Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи

Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи

Назва:
Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
26,31 KB
Завантажень:
316
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 
КИЇВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
імені ТАРАСА ШЕВЧЕНКА
На правах рукопису
КЛЮЙ МИКОЛА ІВАНОВИЧ
УДК 621.383:621.315.592
Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів
IV групи
01.04.07 - фізика твердого тіла
А В Т О Р Е Ф Е Р А Т
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ - 2000
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики
напівпровідників НАН України
Науковий консультант
Доктор фізико-математичних наук, професор,
член-кор. НАН України Литовченко Володимир Григорович
Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділом
Офіційні опоненти:
Доктор фізико-математичних наук, професор,
член-кор. НАН України
Блонський Іван Васильович
Інститут фізики НАН України, заступник директора.
Доктор фізико-математичних наук, професор,
Шайкевич Ігор Андрійович
Київський Національний університет
імені Тараса Шевченка, професор.
Доктор фізико-математичних наук, професор,
Фекешгазі Іштван Вінцейович
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідувач відділом.
Провідна установа: Чернівецький державний університет
ім. Ю. Федьковича (кафедра фізики твердого тіла), м. Чернівці
Захист відбудеться ‘’25’’ вересня 2000 р. о 1430 годині
на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.001.23 в Київському
національному університеті імені Тараса Шевченка за адресою:
м.Київ, 03650, проспект Академіка Глушкова, 6.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Київського
національного університету імені Тараса Шевченка.
Автореферат розісланий ‘’23’’ серпня 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
професор Охріменко Б.А.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Тонкоплівкові та багатошарові структури на основі елементів IV групи широко використовуються в сучасній мікроелектроніці. Кремнієві структури з прихованими діелектричними та напівпровідниковими шарами, плівки SixGe1-x, є базовими для розробки напівпровідникових приладів з підвищеними швидкодією та деградаційною стійкістю. Алмазоподібні вуглецеві та карбідокремнієві плівки, а також структури на їх основі інтенсивно досліджуються на протязі останніх років, що обумовлено їх перспективністю для покращення характеристик існуючих і розробки нових приладів сучасної опто- та мікроелектроніки. Можливість керування властивостями таких плівок і шарів варіацією технологічних умов отримання та подальшою модифікацією їх структури суттєво розширює області їх практичного застосування. Одними з найбільш перспективних для формування і зміни властивостей твердотільних структур різного типу є методи йонної модифікації. Це зумовлено можливістю чітко контролювати тип, енергію та дозу йонів, що використовуються для зміни властивостей структури і, отже, контрольованим чином керувати її характеристиками. З іншого боку, дослідження властивостей йонно-модифікованих структур є важливим напрямком сучасної фізики твердого тіла, оскільки дозволяє створити фізичні моделі процесів, що відбуваються при формуванні та подальшій модифікації означених структур і отримувати матеріали та структури нового типу з необхідними та контрольованими властивостями.
При формуванні багатошарових структур на основі кремнію з прихованими діелектричними або напівпровідниковими шарами для створення інтегральних схем з підвищеними швидкодією, радіаційною стійкістю та ступенем інтеграції, як правило використовується високодозова імплантація йонів вуглецю, кисню і/або азоту. Це не дозволяє створювати структури з тонкими прихованими шарами, зокрема тонкими шарами SiO2. Тому використання різних стимулюючих факторів для покращення умов зародження і формування нової діелектричної чи напівпровідникової фази в кремнії є важливою задачею сучасного матеріалознавства. Крім того, вивчення механізмів формування таких структур, дослідження процесів, що відбуваються при зміні стехіометрії твердого тіла з використанням нерівноважних методів йонної модифікації має важливе фундаментальне значення як одна з актуальних задач сучасної фізики твердого тіла.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17 



Реферат на тему: Властивості йонно-модифікованих тонкоплівкових і багатошарових структур на основі елементів IV групи

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок