпровідників типу n-Ge, яка набула успішного застосування в подальших дослідженнях. Одним із методів теорії анізотропного розсіяння є варіаційний метод. Потужний різновид цього методу полягає у виборі відповідного функціоналу, екстремальне значення якого збігається з джоулевою потужністю, поділеною на електронну температуру. Застосування варіаційного методу при дослідженні явищ переносу в напівпровідниках типу р-Те, вузькощілинних напівпровідниках та інших анізотропних конденсованих середовищах викладені в цілому ряді статей і монографій, наприклад, [1*-2*].
Проблема переносу носіїв заряду в напівпровідниках зі складною зонною структурою, подібною до германію р-типу, досягнула такого розвитку, коли особливості механізмів розсіяння повинні бути розглянуті в детальному порівнянні теорії та експерименту.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: Явища ЕЛЕКТРО- ТА ТЕПЛОПЕРЕНОСУ в АНІЗОТРОПНИХ напівпровідникАх

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок