Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКРООПТИЧНІ ЕФЕКТИ В СТРУКТУРАХ МДН - РІДКИЙ КРИСТАЛ, ЗУМОВЛЕНІ ПЕРЕНЕСЕННЯМ І НАКОПИЧЕННЯМ ЗАРЯДУ

ЕЛЕКРООПТИЧНІ ЕФЕКТИ В СТРУКТУРАХ МДН - РІДКИЙ КРИСТАЛ, ЗУМОВЛЕНІ ПЕРЕНЕСЕННЯМ І НАКОПИЧЕННЯМ ЗАРЯДУ

Назва:
ЕЛЕКРООПТИЧНІ ЕФЕКТИ В СТРУКТУРАХ МДН - РІДКИЙ КРИСТАЛ, ЗУМОВЛЕНІ ПЕРЕНЕСЕННЯМ І НАКОПИЧЕННЯМ ЗАРЯДУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,85 KB
Завантажень:
251
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
НАУКОВО-ТЕХНОЛОГІЧНИЙ КОНЦЕРН "ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ"
ІНСТИТУТ МОНОКРИСТАЛІВ
КУЧЕЄВ СЕРГІЙ ІВАНОВИЧ
УДК 532.783;537.311
ЕЛЕКРООПТИЧНІ ЕФЕКТИ В СТРУКТУРАХ
МДН - РІДКИЙ КРИСТАЛ, ЗУМОВЛЕНІ ПЕРЕНЕСЕННЯМ
І НАКОПИЧЕННЯМ ЗАРЯДУ
01.04.15 - фізика молекулярних та рідких кристалів
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків - 2000
Дисертація є рукописом.
Роботу виконано на кафедрі загальної фізики Чернігівського державного педагогічного університету імені Т.Г. Шевченка
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук,
професор, завідувач кафедри загальної фізики Чернігівського державного педагогічного університету
Гриценко Микола Іванович.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,
провідний науковий співробітник
Інституту монокристалів НАН України
Лисецький Лонгін Миколайович.
кандидат фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Інституту фізики НАН України
Ковальчук Олександр Васильович.
Провідна організація: - Інститут фізики напівпровідників НАН України,
відділення оптоелектроніки
Захист дисертації відбудеться " 25 " жовтня 2000 р. о 14 год. 00 хв.
на засіданні Спеціалізованої вченої ради Д64.169.01 по захисту дисертацій при Інституті монокристалів НАН України за адресою: 61001, м.Харків-001, проспект Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту монокристалів НАН України (Харків, проспект Леніна, 60).
Автореферат розісланий " 20 " вересня 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
кандидат фіз.-мат.наук Атрощенко Л.В
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Рідкі кристали(РК) знаходять широке застосування в системах відображення та обробки оптичної інформації, а також в системах неруйнуючого контролю виробів мікроелектроніки. Функціональною основою багатьох електрооптичних приладів є структури МДН - рідкий кристал, які включають в себе металеві, діелектричні, напівпровідникові і рідкокристалічні плівки. Процеси, зв'язані з протіканням струму через ці структури та з накопиченням заряду, можуть бути визначальними для функціонування цих приладів, а можуть бути і не бажаними та викликати їх деградацію. З іншого боку, перенесення зарядів і їх накопичення біля межі розділу середовищ, а також індуковані ними електрооптичні ефекти представляють інтерес з точки зору вивчення фізичних характеристик межі розділу рідкий кристал - напівпровідник, рідкий кристал - діелектрик. Аналіз літератури вказує на обмежений фактичний матеріал з цього питання. Тому дослідження процесів накопичення зарядів в РК та електрооптичних ефектів, викликаних ними, є актуальними.
Індустрія плоских екранів, яка бурхливо розвивається на основі нових технологій, включає в себе рідкокристалічні, емісійні, а також рідкий кристал - кремній (LCOS) технології і потребує нових систем контролю. Тестуючи системи на основі рідких кристалів сьогодні стають конкурентноздатними з класичними засобами контролю (наприклад, РЕМ). Тому дослідження фізичних основ рідкокристалічних методів контролю є актуальною задачею.
Аналіз стану застосування електрооптичних ефектів в дисплеях вказує на широкий пошук ефектів в рідких кристалах з покраденими кутовими характеристиками. Тому дослідження електрооптичних ефектів, що мають аксіально-симетричні характеристики в структурах МДН - рідкий кристал в околі пор діелектрика стають актуальними.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами
Робота є продовженням систематичних досліджень, виконаних на кафедрі загальної фізики Чернігівського державного педагогічного університету відповідно з проектами науково - дослідних робіт НАН України та Міністерства освіти України з проблеми "Нові інформаційні технології", номер держреєстрації 0193 U041781.
Мета роботи.
Дослідити взаємозв’язок процесів переносу і накопичення зарядів в структурах МДН-рідкий кристал з характеристиками електрооптичних ефектів, індукованих цими зарядами.
Для досягнення цієї мети розв’язувались такі основні задачі.
Дослідити процеси переносу заряду в структурах М-РК-Д-Н і М-РК-Н.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЕЛЕКРООПТИЧНІ ЕФЕКТИ В СТРУКТУРАХ МДН - РІДКИЙ КРИСТАЛ, ЗУМОВЛЕНІ ПЕРЕНЕСЕННЯМ І НАКОПИЧЕННЯМ ЗАРЯДУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок