Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОСОБЛИВОСТІ МЕХАНІЗМІВ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ І ЛЮМІНЕСЦЕНТНИХ ПРОЦЕСІВ У ДІОДАХ ШОТТКІ НА ОСНОВІ SiC i CdTe

ОСОБЛИВОСТІ МЕХАНІЗМІВ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ І ЛЮМІНЕСЦЕНТНИХ ПРОЦЕСІВ У ДІОДАХ ШОТТКІ НА ОСНОВІ SiC i CdTe

Назва:
ОСОБЛИВОСТІ МЕХАНІЗМІВ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ І ЛЮМІНЕСЦЕНТНИХ ПРОЦЕСІВ У ДІОДАХ ШОТТКІ НА ОСНОВІ SiC i CdTe
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,74 KB
Завантажень:
88
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
СКЛЯРчук
ОЛЕНА ФЕДОРІВНА
УДК: 537.311.322:53.082.52
621.383.52
ОСОБЛИВОСТІ МЕХАНІЗМІВ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ,
ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ І ЛЮМІНЕСЦЕНТНИХ ПРОЦЕСІВ
У ДІОДАХ ШОТТКІ НА ОСНОВІ SiC i CdTe
01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2005


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі оптоелектроніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор КОСЯЧЕНКО Леонід Андрійович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри оптоелектроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор ІЛЬЧЕНКО Василь Васильович, Київський національний університет імені Тараса Шевченка, професор кафедри фізичної електроніки
доктор фізико-математичних наук, професор САВЧУК Андрій Йосипович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри фізики напівпровідників і наноструктур
Провідна організація: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України (м. Київ)
Захист відбудеться 29 квітня 2005 р. о 15.00 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий 28 березня 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради М.В. Курганецький


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми
Запропонована і теоретично обґрунтована В. Шотткі ще в кінці 30-х років минулого століття бар’єрна структура на контакті металу з напівпровідником відіграє важливу роль у сучасній електроніці. На відміну від електронно-діркового переходу, діоди Шотткі працюють на більш високих частотах як випрямляючі, лавинно-прольотні діоди, швидкодіючі перемикачі. Завдяки простішій технології виготовлення та кращій сумісності з інтегральними схемами, контакти Шотткі все більше витісняють p-n переходи у цифровій та комп’ютерній техніці. Прилади з бар’єром Шотткі широко застосовуються також в оптоелектроніці, особливо, як фотоприймачі у волоконно-оптичних лініях зв’язку. Завдяки високій концентрації електричного поля в області просторового заряду структури з бар’єром Шотткі можуть застосовуватись як тонкоплівкові оптичні хвилеводи, швидкодіючі оптичні модулятори та інші елементи інтегрально-оптичних схем.
Для виготовлення діодів Шотткі, окрім розповсюджених Ge, Si, GaAs та InP, застосовуються інші напівпровідники, серед яких важливе місце займають телурид кадмію (CdTe) та карбід кремнію (SiC). У 1980-х рр. доведена перспективність сонячних елементів з діодом Шотткі на основі CdTe. Також з’ясовано, що в таких пристроях метал можна замінити тонкою плівкою напівпровідника, прозорою в області сонячного спектра, наприклад, SnO2, In2O3, CdS. У такій гетероструктурі широкозонний напівпровідник фактично виконує тільки функцію прозорого електрода, а електричні властивості приладу мало чим відрізняються від діода Шотткі. Досягнуто ~16% перетворення сонячної енергії в електричну, запроваджене дрібносерійне виробництво сонячних елементів на основі CdTe. Спеціалісти сходяться на тому, що незважаючи на досягнутий прогрес, збільшення коефіцієнту корисної дії (теоретична межа складає 28-30%) та ресурсу роботи стануть можливими тільки після розв’язання ряду фізичних проблем. З 1960-х рр. проводяться також інтенсивні дослідження з метою створення детекторів X- і -випромінювання на основі CdTe, здатних працювати без кріогенного охолодження. У кінці 90-х років була доведена можливість реалізації CdTe детекторів з діодом Шотткі, які мають ряд переваг у порівнянні з Ge- чи Si-детекторами.
Необмежені природні ресурси, з одного боку, й унікальні властивості з іншого, відкривають широкий спектр практичного застосування карбіду кремнію.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ОСОБЛИВОСТІ МЕХАНІЗМІВ ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ, ФОТОЕЛЕКТРИЧНИХ І ЛЮМІНЕСЦЕНТНИХ ПРОЦЕСІВ У ДІОДАХ ШОТТКІ НА ОСНОВІ SiC i CdTe

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок