Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> КОМПЛЕКСНО ЛЕГОВАНІ СТРУКТУРИ НА ОСНОВІ А3В5

КОМПЛЕКСНО ЛЕГОВАНІ СТРУКТУРИ НА ОСНОВІ А3В5

Назва:
КОМПЛЕКСНО ЛЕГОВАНІ СТРУКТУРИ НА ОСНОВІ А3В5
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
35,51 KB
Завантажень:
241
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23 
НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ “ЛЬВІВСЬКА ПОЛІТЕХНІКА”
Круковський Семен Іванович
УДК. 621.315.592
 
КОМПЛЕКСНО ЛЕГОВАНІ СТРУКТУРИ НА ОСНОВІ А3В5
05.27.06. - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
ЛЬВІВ–2006
Дисертацією є рукопис
Робота виконана у Львівському національному університеті імені Івана Франка
і науково-виробничому підприємстві “Карат”
Науковий консультант: | доктор фізико-математичних наук, професор
Стахіра Йосип Михайлович,
Львівський національний університет імені Івана Франка,
завідувач кафедри фізики напівпровідників
Офіційні опоненти: | доктор технічних наук, старший науковий співробітник
Вербицький Володимир Григорович
Інститут „Мікроприлад НАН України,
директор інституту
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Лепіх Ярослав Ілліч
Одеський національний університет імені І.І. Мечникова,
завідувач лабораторією
доктор технічних наук, професор
Ціж Богдан Романович
Львівська державна академія ветеринарної медицини імені С.З. Гжицького
професор, завідувач кафедри загальнотехнічних дисциплін
Провідна установа | Національний технічний університет України „Київський політехнічний інститут”, кафедра мікроелектроніки, Міністерство освіти і науки України, м. Київ
Захист дисертації відбудеться “ 27 ” жовтня 2006 р. о 14 год. 30 хв. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.052.12 при Національному університеті
„Львівська Політехніка” (79013, м. Львів, вул. С. Бандери, 12).
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Національного університету „Львівська Політехніка” (79013, м. Львів, вул. Професорська, 1).
Автореферат розісланий “26” вересня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради _____________________ Заячук Д.М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Дефектно-домішкова структура є визначальним фактором, що формує властивості напівпровідникового матеріалу. Ряд важливих характеристик, таких як коефіцієнти дифузії та сегрегації хімічних елементів, розчинність фонових та легуючих домішок, леткість тих чи інших компонентів напівпровідникових сполук, тощо, обмежують можливість отримування напівпровідникових матеріалів та структур із необхідними параметрами. Класичним прикладом цих проблем є труднощі, які виникають при кристалізації високоомних та напівізолюючих або некомпенсованих епітаксійних шарів сполук А3В5. Одна із основних задач сучасного матеріалознавства полягає в розробці достатньо простого та універсального технологічного підходу до керування дефектно-домішковою структурою напівпровідникового матеріалу в процесі його формування, який би в результаті забезпечив отримання епітаксійних шарів та структур з покращеними характеристиками.
Кожній із сучасних епітаксійних технологій – молекулярно-променевій (МПЕ), газофазній епітаксії із металоорганічних сполук (МОС-ГФЕ) чи рідиннофазній епітаксії (РФЕ) притаманні свої фізико-хімічні особливості отримування, легування та керування структурними властивостями епітаксійних шарів і структур. Спільною рисою цих методів є низькі швидкості росту шарів, завдяки чому, вдалося отримати квантово- та нанорозмірні структури, багатошарові надгратки А3В5 матеріалів. Проте, існує ряд технологічних задач, вирішити котрі можна тільки методом РФЕ. До них відносяться, зокрема, такі як нарощування епітаксійних p-i-n структур, високоомних структур для детекторів радіації з товщиною шарів 100 мкм і більше, високовольтних тиристорних структур на основі матеріалів А3В5. Багато типів епітаксійних приладних структур, що не містять багатошарових надграток, з успіхом можуть бути отримані простим, дешевшим та екологічно безпечним методом рідиннофазової епітаксії (РФЕ). Тільки в методі рідиннофазної технології матеріалів А3В5 найбільш повноцінно можуть бути використані всі переваги легування рідкісноземельними елементами (РЗЕ). На сьогодні вважається, що саме цей напрям є найбільш перспективним з точки зору відтворюваного та прогнозованого керування дефектно-домішковою структурою напівпровідників.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23 



Реферат на тему: КОМПЛЕКСНО ЛЕГОВАНІ СТРУКТУРИ НА ОСНОВІ А3В5

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок